含银金属膜用蚀刻液组合物制造技术

本发明专利技术提供含银金属膜用蚀刻液组合物，包含硝酸、聚磺酸、有机酸及水。根据本发明专利技术的蚀刻液组合物包含硝酸、聚磺酸、有机酸及水，对于用作显示设备的反射板或配线的含银(Ag)或银合金金属膜，抑制下部膜受损，并且在形成微细配线时，能够最小化不良偏差及碎屑或析出物的出现，能够表现出优异的蚀刻特性。

【技术实现步骤摘要】
含银金属膜用蚀刻液组合物
本专利技术涉及一种含银金属膜用蚀刻液组合物，更详细地涉及一种蚀刻液组合物，其在蚀刻含银金属膜时，能够抑制下部膜的损伤、碎屑及过度蚀刻的发生。
技术介绍
通常，显示面板包括形成有薄膜晶体管作为用于驱动像素的开关元件的显示基板。所述显示基板包括多个金属图案，所述金属图案主要通过光刻(photolithography)方式形成。所述光刻方式是一种如下所述的工艺：在形成于基板上且作为蚀刻对象的金属膜上形成光刻胶膜，对所述光刻胶膜进行曝光及显影，形成光刻图案后，将所述光刻图案用作防蚀刻膜并用蚀刻液蚀刻所述金属膜，从而能够对所述金属膜进行构图。在用于所述金属膜构图的蚀刻工艺中，因光刻图案暴露的区域被蚀刻液去除，并且暴露经去除的金属膜的下部膜。此时，暴露的所述下部膜可能会与所述蚀刻液接触而损坏。当作为所述蚀刻对象的金属膜为用作显示设备(display)的反射板或配线的含银(Ag)或银合金金属膜时，为了对此进行蚀刻，主要使用基于磷酸、硝酸和乙酸的湿蚀刻液(参照韩国授权专利第10-0579421号)。然而，所述湿蚀刻液的粘度会随使用时间的经过而增加，并且其他成分的浓度增加，导致过度蚀刻并且部分配线会发生短路。另外，增加含银或银合金金属膜的蚀刻处理张数，可能会导致蚀刻偏差增加的缺陷。一方面，为了提高移动设备的分辨率，需形成微细配线，为了通过蚀刻含银(Ag)或银合金金属膜来形成细微图案，具有减少蚀刻工艺时间或减少氧化剂及蚀刻剂的含量的方法。此时，由于蚀刻剂的蚀刻性能的下降，增加了碎屑的产生或溶解的金属的稳定性不足，随着时间的流逝，会在金属膜中产生碎屑或析出物。因此，需要改善用于含银或银合金膜或配线的蚀刻工艺的蚀刻液。
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术是用于解决如上所述的问题，本专利技术的一目的在于，提供一种蚀刻液组合物，其在蚀刻含银(Ag)或银合金的金属膜时能够表现出优异的蚀刻特性。用于解决问题的方法根据本专利技术的一方面，提供一种包含硝酸、聚磺酸、有机酸及水的含银(Ag)或银合金金属膜用蚀刻液组合物。所述蚀刻液组合物可包含1至20重量份的硝酸、1至40重量份的聚磺酸、1至40重量份的有机酸、及使组合物的整体重量达到100重量份的余量的水。在所述蚀刻液组合物中，可以以1:0.1至1:3的质量比，更详细地1:0.5至1:2的质量比包含所述聚磺酸及硝酸。所述聚磺酸可以是包含两个以上磺酸根(sulfonate)作用基团的聚合物。所述有机酸可包含选自柠檬酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、辛二酸、苹果酸、酒石酸、乳酸、丙酸、己酸、辛酸、苯乙酸、苯甲酸、苯单羧酸、硝基苯甲酸、羟基苯甲酸、羟基苯、氨基苯甲酸、二乙酸、乳酸、丙酮酸、葡萄糖酸、乙醇酸、亚氨基二乙酸、次氮基三乙酸、乙二胺四乙酸、亚乙基三腈五乙酸、丙氨酸、谷氨酸、氨基丁酸、甘氨酸亚氨基二琥珀酸、聚亚氨基二琥珀酸及它们的盐中的一种以上。所述蚀刻液组合物可进一步包含防腐剂、表面活性剂或蚀刻稳定剂的添加剂。所述含银或银合金金属膜可以是单一膜或多层膜。专利技术效果根据本专利技术的蚀刻液组合物包含硝酸、聚磺酸、有机酸及水，对于用作显示设备的反射板或配线的含银(Ag)或银合金金属膜，抑制下部膜受损，并且在形成微细配线时，能够最小化不良偏差及碎屑或析出物的出现，能够表现出优异的蚀刻特性。具体实施方式本专利技术的一实施方式涉及一种包含硝酸、聚磺酸、有机酸及水的含银(Ag)或银合金金属膜用蚀刻液组合物。本专利技术的一实施方式的蚀刻液组合物用于蚀刻用作显示设备的反射板或TFT金属配线的含银(Ag)或银合金金属膜，所述金属膜可以是单一膜或多层膜。所述多层膜包含银或银合金的单一膜，例如，可以为氧化铟膜/银或银合金单一膜/氧化铟膜的结构。所述银合金以银为主要成分，可包括含有Nd、Cu、Pb、Nb、Ni、Mo、Ni、Cr、Mg、W、Pa至Ti等其他金属的合金形式以及银的氮化物、硅化物、碳化物、氧化物形式等的多种形式。所述氧化铟膜具体可由铟锌氧化物(IZO)、氧化铟锡(ITO)或它们的混合物形成，并且可用于图像显示设备用基板的电极。以下，进一步详细说明本专利技术的一实施方式的蚀刻液组合物的构成成分。硝酸根据本专利技术的一实施方式的蚀刻组合物包含硝酸，以作为对含银(Ag)或银合金金属膜进行氧化的成分。所述硝酸可迅速氧化并蚀刻银及氧化铟等。这种硝酸可基于100重量份的蚀刻液组合物，使用1至20重量份，例如2至10重量份，当满足所述范围时，可防止银及氧化铟等的过度蚀刻，从而有利于调节蚀刻速度。所述硝酸与后述的聚磺酸及有机酸混合使用，能够防止银及氧化铟等的过度蚀刻并调节蚀刻速度。聚磺酸根据本专利技术的一实施方式的蚀刻组合物包含聚磺酸。所述聚磺酸包含两个以上磺酸根(sulfonate)作用基团，所述磺酸根作用基团与被硝酸氧化的银离子(Ag+)牢固结合，从而实现稳定的蚀刻。如上所述的聚磺酸可防止经氧化的银的再吸附，从而减少碎屑的形成，并且弱化对于下部膜的渗透力。这种作用能够抑制膜和膜之间的蚀刻液渗透，在形成微细配线时能够减少不良偏差(bias，或还可称为skew)，由此能够改善配线的直线性。具体地，所述聚磺酸可使用具有下述化学式1至4的结构的单体来合成，作为以聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚乙酸酯(polyacetate)、聚乙烯(polyvinyl)或聚硅氧烷(polysiloxane)作为主链，并具有两个以上磺酸根(sulfonate)作用基团的聚合物，其数均分子量可以为1500至200000。[化学式1][化学式2][化学式3][化学式4]在所述式中，R是取代或未取代的C1-20烷基、苄基，R'是H或CH3，R"是H、OH、C1-10烷基或-R-SO3H(其中，R是取代或未取代的C1-20烷基)，A是O、N或胺基，X及Y是-OH、C1-6烷氧基、Cl、Br或I。本文中所使用的术语“烷基”指直链或支链的饱和烃基链，作为例子可举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、异戊基及己基，但不局限于此。本文中所使用的术语“烷氧基”指与氧结合的烷基，作为例子可举出甲氧基、二氟甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基及叔丁氧基，但不局限于此。在下述表1中示出具有所述化学式1至4的结构的单体的代表性例子。【表1】更具体地，能够在本专利技术中使用的聚磺酸可以是包含表1中记载的一种以上的单体及下述化学式5的丙烯酸(acrylicacid)或下述化学式6的n-乙烯基吡咯烷酮(n-vinylpyrrolidone)的共聚物(copolymer)形式。[化学式5][化学式6]另外，在合本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种含银或银合金金属膜用蚀刻液组合物，其中，/n包含硝酸、聚磺酸、有机酸及水。/n

【技术特征摘要】
20190313 KR 10-2019-00284651.一种含银或银合金金属膜用蚀刻液组合物，其中，
包含硝酸、聚磺酸、有机酸及水。


2.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，
所述组合物包含1至20重量份的硝酸、1至40重量份的聚磺酸、1至40重量份的有机酸、及使组合物的整体重量达到100重量份的余量的水。


3.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，
以1:0.1至1:3的质量比包含所述聚磺酸及硝酸。


4.根据权利要求3所述的蚀刻液组合物，其中，
以1:0.5至1:2的质量比包含所述聚磺酸及硝酸。


5.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，
所述聚磺酸是包含两个以上磺酸根作用基团的聚合物。


6.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，
所述聚磺酸是共聚物形式，包含具有下述化学式1至4的结构的单体中的一种以上及可与该单体共聚的单体：
[化学式1]



[化学式2]



[化学式3]



[化学式4]



在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：殷熙天，金益俊，陈闰泰，金希泰，金世训，
申请(专利权)人：易安爱富科技有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR