一种光电器件及其制备方法、光电探测器技术

本申请公开了一种光电器件及其制备方法、光电探测器，用以降低感光层反射，提高感光层光吸收效率。本申请实施例提供的一种光电器件，所述光电器件包括：位于衬底上的感光层，分别与所述感光层接触的第一电极和第二电极；在所述第一电极和/或所述第二电极的图案未覆盖的区域，所述感光层具有多个凹槽。

【技术实现步骤摘要】
一种光电器件及其制备方法、光电探测器
本申请涉及光电器件
，尤其涉及一种光电器件及其制备方法、光电探测器。
技术介绍
光电探测器技术已经被进行了广泛深入的研究。目前，光电探测器包括感光层，感光层为完整的平面结构，但是平面结构的感光层会造成30％的光反射。综上，现有技术光电探测器中感光层的反射率高，影响感光层光吸收效率，影响光电探测器的效率以及检测准确度。
技术实现思路
本申请实施例提供了一种光电器件及其制备方法、光电探测器，用以降低感光层反射，提高感光层光吸收效率。本申请实施例提供的一种光电器件，所述光电器件包括：位于衬底上的感光层，分别与所述感光层接触的第一电极和第二电极；在所述第一电极和/或所述第二电极的图案未覆盖的区域，所述感光层具有多个凹槽。本申请实施例提供的光电器件，感光层入光侧具有多个凹槽，即感光层的感光表面具有立体结构，从而入射光可以在凹槽的侧壁和底部发生多次反射以及折射，从而可以减少光反射率，增加感光层的光吸收效率，进而可以提高光电器件的光电探测效率以及可靠性。可选地，在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电器件，其特征在于，所述光电器件包括：位于衬底上的感光层，分别与所述感光层接触的第一电极和第二电极；在所述第一电极和/或所述第二电极的图案未覆盖的区域，所述感光层具有多个凹槽。/n

【技术特征摘要】
1.一种光电器件，其特征在于，所述光电器件包括：位于衬底上的感光层，分别与所述感光层接触的第一电极和第二电极；在所述第一电极和/或所述第二电极的图案未覆盖的区域，所述感光层具有多个凹槽。


2.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，在所述衬底上，所述第一电极、所述感光层和所述第二电极依次层叠设置；且所述感光层具有的凹槽与所述第二电极的图案在所述衬底上的正投影互不重叠。


3.根据权利要求2所述的光电器件，其特征在于，所述第一电极包括：在衬底上阵列排布的第一子电极，第一子电极的图案为具有第一开口区的口字形；
所述第二电极的图案为具有多个第二开口区的网格形；
所述第一开口区和所述第二开口区一一对应；
所述感光层具有的凹槽在所述衬底上的正投影，落入所述第一开口区以及所述第二开口区的正投影范围内。


4.根据权利要求3所述的光电器件，其特征在于，一个所述第一开口区的正投影覆盖至少一个所述凹槽。


5.根据权利要求2所述的光电器件，其特征在于，所述感光层包括：半导体感光层，以及位于所述半导体感光层和所述第二电极之间的势垒增强层。


6.根据权利要求5所述的光电器件，其特征在于，所述凹槽的深度等于所述半导体感光层的一半。


7.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：李凡，陈江博，梁魁，张硕，孟凡理，李达，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11