一种新型侧向pn结光电探测器制造技术

一种新型侧向pn结光电探测器，涉及光电探测器领域。新型侧向pn结光电探测器的p型slab区和n型slab区的导通长度之比为1：2.7900～2.8400。其结构简单，能够有效改善运行过程中的响应度，提高运行带宽，而且还能够提升运行过程中的稳定性和精确度，对于提升系统整体的运转效率、运转效能具有积极意义。

【技术实现步骤摘要】
一种新型侧向pn结光电探测器
本专利技术涉及光电探测器领域，具体而言，涉及一种新型侧向pn结光电探测器。
技术介绍
现有的光电探测器普遍存在响应度不足、带宽利用不充分的问题，这对整个系统的高效运转形成了一定的限制，对于提升元器件运转效能来说非常不利。有鉴于此，特提出本申请。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种新型侧向pn结光电探测器，其结构简单，能够有效改善运行过程中的响应度，提高运行带宽，而且还能够提升运行过程中的稳定性和精确度，对于提升系统整体的运转效率、运转效能具有积极意义。本专利技术的实施例是这样实现的：一种新型侧向pn结光电探测器，新型侧向pn结光电探测器的p型slab区和n型slab区的导通长度之比为1：2.7900～2.8400。进一步地，新型侧向pn结光电探测器的p型slab区和n型slab区的导通长度之比为1：2.8125。进一步地，新型侧向pn结光电探测器的第一电极同p型slab区导通连接，新型侧向pn结光电探测器的第二电极同n型slab区导通连接。新型侧向pn结光电探测器的I-Si区设于p型slab区和n型slab区之间。新型侧向pn结光电探测器的I-Ge区覆盖于I-Si区，且I-Ge区的两侧分别延伸至p型slab区和n型slab区。进一步地，I-Ge区与p型slab区的贴合部为第一贴合区，I-Ge区与n型slab区的贴合部为第二贴合区。第一电极与p型slab区的贴合部为第三贴合区，第二电极与n型slab区的贴合部为第四贴合区。沿由第一电极指向第二电极的方向，p型slab区的导通长度为第一贴合区的中心位置与第三贴合区的中心位置之间的距离。n型slab区的导通长度为第二贴合区的中心位置与第四贴合区的中心位置之间的距离。进一步地，I-Ge区与p型slab区的贴合部为第一贴合区，I-Ge区与n型slab区的贴合部为第二贴合区。第一贴合区和第二贴合区二者面积相等。进一步地，I-Ge区与p型slab区的贴合部为第一贴合区，I-Ge区与n型slab区的贴合部为第二贴合区。沿由第一电极指向第二电极的方向，第一贴合区和第二贴合区二者的长度相等。进一步地，I-Ge区与p型slab区的贴合部为第一贴合区，I-Ge区与n型slab区的贴合部为第二贴合区。第一贴合区和第二贴合区均呈矩形。进一步地，第一电极垂直于p型slab区设置，第二电极垂直于n型slab区设置。进一步地，第一电极远离p型slab区的一端朝远离第二电极的一侧延伸，第二电极远离n型slab区的一端朝远离第一电极的一侧延伸。本专利技术实施例的有益效果是：本申请的专利技术人研究发现：p型slab区的主要载流子为空穴，n型slab区的主要载流子为电子，电子和空穴具有不同的迁移速率。以在硅中为例，电子的迁移率约为1350cm2/(vs)，而空穴的迁移率约为480cm2/(vs)，结合材料均质性以及平均迁移能力，综合评估之下，电子的实际运动迁移速率约为空穴的实际运动迁移速率的1：2.7900～2.8400倍，因此，载流子的传输时间往往是由空穴的载流子传输时间所决定的。因此，将本专利技术实施例提供的新型侧向pn结光电探测器的p型slab区和n型slab区的导通长度之比设置为1：2.7900～2.8400，在相同工作时间内，可以使等量的电子和空穴同时输入到两侧的电极(即：第一电极和第二电极)，使电子和空穴的迁移更加匹配，这大大提高了运行过程中的稳定性和精确度，消除了载流子量差所可能带来的误差，使p型slab区和n型slab区的载流子迁移速率的不同不会对器件的性能产生影响，使运行效能更高，对于提升系统整体的运转效率、运转效能具有积极意义。此外，在整体尺寸不变的情况下，新型侧向pn结光电探测器的p型slab区的长度更小，能够提高器件的带宽，而新型侧向pn结光电探测器的n型slab区的长度更大，可以减少第二电极对光信号的吸收，在此范围内增加n型slab区的长度可以在不影响器件带宽的基础之上减小电极对光信号的吸收。通过上述结构设计，在将效能调配至更佳的状态的基础上，同时还平衡了p型slab区和n型slab区的综合带宽，使p型slab区和n型slab区的插损和带宽折中至最优。总体而言，本专利技术实施例提供的新型侧向pn结光电探测器结构简单，能够有效改善运行过程中的响应度，提高运行带宽，而且还能够提升运行过程中的稳定性和精确度，对于提升系统整体的运转效率、运转效能具有积极意义。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1为本专利技术实施例提供的新型侧向pn结光电探测器的结构示意图；图2为图1中新型侧向pn结光电探测器的载流子的迁移通道的示意图；图3为图1中新型侧向pn结光电探测器的第一贴合区和第二贴合区的示意图。图标：新型侧向pn结光电探测器1000；p型slab区100；n型slab区200；第一电极300；第二电极400；第一贴合区500；第二贴合区600；第三贴合区700；第四贴合区800。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本专利技术的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。实施例请参照图1～2，本实施例提供一种新型侧向pn结光电探测器1000，新型侧向pn结光电探测器1000的p型slab区100和n型slab区200的导通长度之比为1：2.7900～2.8400，如图所示，即p型slab区100的导通长度a和n型slab区200的导通长度b的比值为1：2.7900～2.8400。本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型侧向pn结光电探测器，其特征在于，所述新型侧向pn结光电探测器的p型slab区和n型slab区的导通长度之比为1：2.7900～2.8400。/n

【技术特征摘要】
1.一种新型侧向pn结光电探测器，其特征在于，所述新型侧向pn结光电探测器的p型slab区和n型slab区的导通长度之比为1：2.7900～2.8400。


2.根据权利要求1所述的新型侧向pn结光电探测器，其特征在于，所述新型侧向pn结光电探测器的p型slab区和n型slab区的导通长度之比为1：2.8125。


3.根据权利要求1所述的新型侧向pn结光电探测器，其特征在于，所述新型侧向pn结光电探测器的第一电极同所述p型slab区导通连接，所述新型侧向pn结光电探测器的第二电极同所述n型slab区导通连接；所述新型侧向pn结光电探测器的I-Si区设于所述p型slab区和所述n型slab区之间；所述新型侧向pn结光电探测器的I-Ge区覆盖于所述I-Si区，且所述I-Ge区的两侧分别延伸至所述p型slab区和所述n型slab区。


4.根据权利要求3所述的新型侧向pn结光电探测器，其特征在于，所述I-Ge区与所述p型slab区的贴合部为第一贴合区，所述I-Ge区与所述n型slab区的贴合部为第二贴合区；所述第一电极与所述p型slab区的贴合部为第三贴合区，所述第二电极与所述n型slab区的贴合部为第四贴合区；沿由所述第一电极指向所述第二电极的方向，所述p型slab区的导通长度为所述第一贴合区的中心位置与所述第三贴合区的中心位置之间的距离；所述n型slab区...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔积适，王娟，崔文静，陈洪敏，
申请(专利权)人：三明学院，
类型：发明
国别省市：福建;35