一种耐高温减反光学膜及其制备方法和用途技术

本发明专利技术提供了一种耐高温减反光学膜及其制备方法和用途，所述方法包括以下步骤：对升华性材料和二氧化硅的混合膜，进行高温处理，得到具有纳米孔隙结构的二氧化硅膜。采用本发明专利技术的方法制备得到的减反光学膜可以降低反射率到0.3％以下，减反中心波长可在400nm‑1000nm范围调节，工作温度从0℃到1000℃，可用于高温应用场景下光学器件(如光学窗口、透镜、偏振镜片、滤光片等)的增透。

【技术实现步骤摘要】
一种耐高温减反光学膜及其制备方法和用途
本专利技术属于光学功能薄膜制备
，涉及一种减反光学膜及其制备方法和用途，尤其涉及一种耐高温减反光学膜及其磁控溅射制备方法和用途。
技术介绍
光学薄膜是一类重要的光学元件，它广泛地应用于现代光学、光电子学、光学工程以及其他相关的科学
在光的传输、调制，光谱和能量的分割与合成以及光与其他能态的转换过程中起着不可替代的作用。在一些极端条件下的应用需求，对于薄膜耐高温性能提出了很高的要求。例如原位光学显微成像的材料生长系统镜片需要耐受1000℃高温的光学膜，此外投影仪中的滤波片、各种光伏热伏电池系统中的反射镜、以及航天器中用到的高温热辐射屏蔽器件等等也都需要具有一定耐高温性能的光学薄膜器件。由于光源的强度以及热源的温度很高，这些器件在满足一定光学性能的同时，还要具有较高的耐高温性能。这对传统的薄膜材料提出了挑战。目前制备高温薄膜，通常采用硅、锗等半导体材料和银、铝、铜一等金属材料，然而都存在一定的局限性。如硅和锗在可见光波段不透明，并且易于被氧化；而金属银、铜、铝容易于被氧化。对于多本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种减反光学膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：/n对升华性材料和二氧化硅的混合膜，进行高温处理，得到具有纳米孔隙结构的二氧化硅膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种减反光学膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
对升华性材料和二氧化硅的混合膜，进行高温处理，得到具有纳米孔隙结构的二氧化硅膜。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述混合膜的制备方法包括：
采用磁控溅射仪，以升华性材料靶材和二氧化硅靶材作为溅射源，溅射镀膜，制备得到升华性材料和二氧化硅的混合膜。


3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述升华性材料包括二氧化钼、三氧化钼、三氧化二锑或二氧化硒中的任意一种或任意组合；
优选地，所述升华性材料在混合膜中的体积分数为15％-80％，优选为60％-75％。
优选地，所述混合膜的厚度为100nm-200nm。


4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述高温处理的温度为200-950℃；
优选地，升华性材料为三氧化二锑时，高温处理的温度为700℃-950℃，优选为750℃-900℃；升华性材料为三氧化钼和/或二氧化钼时，高温处理的温度为800℃-950℃，优选为850℃-900℃；升华性材料为二氧化硒时，高温处理的温度为200℃-300℃，优选为220℃-300℃；
优选地，所述高温处理的时间为5h-20h。


5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述混合膜设置于基体的单侧表面或者双侧表面。

【专利技术属性】
技术研发人员：谢黎明，赵朝阳，王新胜，宋志伟，
申请(专利权)人：国家纳米科学中心，
类型：发明
国别省市：北京;11