像素结构、具有像素结构的图像传感器装置和系统、以及操作该像素结构的方法制造方法及图纸

半导体材料(S)中的光电探测器(PD)设置有：第一传输门(TX1)，其位于半导体材料中的光电探测器与第一扩散区域(FD1)之间；第二传输门(TX2)其位于半导体材料中的光电探测器(PD)与第二扩散区域(FD2)之间；电容器(C)，其连接在第一扩散区域(FD1)与第二扩散区域(FD2)之间；第一开关(RST1)，其连接在第一扩散区(FD1)与第一基准电压(V

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】像素结构、具有像素结构的图像传感器装置和系统、以及操作该像素结构的方法本公开适用于三维成像，特别是差分成像的领域。主动立体视觉系统利用投影仪和至少一个图像传感器。通常，投影仪投射由点、线或其他形状组成的结构光图案，该点、线或其他形状由波长通常为例如940nm的红外光投射在场景上。然后，图案通过包括二维矩阵的像素的全局快门二维图像传感器记录。图像传感器可以被优化以在所使用的波长处具有良好的响应。在短时间内光图案能够通过强光源，例如VCSEL(垂直腔面发射激光器)投射。最大发射光功率受到人眼安全限制和VCSEL在指定的占空比下能够输出的最大功率的限制。通常使用几微秒至几毫秒的短脉冲。图案例如通过掩模创建，该图案通过光学系统(例如透镜和/或光学衍射元件)投射到场景上。二维相机记录投射的图案。如在记录的图像中看到的图案的位置取决于物体到相机和投影仪的距离。通过三角测量能够记录该距离。其他计算技术可能涉及深度学习，例如在投射的图案由于像聚焦距离或者干涉等一些光学效应根据物体距离改变外观的情况下。一些系统使用两个相机，并使用立体视觉来制作深度图。投射本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于半导体成像装置的像素结构，包括：/n光电探测器(PD)，其位于半导体材料(S)中，/n第一传输门(TX1)，其位于所述半导体材料中的所述光电探测器(PD)与第一扩散区域(FD1)之间，/n第二传输门(TX2)，其位于所述半导体材料中的所述光电探测器(PD)与第二扩散区域(FD2)之间，/n电容器(C)，其连接在所述第一扩散区域(FD1)与所述第二扩散区域(FD2)之间，/n第一开关(RST1)，其连接在所述第一扩散区域(FD1)与第一基准电压(V

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171215 EP 17207772.91.一种用于半导体成像装置的像素结构，包括：
光电探测器(PD)，其位于半导体材料(S)中，
第一传输门(TX1)，其位于所述半导体材料中的所述光电探测器(PD)与第一扩散区域(FD1)之间，
第二传输门(TX2)，其位于所述半导体材料中的所述光电探测器(PD)与第二扩散区域(FD2)之间，
电容器(C)，其连接在所述第一扩散区域(FD1)与所述第二扩散区域(FD2)之间，
第一开关(RST1)，其连接在所述第一扩散区域(FD1)与第一基准电压(Vref1)之间，以及
第二开关(RST1)，其连接在所述第二扩散区域(FD2)与第二基准电压(Vref2)之间。


2.根据权利要求1所述的像素结构，其中，
所述光电探测器(PD)是在包括所述半导体材料(S)的衬底中的钉扎式光电二极管。


3.根据权利要求1或2所述的像素结构，还包括：
缓冲放大器，其连接到所述第一扩散区域(FD1)和所述第二扩散区域(FD2)。


4.根据权利要求1至3之一所述的像素结构，其中，所述第一基准电压(Vref1)和所述第二基准电压(Vref2)相等。


5.根据权利要求4所述的像素结构，其中，所述第一基准电压(Vref1)和所述第二基准电压(Vref2)等于电源电压(VDD)。


6.根据权利要求1至3之一所述的像素结构，其中，所述第一基准电压(Vref1)或所述第二基准电压(Vref2)连接到电源电压(VDD)。


7.根据权利要求1至6之一所述的像素结构，还包括：
选择晶体管(SEL)，其连接到列总线。


8.根据权利要求7所述的像素结构，还包括：
源极跟随器(SF)，其由场效应晶体管形成，所述源极跟随器连接到所述选择晶体管(SEL)，其中，所述源极跟随器(SF)的栅极连接到所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉·迈南，
申请(专利权)人：AMS有限公司，
类型：发明
国别省市：奥地利;AT