存储装置制造方法及图纸

实施方式提供能够减少向开关元件施加的负载的存储装置。实施方式的存储装置具有第一导体、第二导体、电阻变化层、第一部分、以及第二部分。电阻变化层与第一导体或者第二导体连接。第一部分设于第一导体与第二导体之间，具有电阻值变化的第一阈值电压值。第二部分设于第一导体与第一部分之间以及第二导体与第一部分之间的至少一方，电阻值变化的第二阈值电压值比第一阈值电压值高。

【技术实现步骤摘要】
存储装置相关申请本申请享受以日本专利申请2019－045010号(申请日：2019年3月12日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及一种存储装置。
技术介绍
提出了在沿相互正交的方向延伸的两种布线的交叉部分设有存储元件的、所谓的交叉点型的存储装置。交叉点型的存储装置与各存储元件对应地具备单元选择用的开关元件。
技术实现思路
本专利技术要解决的课题在于，提供一种能够减少施加于开关元件的负载的存储装置。实施方式的存储装置具有第一导体、第二导体、电阻变化层、第一部分、以及第二部分。电阻变化层与第一导体或者第二导体连接。第一部分设于第一导体与第二导体之间，具有电阻值变化的第一阈值电压值。第二部分设于第一导体与第一部分之间以及第二导体与第一部分之间的至少一方，电阻值变化的第二阈值电压值比第一阈值电压值高。附图说明图1是表示实施方式的存储装置的概略立体图。图2是实施方式的存储器单元的剖面图。r>图3是实施方式的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储装置，其中，具备：/n第一导体；/n第二导体；/n电阻变化层，与所述第一导体或者所述第二导体连接；/n第一部分，设于所述第一导体与所述第二导体之间，具有电阻值变化的第一阈值电压值；以及/n第二部分，设于所述第一导体与所述第一部分之间以及所述第二导体与所述第一部分之间的至少一方，电阻值变化的第二阈值电压值比所述第一阈值电压值高。/n

【技术特征摘要】
20190312 JP 2019-0450191.一种存储装置，其中，具备：
第一导体；
第二导体；
电阻变化层，与所述第一导体或者所述第二导体连接；
第一部分，设于所述第一导体与所述第二导体之间，具有电阻值变化的第一阈值电压值；以及
第二部分，设于所述第一导体与所述第一部分之间以及所述第二导体与所述第一部分之间的至少一方，电阻值变化的第二阈值电压值比所述第一阈值电压值高。


2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，
所述第一部分包括：
第一元素，包含碲、硒以及硫中的至少一种硫族元素；以及
第二元素，包含硼、碳、镁、铝、硅以及锗中的至少一种导电性元素，
所述第二部分包括：
第三元素，包含碲、硒以及硫中的至少一种硫族元素；以及
第四元素，包含硼、碳、镁、铝、硅以及锗中的至少一种导电性元素。


3.根据权利要求1或2所述的存储装置，其中，
还具备设于所述第一部分与所述第二部分之间的中间层。


4.根据权利要求1或2所述的存储装置，其中，
所述第一部分包含多个第一层和多个第二层，所述多个第一层与所述多个第二层交替地层叠，所述多个第一层的每个第一层根据所施加的电压而在高电阻状态与低电阻状态之间变化，
所述第二部分包含多个第三层和多个第四层，所述多个第三层与所述多个第四层交替地层叠，所述多个第三层的每个第三层根据所施加的电压而在高电阻状态与低电阻状态之间变化。


5.一种存储装置，其中，具备：
第一导体；
第二导体；以及
开关元件，设于所述第一导体与所述第二导体之间，在向所述第一导体与所述第二导体之间施加的电压小于第一阈值电压值的情况下具有第一电阻变化趋势，在向所述第一导体与所述第二导体之间施加的电压为所述第一阈值电压值以上且小于第二阈值电压值的情况下，具有每单位电压的电阻值的变化比所述第一电阻变化趋势大的第二电阻变化趋势，在向所述第一导体与所述第二导体之间施加的电压为所述第二阈值电压值以上的情况下，具有第三电阻变化趋势，该第三电阻变化趋势包含与所述第二阈值电压值的情况相比所述电阻值变低的区域。


6.一种存储装置，其中，具备：
第一导电层；
第二导电层；
电阻变化层，与所述第一导电层或者所述第二导电层连接；
第一部分，设于所述第一导电层与所述第二导电层之间，包含在碲、硒以及硫中选择至少一种而得到的第一元素、包含硼、碳、镁、铝、硅以...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩崎刚之，小松克伊，河合宏树，
申请(专利权)人：东芝存储器株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP