欠压保护电路制造技术

技术编号:25694762 阅读:27 留言:0更新日期:2020-09-18 21:05
本发明专利技术提供了欠压保护电路,所述欠压保护电路包括电源电压、与电源电压相连接的阈值模块及与阈值模块相连接的开关模块;所述阈值模块输出阈值电压,所述开关模块接收阈值电压并输出开关信号,所述开关信号包括断开信号和闭合信号,所述阈值模块接收开关信号以对阈值电压进行调整;当电源电压大于阈值电压时,开关模块输出闭合信号,阈值电压降低;当电源电压小于阈值电压时,开关模块输出断开信号,阈值电压升高。因而,本发明专利技术中,电源电压通过阈值模块可直接产生阈值电压,因而不需要另外设置参考电压的建立电路,因而可以实现快速响应。而且,也同样不需要额外的比较器电路,简化了电路的同时,也能实现电路的功能,并兼具精度的要求。

【技术实现步骤摘要】
欠压保护电路
本专利技术涉及模拟电路领域,特别是一种高速高精度的欠压保护电路。
技术介绍
现有技术中的欠压保护电路,需要利用电源电压VDD的分压值和参考电压Vref进行比较,并直接设置比较器对比较结果进行输出,并控制后级电路的启停。从而,当电源电压VDD的分压值大于参考电压Vref时,启动后级电路;而当电源电压VDD的分压值小于参考电压Vref时,关闭后级电路,从而实现欠压保护。并且,比较结果可以用于调整电源电压VDD的分压值,以实现电源电压VDD的分压值的滞回,防止出现抖动。但是,现有技术中进行电压之间的比较,需要先把参考电压Vref建立好,这就依赖于参考电压Vref的建立精度和建立速度。而一般的参考电压Vref为带隙基准的输出,通常需要10~100us的建立时间,因此会限制电源电压VDD的判断速度。若为了提高速度来建立一个简易的基准电压,则精度就难以得到保证。因此,必须设计一种新的高速高精度的欠压保护电路。
技术实现思路
为解决上述问题之一,本专利技术提供了欠压保护电路,所述欠压保护电路包括电源电压、与电源电压相连接的阈值模块及与阈值模块相连接的开关模块;所述阈值模块输出阈值电压,所述开关模块接收阈值电压并输出开关信号,所述开关信号包括断开信号和闭合信号,所述阈值模块接收开关信号以对阈值电压进行调整;当阈值电压大于电源电压时,开关模块输出断开信号,阈值电压升高;当阈值电压小于电源电压时,开关模块输出闭合信号,阈值电压降低。作为本专利技术的进一步改进,所述阈值模块包括第一三极管和第二三极管,所述第一三极管和第二三极管的基极互相连接、发射极均接地,所述第一三极管的基极和集电极相互连接;所述阈值模块还包括第一可调电阻模块和第二可调电阻模块,第一三极管的集电极通过第一可调电阻模块接入电源电压,第二三极管的集电极通过第二可调电阻模块接入电源电压。作为本专利技术的进一步改进,所述第一可调电阻模块包括串联的第一电阻和第三电阻及并联于第一电阻上的第一开关,所述第二可调电阻模块包括串联的第二电阻和第四电阻及并联于第二电阻上第二开关;所述开关模块输出断开信号时,第一开关和第二开关断开,所述开关模块输出闭合信号时,第一开关和第二开关闭合。作为本专利技术的进一步改进,所述第一电阻和第二电阻的阻值相等,第三电阻和第四电阻的阻值相等。作为本专利技术的进一步改进,所述阈值模块还包括第五电阻,所述第二三极管的发射极通过第五电阻接地。作为本专利技术的进一步改进,所述阈值模块还包括第六电阻和第七电阻,所述第一三极管的基极通过第六电阻接地,所述第二三极管的集电极通过第七电阻接地;所述第六电阻和第七电阻的阻值相等。作为本专利技术的进一步改进,开关模块输出断开信号时,该阈值电压UVLO+为:开关模块输出闭合信号时,该阈值电压UVLO-为:其中,VT指热电压,n为第一三极管和第二三极管面积之间的倍数差。作为本专利技术的进一步改进,所述第二三极管的面积是第一三极管的n倍,n>1。作为本专利技术的进一步改进,所述开关模块包括比较器,所述比较器的输出端输出开关信号,负输入端与第一三极管的集电极相连接,正输入端与第二三极管的集电极相连接。作为本专利技术的进一步改进,所述开关模块包括第三三极管、第八电阻,所述第三三极管的基极接入第二三极管的集电极、发射极接地、集电极通过第八电阻接入电源电压;所述开关模块还包括PMOS管和NMOS管,所述PMOS管的栅极和NMOS管的栅极均接入第三三极管的集电极,PMOS管的源极接电源电压,NMOS管的源极接地,PMOS管和NMOS管的漏极相互连接且输出开关信号。与现有技术相比,本专利技术中,电源电压通过阈值模块可直接产生阈值电压,因而不需要另外设置参考电压的建立电路,因而可以实现快速响应。而且,开关模块可直接通过阈值电压来输出开关信号,相当于内置了比较器,也同样不需要额外的比较器电路,简化了电路的同时,也能实现电路的功能,并兼具精度的要求。另外,本专利技术中的开关模块可以输出断开信号和开启信号以调整阈值电压,从而提供给阈值电压一个滞回的区间,让阈值电压在UVLO+和UVLO-之间摆动,防止出现频繁的抖动。附图说明图1为本专利技术欠压保护电路第一种实施方式的电路图;图2为本专利技术欠压保护电路第二种实施方式的电路图。具体实施例为了使本
的人员更好地理解本专利技术中的技术方案,下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都应当属于本专利技术保护的范围。如图1至图2所示提供了一种欠压保护电路,所述欠压保护电路包括电源电压VDD、与电源电压VDD相连接的阈值模块1及与阈值模块1相连接的开关模块2;所述阈值模块1输出阈值电压UVLO,所述开关模块2接收阈值电压UVLO并输出开关信号,所述开关信号包括断开信号和闭合信号,所述阈值模块1接收开关信号以对阈值电压UVLO进行调整;当阈值电压UVLO大于电源电压VDD时,开关模块2输出断开信号,阈值电压UVLO升高;当阈值电压UVLO小于电源电压VDD时,开关模块2输出闭合信号,阈值电压UVLO降低。因而,本专利技术中,电源电压VDD通过阈值模块1可直接产生阈值电压UVLO,因而不需要另外设置参考电压的建立电路,因而可以实现快速响应。而且,开关模块2可直接通过阈值电压UVLO来输出开关信号,相当于内置了比较器,也同样不需要额外的比较器电路,简化了电路的同时,也能实现电路的功能,并兼具精度的要求。另外,本专利技术中的开关模块2可以输出断开信号和开启信号以调整阈值电压UVLO,从而提供给阈值电压UVLO一个滞回的区间,让阈值电压在UVLO+和UVLO-之间摆动,防止出现频繁的抖动。进一步的,所述阈值模块1包括第一三极管Q1和第二三极管Q2,所述第一三极管Q1和第二三极管Q2的基极互相连接、发射极均接地,所述第一三极管Q1的基极和集电极相互连接;所述阈值模块1还包括第一可调电阻模块和第二可调电阻模块,第一三极管Q1的集电极通过第一可调电阻模块接入电源电压VDD,第二三极管Q2的集电极通过第二可调电阻模块接入电源电压VDD。本专利技术中,所述阈值模块1包括第一三极管Q1和第二三极管Q2,已知,三极管的基极和发射极之间的电压Vbe具有温度系数,且随着温度的升高而降低。而两个基极相连的三极管的Vbe之间的差值即delta_Vbe也具有温度系数,并且为正温度系数,随着温度的升高而升高。因而,为了进一步提高精度,降低温度对阈值电压UVLO的影响,因而,本专利技术中采用第一三极管Q1和第二三极管Q2,用双边的三极管电路形成delta_Vbe,从而和Vbe相加配合以得到零温度系数,提高阈值电压UVLO的精确性和稳定性。具体的,delta_Vbe=VT*ln(n)本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种欠压保护电路,其特征在于,所述欠压保护电路包括电源电压、与电源电压相连接的阈值模块及与阈值模块相连接的开关模块;所述阈值模块输出阈值电压,所述开关模块接收阈值电压并输出开关信号,所述开关信号包括断开信号和闭合信号,所述阈值模块接收开关信号以对阈值电压进行调整;/n当阈值电压大于电源电压时,开关模块输出断开信号,阈值电压升高;/n当阈值电压小于电源电压时,开关模块输出闭合信号,阈值电压降低。/n

【技术特征摘要】
1.一种欠压保护电路,其特征在于,所述欠压保护电路包括电源电压、与电源电压相连接的阈值模块及与阈值模块相连接的开关模块;所述阈值模块输出阈值电压,所述开关模块接收阈值电压并输出开关信号,所述开关信号包括断开信号和闭合信号,所述阈值模块接收开关信号以对阈值电压进行调整;
当阈值电压大于电源电压时,开关模块输出断开信号,阈值电压升高;
当阈值电压小于电源电压时,开关模块输出闭合信号,阈值电压降低。


2.根据权利要求1所述的欠压保护电路,其特征在于,所述阈值模块包括第一三极管和第二三极管,所述第一三极管和第二三极管的基极互相连接、发射极均接地,所述第一三极管的基极和集电极相互连接;所述阈值模块还包括第一可调电阻模块和第二可调电阻模块,第一三极管的集电极通过第一可调电阻模块接入电源电压,第二三极管的集电极通过第二可调电阻模块接入电源电压。


3.根据权利要求2所述的欠压保护电路,其特征在于,所述第一可调电阻模块包括串联的第一电阻和第三电阻及并联于第一电阻上的第一开关,所述第二可调电阻模块包括串联的第二电阻和第四电阻及并联于第二电阻上第二开关;所述开关模块输出断开信号时,第一开关和第二开关断开,所述开关模块输出闭合信号时,第一开关和第二开关闭合。


4.根据权利要求3所述的欠压保护电路,其特征在于,所述第一电阻和第二电阻的阻值相等,第三电阻和第四电阻的阻值相等。


5.根据权利要求3所述的欠压保护电路,其特征在于,所...

【专利技术属性】
技术研发人员:龚晓寒盛云
申请(专利权)人:苏州纳芯微电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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