温度控制方法及系统技术方案

本发明专利技术提供一种温度控制方法及系统、半导体设备，该温度控制方法用于控制腔室的温度变化，方法包括：建立模型的步骤：控制腔室加热装置以向所述腔室输出不同测试功率值，获取与各个所述测试功率值所对应的所述腔室的实际温度值，根据所述实际温度值与所述测试功率值之间的关系建立模型，所述模型用于表示腔室温度与加热功率之间的关系；基于所述模型计算得到全局参数表，所述全局参数表用于表示腔室温度值与加热功率值的对应关系；根据所述全局参数表控制腔室加热装置输出的加热功率值，以控制腔室的温度变化。通过本发明专利技术，灵活、准确地控制了腔室温度。

【技术实现步骤摘要】
温度控制方法及系统
本专利技术涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种温度控制方法及系统。
技术介绍
目前，温度控制系统对PVD(PhysicalVaporDeposition，物理气相沉积)工艺过程中薄膜沉积质量的一致性具有重要影响，腔室温度的波动性与不准确性势必会大大降低晶片的工艺结果。具体地，温度控制系统的框图如图1所示，图1中在腔室1’中各个加热器2’按区分组，同组内的加热器2’由同一个功率控制器进行控制。温度测量采用接触式热电偶测量方法，热电偶3’测量温度并将测量结果发送给温度控制器，温度控制器生成控制信号并发送给功率控制器，功率控制器根据控制信号调节各区加热器2’的加热功率输出，使测量点温度稳定在工艺温度，图1中主机向温度控制器输出温度设定值，温度控制器将设定温度和实测温度的进行比较，生成控制信号以控制功率控制器，从而控制了腔室1’内的温度环境。采用这种控制策略，在加热过程中控温的准确性主要依赖于温度控制器的性能。因此，现有技术的温度控制系统具有以下缺点：1.目前温度控制器内的控制环节绝大多数采用PID(Prop本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种温度控制方法，用于控制腔室的温度变化，其特征在于，所述方法包括：建立模型的步骤：控制腔室加热装置以向所述腔室输出不同测试功率值，获取与各个所述测试功率值所对应的所述腔室的实际温度值，根据所述实际温度值与所述测试功率值之间的关系建立模型，所述模型用于表示腔室温度与加热功率之间的关系；/n基于所述模型计算得到全局参数表，所述全局参数表用于表示腔室温度值与加热功率值的对应关系；/n根据所述全局参数表控制所述腔室加热装置输出的加热功率值，以控制所述腔室的温度变化。/n

【技术特征摘要】
1.一种温度控制方法，用于控制腔室的温度变化，其特征在于，所述方法包括：建立模型的步骤：控制腔室加热装置以向所述腔室输出不同测试功率值，获取与各个所述测试功率值所对应的所述腔室的实际温度值，根据所述实际温度值与所述测试功率值之间的关系建立模型，所述模型用于表示腔室温度与加热功率之间的关系；
基于所述模型计算得到全局参数表，所述全局参数表用于表示腔室温度值与加热功率值的对应关系；
根据所述全局参数表控制所述腔室加热装置输出的加热功率值，以控制所述腔室的温度变化。


2.根据权利要求1所述的温度控制方法，其特征在于，所述建立模型的步骤进一步包括：
建立腔室温度与加热功率的关系式；
按预设规则控制所述腔室加热装置输出不同的测试功率值，直至腔室的实际温度值达到预设温度值，并在加热过程中检测与各个所述测试功率值相对应的实际温度值；
基于所述测试功率值以及所述实际温度值进行线性拟合，以获得所述关系式的系数，从而使所述关系式转换为函数关系式。


3.根据权利要求2所述的温度控制方法，其特征在于，所述预设规则包括：
自定义功率函数，所述功率函数用于表示加热时间与所述测试功率值的对应关系；
其中，所述加热时间与所述测试功率值呈正比例关系。


4.根据权利要求3所述的温度控制方法，其特征在于，所述功率函数为分段函数；所述分段函数包括按预设时长划分的不同区间，每个区间对应的所述述测试功率值按表示时间和功率的线性函数关系变化。


5.根据权利要求4所述的温度控制方法，其特征在于，同一区间对应的所述测试功率值固定不变，且各个相邻的两个区间对应的所述测试功率值的差值是所述腔室加热装置的满功率的百分之n，n大于0且小于100。


6.根据权利要求4所述的温度控制方法，其特征在于，所述分段函数的公式为：



其中，y表示所述测试功率值，t表示加热时间，a’、b’、c’...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁彦，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11