【技术实现步骤摘要】
一种ICP等离子体刻蚀用清洗机构
本专利技术涉及ICP等离子体刻蚀
，具体为一种ICP等离子体刻蚀用清洗机构。
技术介绍
等离子刻蚀机，又叫等离子蚀刻机、等离子平面刻蚀机、等离子体刻蚀机、等离子表面处理仪、等离子清洗系统等，等离子刻蚀，是干法刻蚀中最常见的一种形式，其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体，由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体，从而形成了等离子或离子，电离气体原子通过电场加速时，会释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合材料或蚀刻表面，某种程度来讲，等离子清洗实质上是等离子体刻蚀的一种较轻微的情况，进行干式蚀刻工艺的设备包括反应室、电源、真空部分。使用刻蚀机对硅片进行刻蚀加工的过程中，若硅片表面存在异物，在刻蚀时会出现刻蚀位置发生偏移，现有的对硅片的清洗方式，大多通过人工对硅片表面进行简单的擦拭，此种清洗的方式，清洗效果较差，人工对硅片表面进行擦拭存在较大的遗漏风险，且人工擦拭效率低，费时费力，基于此，本专利技术提供了一种ICP等离子体刻蚀用清洗机构，用以解决上述问题。专利技术内...
【技术保护点】
1.一种ICP等离子体刻蚀用清洗机构，包括上料箱(1)，其特征在于：所述上料箱(1)的内腔设置有送料机构(2)，所述上料箱(1)左侧的内腔设置有导料机构一(3)，所述送料机构(2)包括开设在上料箱(1)内腔前侧和后侧的两个导向滑槽(21)，所述导向滑槽(21)的内腔滑动连接有滑动推块(22)，所述滑动推块(22)顶部的右侧固定连接有推条(23)，所述滑动推块(22)左侧的底部焊接有两个拉簧(24)，所述拉簧(24)的左端与上料箱(1)的内壁相焊接，所述上料箱(1)的内腔设置有送料转动柱(25)，所述送料转动柱(25)的后端通过轴承与上料箱(1)转动连接，所述送料转动柱(25...
【技术特征摘要】
1.一种ICP等离子体刻蚀用清洗机构，包括上料箱(1)，其特征在于：所述上料箱(1)的内腔设置有送料机构(2)，所述上料箱(1)左侧的内腔设置有导料机构一(3)，所述送料机构(2)包括开设在上料箱(1)内腔前侧和后侧的两个导向滑槽(21)，所述导向滑槽(21)的内腔滑动连接有滑动推块(22)，所述滑动推块(22)顶部的右侧固定连接有推条(23)，所述滑动推块(22)左侧的底部焊接有两个拉簧(24)，所述拉簧(24)的左端与上料箱(1)的内壁相焊接，所述上料箱(1)的内腔设置有送料转动柱(25)，所述送料转动柱(25)的后端通过轴承与上料箱(1)转动连接，所述送料转动柱(25)的前端贯穿至上料箱(1)的前侧并固定连接有受力皮带盘一(28)，所述送料转动柱(25)的表面固定连接有半圆转盘(26)，所述滑动推块(22)的内腔转动连接有滚轮(27)，所述半圆转盘(26)的表面与滚轮(27)滚动连接，所述上料箱(1)内腔的左侧开设有出料通孔(29)，所述上料箱(1)的左侧固定连接有清洗箱(11)，所述清洗箱(11)的内腔设置有传料机构(4)，所述清洗箱(11)的顶部和内腔的底部均固定连接有清洗喷头(5)，所述清洗箱(11)的左侧固定连接有擦拭箱(6)，所述擦拭箱(6)内腔的右侧设置有导料机构二(9)，所述擦拭箱(6)内腔的左侧设置有擦拭机构(7)，所述擦拭机构(7)包括滑动连接在擦拭箱(6)内腔左侧的压板(72)，所述擦拭箱(6)内腔的前侧和后侧均开设有供压板(72)滑动的限位通孔(71)，所述压板(72)的底部固定连接有清洁棉一(73)，所述擦拭箱(6)内腔底部的左侧固定连接有清洁棉二(74)，所述压板(72)顶部的前侧和后侧均焊接有弹簧二(75)，所述弹簧二(75)的顶端与限位通孔(71)内腔的顶部相焊接。
2.根据权利要求1所述的一种ICP等离子体刻蚀用清洗机构，其特征在于：所述传料机构(4)包括位于清洗箱(11)内腔的四个传料转动柱(41)和四个辅助传料柱(42)，所述传料转动柱(41)的前端贯穿至清洗箱(11)的前侧并固定连接有传料皮带盘(43)，所述传料转动柱(41)的后端通过轴承与清洗箱(...
【专利技术属性】
技术研发人员：王作义，吕晓东，
申请(专利权)人：上海广奕电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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