液晶高分子之金属化方法技术

本发明专利技术系揭露一种液晶高分子之金属化方法，首先，对液晶高分子材料进行硷处理，以清洁与粗化液晶高分子材料之表面。接着，对液晶高分子材料进行活化处理，以利用一活化剂提供金属离子附着于液晶高分子材料之表面，并对此表面进行改质。再来，对液晶高分子材料进行还原处理，以还原金属离子为金属触媒。最后，配合金属触媒之催化活性，以化镀法形成一镍层或一镍合金层，以供一电镀铜层形成于镍层或镍合金层上。本发明专利技术不需额外使用物理方式处理液晶高分子材料之表面，而直接以湿制程进行处理，以利用镍提升铜箔之剥离强度。

【技术实现步骤摘要】
液晶高分子之金属化方法
本专利技术系关于一种金属化方法，且特别关于一种液晶高分子之金属化方法。
技术介绍
液晶高分子(LCP)材料，具有耐酸硷与耐高温之特性，与聚亚酰胺(PI)比较，则有较低的吸水性、介电常数与热膨胀系数，因此液晶高分子薄膜成为主要高速传输用之软板基材之一。传统LCP软板是以铜箔高温压合方式制作，压合温度接近LCP熔融温度，对生产良率不易掌握。在中国台湾专利I607866中，揭露在液晶高分子基板上进行金属化流程，其中液晶高分子材料需要经过多一道处理，即在表面形成含量0.01％以上C＝O官能基，然后经过前处理、化镀铜及电镀铜流程完成金属化，制程所需时间较长，成本较高。此外，高分子与金属介面藉由高温环境产生的扩散作用增加两者间的附着力，化镀铜在高温环境下容易氧化形成氧化铜层，随氧化铜层厚度增加则附着力下降，容易有铜箔与基材分离情形，在线路制作流程中造成线路剥离或无法形成线路。在台湾专利I563886中，揭露以树脂中添加触发粒子作为绝缘材料，以雷射方式活化孔内触发粒子，后续才可于孔内上镀金属层，因为需要添加触发粒子，所以此制程同样所需时间较长，成本较高。另一传统方式为溅镀法，先在基材上溅镀一导电层后，再以电镀方式制作铜箔。如图1所示，此溅镀方式，可利用溅镀靶材10在液晶高分子材料12形成导电层，然而在溅射原子多方向及多角度散射的影响下，在液晶高分子材料12之非水平表面下不易形成均匀且连续的导电层，在微小盲孔14或通孔甚至形成封孔情形。由于液晶高分子材料主要用于软性电路板制作，盲孔或通孔为线路制作之必要结构，主要功能在于双面或双层电路之导通，封孔造成孔内导电层不均匀或无法导电，后续电镀铜将无法上镀。因此，本专利技术系在针对上述的困扰，提出一种液晶高分子之金属化方法，以解决习知所产生的问题。
技术实现思路
本专利技术的主要目的，在于提供一种液晶高分子之金属化方法，其系不需额外使用物理方式处理液晶高分子材料之表面，而直接以湿制程进行处理，以利用具有优秀抗氧化性之化镀镍提升铜箔之剥离强度，提供电镀铜形成所需之厚度，同时缩短制程并降低成本。此外，湿制程的等向特性，可同时在盲孔或通孔等非水平表面形成均匀之导电层。为达上述目的，本专利技术提供一种液晶高分子之金属化方法，首先，对液晶高分子材料进行硷处理，以清洁与粗化液晶高分子材料之表面。接着，对液晶高分子材料进行活化处理，以利用一活化剂提供金属离子附着于液晶高分子材料之表面，并对此表面进行改质。再来，对液晶高分子材料进行还原处理，以还原金属离子为金属触媒。最后，配合金属触媒之催化活性，以化镀法形成一镍层或一镍合金层，以供一电镀铜层形成于镍层或镍合金层上。在本专利技术之一实施例中，硷处理为将液晶高分子材料浸泡于浓度为50～500克/升(g/L)之一硷处理剂中1～30分钟，且硷处理剂之温度为摄氏40～80度。在本专利技术之一实施例中，硷处理剂包含氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化锂与氢氧化钙之至少其中之一者。在本专利技术之一实施例中，活化处理为将液晶高分子材料浸泡于活化剂中1～10分钟，且活化剂之温度为摄氏20～70度，活化剂之浓度为0.01～5克/升(g/L)。在本专利技术之一实施例中，金属离子为钯离子，活化剂包含氯化钯、二氯二氨钯、二氯四氨钯、硫酸钯或二氨亚硝酸钯。在本专利技术之一实施例中，还原处理为将液晶高分子材料浸泡于浓度为2～100克/升(g/L)之一还原剂中1～10分钟，且还原剂之温度为摄氏20～70度。在本专利技术之一实施例中，还原剂包含次亚磷酸钠、次磷酸二氢钠、甲醛、硼氢化钠、二甲胺硼烷、联氨、葡萄糖与抗坏血酸之至少其中之一者。在本专利技术之一实施例中，化镀法为将液晶高分子材料浸泡于一化镀液中1～5分钟，且化镀液之温度为摄氏30～70度。在本专利技术之一实施例中，化镀液包含0.5～5重量百分比之水溶性镍盐、1～10重量百分比之蛰合剂、0.5～5重量百分比之还原剂、0.00001～0.01重量百分比之安定剂、0.005～0.1重量百分比之添加剂、3～10重量百分比之酸硷调整剂与其余重量百分比之水。在本专利技术之一实施例中，在形成镍层或镍合金层之步骤后，对镍层或镍合金层进行烘烤处理，以供电镀铜层形成于镍层或镍合金层上。兹为使贵审查委员对本专利技术的结构特征及所达成的功效更有进一步的了解与认识，谨佐以较佳的实施例图及配合详细的说明，说明如后：附图说明图1为先前技术之溅镀靶材在液晶高分子材料之非水平表面形成导电层之示意图。图2为本专利技术之液晶高分子之金属化方法之流程图。图3为本专利技术之液晶高分子材料、镍镀层与电镀铜层之结构剖视图。附图标号说明：10溅镀靶材12液晶高分子材料14盲孔16液晶高分子材料18镍层20电镀铜层具体实施方式本专利技术之实施例将藉由下文配合相关图式进一步加以解说。尽可能的，于图式与说明书中，相同标号系代表相同或相似构件。于图式中，基于简化与方便标示，形状与厚度可能经过夸大表示。可以理解的是，未特别显示于图式中或描述于说明书中之元件，为所属
中具有通常技术者所知之形态。本领域之通常技术者可依据本专利技术之内容而进行多种之改变与修改。以下请参阅图2与图3，以介绍本专利技术之液晶高分子之金属化方法，首先，如步骤S10所示，对液晶高分子材料16进行硷处理，以清洁与粗化液晶高分子材料16之表面，进而增加触媒的吸附量与金属间的附着力。具体而言，硷处理为将液晶高分子材料16浸泡于浓度为50～500克/升(g/L)之一硷处理剂中1～30分钟，且硷处理剂之温度为摄氏40～80度。硷处理剂包含氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化锂与氢氧化钙之至少其中之一者。接着，如步骤S12所示，对液晶高分子材料16进行活化处理，以利用一活化剂提供金属离子附着于液晶高分子材料16之表面，并对此液晶高分子材料16之表面进行改质。具体而言，活化处理为将液晶高分子材料16浸泡于活化剂中1～10分钟，且活化剂之温度为摄氏20～70度，活化剂之浓度为0.01～5克/升(g/L)。金属离子为钯离子，活化剂包含氯化钯、二氯二氨钯、二氯四氨钯、硫酸钯或二氨亚硝酸钯。再来，如步骤S14所示，对液晶高分子材料16进行还原处理，以还原金属离子为金属触媒，即钯金属。具体而言，还原处理为将液晶高分子材料16浸泡于浓度为2～100克/升(g/L)之一还原剂中1～10分钟，且还原剂之温度为摄氏20～70度。还原剂包含次亚磷酸钠、次磷酸二氢钠、甲醛、硼氢化钠、二甲胺硼烷、联氨、葡萄糖与抗坏血酸之至少其中之一者。步骤S14后，进行步骤S16。在步骤S16中，配合金属触媒之催化活性，以化镀法形成一镍层18或一镍合金层。在此实施例中，系以镍层18为例。具体而言，化镀法为将液晶高分子材料16浸泡于一化镀液中1～5分钟，且化镀液之温度为摄氏30～70度。化镀液包含0.5～5重量百分比之水溶性镍盐、1～10重量百分比之蛰合剂、0.5～5重量百分比之还原剂、0.00001～0.01重量本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种液晶高分子之金属化方法，包含：/n对液晶高分子材料进行硷处理，以清洁与粗化该液晶高分子材料之表面；/n对该液晶高分子材料进行活化处理，以利用一活化剂提供金属离子附着于该液晶高分子材料之该表面，并对该表面进行改质；/n对该液晶高分子材料进行还原处理，以还原该金属离子为金属触媒；以及/n配合该金属触媒之催化活性，以化镀法形成一镍层或一镍合金层，以供一电镀铜层形成于该镍层或该镍合金层上。/n

【技术特征摘要】
1.一种液晶高分子之金属化方法，包含：
对液晶高分子材料进行硷处理，以清洁与粗化该液晶高分子材料之表面；
对该液晶高分子材料进行活化处理，以利用一活化剂提供金属离子附着于该液晶高分子材料之该表面，并对该表面进行改质；
对该液晶高分子材料进行还原处理，以还原该金属离子为金属触媒；以及
配合该金属触媒之催化活性，以化镀法形成一镍层或一镍合金层，以供一电镀铜层形成于该镍层或该镍合金层上。


2.如权利要求1所述之液晶高分子之金属化方法，其中该硷处理为将该液晶高分子材料浸泡于浓度为50～500克/升(g/L)之一硷处理剂中1～30分钟，且该硷处理剂之温度为摄氏40～80度。


3.如权利要求2所述之液晶高分子之金属化方法，其中该硷处理剂包含氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化锂与氢氧化钙之至少其中之一者。


4.如权利要求1所述之液晶高分子之金属化方法，其中该活化处理为将该液晶高分子材料浸泡于该活化剂中1～10分钟，且该活化剂之温度为摄氏20～70度，该活化剂之浓度为0.01～5克/升(g/L)。


5.如权利要求4所述之液晶高分子之金属化方法，其中该金属离子为钯离子，该活化剂包含氯化钯、二...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄耀德，吴昌龙，郑景宏，
申请(专利权)人：台湾上村股份有限公司，上村工业株式会社，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71