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用于晶带轴对准的方法和系统技术方案

技术编号:25706040 阅读:44 留言:0更新日期:2020-09-23 02:53
用于晶带轴对准的方法和系统。提供了用于将样品的晶带轴与入射束对准的方法和系统。作为一个实例,所述对准可基于晶带轴倾斜。所述晶带轴倾斜可基于在所述衍射图案中直射束和零阶劳厄带的位置来确定。所述直射束位置可基于以不同入射角获得的衍射图案来确定。

【技术实现步骤摘要】
用于晶带轴对准的方法和系统
本说明书大体上涉及用于将样品与入射束对准的方法和系统,并且更具体地说,涉及使用衍射图案使结晶材料的晶带轴与带电粒子束对准。
技术介绍
在高分辨率带电粒子束显微镜中,为了高精度地对结晶样品进行成像,带电粒子束必须与结晶样品的晶带轴对准。如果样品的晶带轴未对准,如当晶带轴未平行于入射束定向时,那么在样品上纳米级特征的测量可能不准确。将样品晶体结构与入射束对准的过程称为晶带轴对准。晶带轴对准的一种方法是使用样品的衍射图案。举例来说,当准直带电粒子穿过薄的结晶样品时,带电粒子彼此干涉并且在位于样品下方的物镜的后焦面上形成衍射图案。衍射图案由多个亮点组成。每个亮点由带电粒子从晶体结构内的一组特定平面衍射产生。可基于在衍射图案中亮点的分布调节晶带轴和入射束之间的对准。
技术实现思路
在一个实施例中,用于将样品的晶带轴与入射束对准的方法包含通过以第一角度朝向样品引导入射束获得样品的第一衍射图案,通过以第二角度朝向样品引导入射束获得样品的第二衍射图案,基于第一衍射图案和第二衍射图案确定在第一衍射图案中直射本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于将样品的晶带轴与入射束对准的方法,其包含:/n通过以第一角度朝向所述样品引导所述入射束获得所述样品的第一衍射图案;/n通过以第二角度朝向所述样品引导所述入射束获得所述样品的第二衍射图案;/n基于所述第一衍射图案和所述第二衍射图案确定在所述第一衍射图案中直射束的位置;和/n基于所述直射束的所述位置将所述样品的所述晶带轴与所述入射束对准。/n

【技术特征摘要】
20190312 US 16/2999481.一种用于将样品的晶带轴与入射束对准的方法,其包含:
通过以第一角度朝向所述样品引导所述入射束获得所述样品的第一衍射图案;
通过以第二角度朝向所述样品引导所述入射束获得所述样品的第二衍射图案;
基于所述第一衍射图案和所述第二衍射图案确定在所述第一衍射图案中直射束的位置;和
基于所述直射束的所述位置将所述样品的所述晶带轴与所述入射束对准。


2.根据权利要求1所述的方法,其中所述入射束为会聚束。


3.根据权利要求1或2所述的方法,其中基于所述第一衍射图案和所述第二衍射图案确定在所述第一衍射图案中所述直射束的所述位置包括:基于所述第一衍射图案和所述第二衍射图案生成组合衍射图案,和基于所述组合衍射图案确定在所述第一衍射图案中所述直射束的所述位置。


4.根据权利要求1或2所述的方法,其中确定在所述第一衍射图案中所述直射束的所述位置包括确定在所述第一衍射图案中所述直射束的中心和所述直射束的半径。


5.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中基于所述直射束的所述位置将所述样品的所述晶带轴与所述入射束对准包括:基于所述直射束的所述位置确定所述样品的所述晶带轴和以所述第一角度朝向所述样品引导的所述入射束之间的晶带轴倾斜,和基于所述晶带轴倾斜将所述样品的所述晶带轴与所述入射束对准。


6.根据权利要求5所述的方法,其中基于所述直射束的所述位置确定所述晶带轴倾斜包括基于所述直射束的所述位置确定在所述第一衍射图案中零阶劳厄带(ZOLZ)的位置,和基于ZOLZ的所述位置确定所述晶带轴倾斜。


7.根据权利要求6所述的方法,其中基于所述直射束的所述位置确定在所述第一衍射图案中ZOLZ的所述位置包括:相对于所述直射束的中心旋转所述第一衍射图案,生成与整合积分区域和旋转的第一衍射图案之间的重叠区域中的像素值相对应的强度曲线,和基于所述强度曲线确定ZOLZ的所述位置。


8.根据权利要求7所述的方法,其另外包含基于所述直射束的半径确定强度积分区域。


9.根据权利要求7或8所述的方法,其中基于所述强度曲线确定ZOLZ的所述位置包括基于所述强度曲线与阈值强度相交的旋转角度确定ZOLZ的位置。


10.一种用于将样品的晶带轴与入射束对准的方法,其包含:
通过调节所述样品和所述入射束之间的入射角获得所述样品的多个衍射图案;
基于所述获得的多个衍射图案确定在所述多个衍射图案中直射束的位置;和
基于所述直射束的所述位置将所述样品的所述晶带轴与所述入射束对准。


11.根据权利要求10所述的方法,其另外包含确定在所述多个衍射图案中的一个中零阶劳...

【专利技术属性】
技术研发人员:钟祯新
申请(专利权)人:FEI公司
类型:发明
国别省市:美国;US

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