固体摄像装置及照相机系统制造方法及图纸

技术编号:25449827 阅读:78 留言:0更新日期:2020-08-28 22:35
本发明专利技术的目的在于提供一种不使用记录介质就能够记录静止图像的固体摄像装置及照相机系统。在图像传感器的像素P设置有光电二极管(35)、传输晶体管(36)、复位晶体管(37)和放大晶体管(38),以及具有选择晶体管功能的存储元件(39)。存储元件(39)中,与漏极侧选择晶体管(DST)和源极侧选择晶体管(SST)一体地形成有存储晶体管(MT)。存储晶体管(MT)通过将写入电压作为栅极电压施加到存储栅电极(41),从而将与光电二极管(35)的受光量对应的量的电荷蓄积在电荷蓄积层(42)中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】固体摄像装置及照相机系统
本专利技术涉及固体摄像装置及照相机系统。
技术介绍
记录由图像传感器(固体摄像装置)拍摄的图像的照相机系统也被利用于防犯照相机或驾驶记录仪等。照相机系统由将被摄体光转换为电图像信号的图像传感器、对图像信号进行γ校正和颜色校正等处理的信号处理电路、记录图像信号的存储卡等记录介质等构成。作为图像传感器,多使用CMOS型。CMOS型图像传感器的各像素一般由将入射光转换为电荷的光电二极管、将电荷转换为电位的浮置扩散部(floatingdiffusion)、将光电二极管的电荷传输到浮置扩散部的传输晶体管、使浮置扩散部复位的复位晶体管、在输出信号电压的读取期间导通的选择晶体管等构成(例如,参照非专利文献1)。现有技术文献非专利文献非专利文献1:Wan,G.;XiangliLi;Agranov,G.;Levoy,M.;Horowitz,M.,“CMOSImageSensorsWithMulti-BucketPixelsforComputationalPhotography”,IEEEJourn本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种固体摄像装置,包括排列有多个像素的像素阵列,其特征在于,所述像素包括:/n光电二极管;/n浮置扩散部;/n传输晶体管,连接在所述光电二极管和所述浮置扩散部之间;/n放大晶体管,所述放大晶体管的栅极与所述浮置扩散部连接;和/n非易失性存储部,连接在信号输出线和所述放大晶体管之间,/n所述非易失性存储部包括:/n存储晶体管,在所述放大晶体管和所述信号输出线之间,与所述放大晶体管串联连接,所述存储晶体管包括存储栅电极和电荷蓄积层;和/n第一选择晶体管,在所述放大晶体管和所述信号输出线之间,与所述存储晶体管串联连接。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180109 JP 2018-0014871.一种固体摄像装置,包括排列有多个像素的像素阵列,其特征在于,所述像素包括:
光电二极管;
浮置扩散部;
传输晶体管,连接在所述光电二极管和所述浮置扩散部之间;
放大晶体管,所述放大晶体管的栅极与所述浮置扩散部连接;和
非易失性存储部,连接在信号输出线和所述放大晶体管之间,
所述非易失性存储部包括:
存储晶体管,在所述放大晶体管和所述信号输出线之间,与所述放大晶体管串联连接,所述存储晶体管包括存储栅电极和电荷蓄积层;和
第一选择晶体管,在所述放大晶体管和所述信号输出线之间,与所述存储晶体管串联连接。


2.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其特征在于:
所述非易失性存储部还具有第二选择晶体管,所述第二选择晶体管在所述存储晶体管和所述放大晶体管之间与所述存储晶体管串联连接。


3.根据权利要求2所述的固体摄像装置,其特征在于:
所述非易失性存储部由下述部件构成:
漏极和源极,形成于P阱区域的表面;
存储栅结构,包含所述电荷蓄积层及所述存储栅电极,所述存储栅结构配置在所述漏极和所述源极之间的所述P阱区域的表面,形成所述存储晶体管;
第一栅结构,配置在所述存储栅结构和所述源极之间的所述P阱区域的表面上,形成所述第一选择晶体管;和
第二栅结构,配置在所述存储栅结构和所述漏极之间的所述P阱区域的表面上,形成所述第二选择晶体管。


4.根据权利要求1~3中任一项所述的固体摄像装置,其特征在于,所述像素还具有复位晶体管,所述复位晶体管连接在电源线和所述浮置扩散部之间。


5.根据权利要求2或3所述的固体摄像装置,其特征在于,所述第一选择晶体管和所述第二选择晶体管在不向所述信号输出线输出图像信号时,所述第一选择晶体管和所述第二选择晶体管中的至少任一方截止。


6.根据权利要求1~5中任一项所述的固体摄像装置,其特征在于:
所述电荷蓄积层通过向所述存储栅电极施加写入电压来蓄积电荷,所述电荷的量与所述放大晶体管的输出电位对应,
所述存储晶体管在所述电荷蓄积层中没有电荷蓄积的状态下通过向所述存储栅电极施加通常电压而导通,阈值电压根据蓄积在所述电荷蓄积层中的电荷的量而变化。


7.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员:宿利章二柳泽一正竹田敏文奥山幸祐谷口泰弘
申请(专利权)人:株式会社芙洛提亚
类型:发明
国别省市:日本;JP

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