一种基区环掺杂抗辐射横向PNP晶体管及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基区环掺杂抗辐射横向PNP晶体管及制备方法，在通过传统形成横向PNP晶体管结构之后，通过光刻胶掩蔽注入的方法在横向PNP晶体管N型基区表面进行一次N型杂质注入，在N型基区表面形成一个环形的N+掺杂区，将横向PNP晶体管的基区宽度W

A base ring doped radiation resistant transverse PNP transistor and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种基区环掺杂抗辐射横向PNP晶体管及制备方法
本专利技术属于PNP晶体管
，具体涉及一种基区环掺杂抗辐射横向PNP晶体管及制备方法。
技术介绍
横向PNP晶体管是双极集成电路中经常使用的一种晶体管结构，传统双极集成电路生产中，采用扩散工艺或离子注入工艺进行横向PNP晶体管集电区和发射区的P型杂质掺杂，即在N型外延层上进行选择性的P型杂质掺杂形成横向PNP晶体管的P型集电区和P型发射区，外延层作为横向PNP晶体管的N型基区，通过引线最终实现横向的PNP晶体管结构，在晶体管的表面会覆盖一层二氧化硅层，作为金属引线与晶体管掺杂区之间的绝缘层，以避免晶体管不同掺杂区之间通过金属连线产生短路。横向PNP晶体管抗总剂量辐射能力较差：总剂量辐射会导致晶体管表面覆盖的二氧化硅层中诱生正电荷并积累，使晶体管表面感应负电荷，造成横向PNP晶体管P型集电区/发射区表面耗尽/反型，并将注入基区的空穴推向衬底，空穴扩散距离增加，PNP晶体管基区宽度WB增加，输运系数αT下降，β下降。
技术实现思路
本专利技术针对总剂量辐射对横向PNP本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基区环掺杂抗辐射横向PNP晶体管，其特征在于，包括N型外延层(1)，N型外延层(1)上部同心设置有P型集电区(21)和P型发射区(22)，P型集电区(21)和P型发射区(22)的深度相同，P型集电区(21)和P型发射区(22)之间设置有N型基区环(5)，N型基区环(5)掺杂杂质为磷。/n

【技术特征摘要】
1.一种基区环掺杂抗辐射横向PNP晶体管，其特征在于，包括N型外延层(1)，N型外延层(1)上部同心设置有P型集电区(21)和P型发射区(22)，P型集电区(21)和P型发射区(22)的深度相同，P型集电区(21)和P型发射区(22)之间设置有N型基区环(5)，N型基区环(5)掺杂杂质为磷。


2.根据权利要求1所述的一种基区环掺杂抗辐射横向PNP晶体管，其特征在于，所述N型基区环(5)的结深为P型集电区(21)结深的10％～30％。


3.根据权利要求1所述的一种基区环掺杂抗辐射横向PNP晶体管，其特征在于，所述N型基区环(5)的宽度为横向PNP晶体管基区宽度的30％～80％。


4.根据权利要求1所述的一种基区环掺杂抗辐射横向PNP晶体管，其特征在于，所述N型基区环(5)与P型集电区(21)之间的距离d1和N型基区环(5)与P型发射区(22)之间的距离d...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵杰，薛东风，薛智民，孙有民，王清波，卓青青，杜欣荣，
申请(专利权)人：西安微电子技术研究所，
类型：发明
国别省市：陕西;61