半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了半导体装置，能够使迁移电压增大而扩大SOA。在基板上配置有集电极层、基极层、发射极层，在发射极层的一部分的区域上配置有发射极台面层。在俯视时在与发射极台面层不重叠的区域配置有基极电极。基极电极向基极层流过基极电流。在俯视时，发射极台面层的边缘的一部分即第1边缘沿第1方向延伸，基极电极的边缘的一部分即第2边缘与第1边缘对置，发射极台面层的、位于第1方向的一个端部侧的末端部分的第1边缘与第2边缘的间隔比发射极台面层的中间部分的间隔大。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
作为构成移动体终端的功率放大器模块的有源元件，主要使用异质接合型双极晶体管(HBT)(专利文献1)。作为该HBT所要求的期望特性，有高效率、高增益、高输出以及高耐压等诸项。在最近受关注的嵌入式跟踪系统中，需要在较高的集电极电压下进行动作的HBT。为了实现HBT的高电压动作，需要扩大安全动作区域(SOA：SafeOpeartingArea)。专利文献1：日本特开2005-101402号公报在表示集电极电流-集电极电压特性(Ic-Vce特性)的图表中，若增高HBT的集电极电压，则SOA的范围内与范围外的分界线(SOA线)逐渐降低。根据本申请的专利技术者们的评价实验，判明了在某集电极电压下出现了SOA线不连续地降低的现象。在本说明书中，将SOA线不连续地降低时的集电极电压称为“迁移电压”。另外，关于SOA线不连续地降低的特性，后面参照图12而进行说明。若使动作电压与迁移电压相同程度或者比迁移电压高，则在HBT的动作中产生了负荷的变动的情况下，实质的动作范围大幅偏离SOA的范围的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，/n所述半导体装置具备：集电极层、基极层、发射极层，被配置在基板上；以及配置在所述发射极层的一部分区域上的发射极台面层，按照所述集电极层、所述基极层以及所述发射极层的顺序层叠所述集电极层、所述基极层以及所述发射极层，/n还具有基极电极，该基极电极在俯视时配置在不与所述发射极台面层重叠的区域，向所述基极层流过基极电流，/n在俯视时，所述发射极台面层具有在第1方向上长的第1边缘，/n在俯视时，所述基极电极具有在所述第1方向上长的第2边缘，/n所述基极电极的所述第2边缘与所述发射极台面层的所述第1边缘对置，在所述发射极台面层的位于所述第1方向的一个端部侧的末端部分，所述发射极台面...

【技术特征摘要】
20190306 JP 2019-040690;20191017 JP 2019-1904411.一种半导体装置，
所述半导体装置具备：集电极层、基极层、发射极层，被配置在基板上；以及配置在所述发射极层的一部分区域上的发射极台面层，按照所述集电极层、所述基极层以及所述发射极层的顺序层叠所述集电极层、所述基极层以及所述发射极层，
还具有基极电极，该基极电极在俯视时配置在不与所述发射极台面层重叠的区域，向所述基极层流过基极电流，
在俯视时，所述发射极台面层具有在第1方向上长的第1边缘，
在俯视时，所述基极电极具有在所述第1方向上长的第2边缘，
所述基极电极的所述第2边缘与所述发射极台面层的所述第1边缘对置，在所述发射极台面层的位于所述第1方向的一个端部侧的末端部分，所述发射极台面层的所述第1边缘与所述第2边缘的间隔比在所述发射极台面层的所述第1方向的中间部分处的所述第1边缘与所述第2边缘的间隔大。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述半导体装置还具有配置在比所述基极电极靠上层的基极布线，
所述基极电极包括：基极电极焊盘部、以及从所述基极电极焊盘部在所述第1方向延伸的基极电极主部，所述基极电极焊盘部从所述发射极台面层的所述第1方向的一个端部在所述第1方向拉开间隔地配置，所述基极电极焊盘部与所述基极布线连接，
在所述发射极台面层的距所述基极电极焊盘部近的末端部分，所述发射极台面层的所述第1边缘与所述第2边缘的间隔比在所述第1方向的中间部分处的所述第1边缘与所述第2边缘的间隔大。


3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
在所述发射极台面层的距所述基极电极焊盘部远的末端部分，所述发射极台面层的所述第1边缘与所述第2边缘的间隔比在所述第1方向的中间部分处的所述第1边缘与所述第2边缘的间隔大。


4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其中，
所述第2边缘与所述第1方向平行，所述发射极台面层的距所述基极电极焊盘部近的末端部分，所述发射极台面层的所述第1边缘配置在比所述第1方向的中间部分的所述第1边缘的位置更向远离所述第2边缘的方向后退的位置。

【专利技术属性】
技术研发人员：梅本康成，大部功，井手野馨，小屋茂树，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP