液晶高分子之金属化方法技术

本发明专利技术系揭露一种液晶高分子之金属化方法，首先，对液晶高分子材料进行硷处理，以清洁与粗化液晶高分子材料之表面。接着，对液晶高分子材料进行活化处理，以利用一活化剂提供金属离子附着于液晶高分子材料之表面，并对此表面进行改质。再来，对液晶高分子材料进行还原处理，以还原金属离子为金属触媒。最后，配合金属触媒之催化活性，以化镀法形成一镍层或一镍合金层，以供一电镀铜层形成于镍层或镍合金层上。本发明专利技术不需额外使用物理方式处理液晶高分子材料之表面，而直接以湿制程进行处理，以利用镍提升铜箔之剥离强度。

【技术实现步骤摘要】
液晶高分子之金属化方法
本专利技术系关于一种金属化方法，且特别关于一种液晶高分子之金属化方法。
技术介绍
液晶高分子(LCP)材料，具有耐酸硷与耐高温之特性，与聚亚酰胺(PI)比较，则有较低的吸水性、介电常数与热膨胀系数，因此液晶高分子薄膜成为主要高速传输用之软板基材之一。传统LCP软板是以铜箔高温压合方式制作，压合温度接近LCP熔融温度，对生产良率不易掌握。在中国台湾专利I607866中，揭露在液晶高分子基板上进行金属化流程，其中液晶高分子材料需要经过多一道处理，即在表面形成含量0.01％以上C＝O官能基，然后经过前处理、化镀铜及电镀铜流程完成金属化，制程所需时间较长，成本较高。此外，高分子与金属介面藉由高温环境产生的扩散作用增加两者间的附着力，化镀铜在高温环境下容易氧化形成氧化铜层，随氧化铜层厚度增加则附着力下降，容易有铜箔与基材分离情形，在线路制作流程中造成线路剥离或无法形成线路。在台湾专利I563886中，揭露以树脂中添加触发粒子作为绝缘材料，以雷射方式活化孔内触发粒子，后续才可于孔内上镀金属层，因为需要添加触发粒子，所以此制程本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种液晶高分子之金属化方法，包含：/n对液晶高分子材料进行硷处理，以清洁与粗化该液晶高分子材料之表面；/n对该液晶高分子材料进行活化处理，以利用一活化剂提供金属离子附着于该液晶高分子材料之该表面，并对该表面进行改质；/n对该液晶高分子材料进行还原处理，以还原该金属离子为金属触媒；以及/n配合该金属触媒之催化活性，以化镀法形成一镍层或一镍合金层，以供一电镀铜层形成于该镍层或该镍合金层上。/n

【技术特征摘要】
1.一种液晶高分子之金属化方法，包含：
对液晶高分子材料进行硷处理，以清洁与粗化该液晶高分子材料之表面；
对该液晶高分子材料进行活化处理，以利用一活化剂提供金属离子附着于该液晶高分子材料之该表面，并对该表面进行改质；
对该液晶高分子材料进行还原处理，以还原该金属离子为金属触媒；以及
配合该金属触媒之催化活性，以化镀法形成一镍层或一镍合金层，以供一电镀铜层形成于该镍层或该镍合金层上。


2.如权利要求1所述之液晶高分子之金属化方法，其中该硷处理为将该液晶高分子材料浸泡于浓度为50～500克/升(g/L)之一硷处理剂中1～30分钟，且该硷处理剂之温度为摄氏40～80度。


3.如权利要求2所述之液晶高分子之金属化方法，其中该硷处理剂包含氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化锂与氢氧化钙之至少其中之一者。


4.如权利要求1所述之液晶高分子之金属化方法，其中该活化处理为将该液晶高分子材料浸泡于该活化剂中1～10分钟，且该活化剂之温度为摄氏20～70度，该活化剂之浓度为0.01～5克/升(g/L)。


5.如权利要求4所述之液晶高分子之金属化方法，其中该金属离子为钯离子，该活化剂包含氯化钯、二...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄耀德，吴昌龙，郑景宏，
申请(专利权)人：台湾上村股份有限公司，上村工业株式会社，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71