硅压力传感器制造技术

技术编号:2562811 阅读:190 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种硅压力传感器,包括硅压敏元件和差动式放大器,放大器输出端增设一输出耦合电阻;在硅压敏元件的外表面上或附近设置一热敏电阻,热敏电阻的温度系数与硅压敏元件的温度系数正好正负相反,热敏电阻与输出耦合电阻并联;能抵消硅压敏元件所受温度的影响,达到温度补偿的目的,提高传感器的测量精度;能满足大气气压的测量是高精度、低成本、一次性使用的要求,使硅压力传感器在大气探测中得到应用。(*该技术在2011年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术是一种硅压力传感器,特别是用于高空气象综合探测仪器上的硅压力传感器。硅压力传感器比起传统的真空膜盒气压传感器来有其很大的优点稳定性好、灵敏度高、滞后小,但其缺点也是致命的硅作为半导体材料其温度系数很大,以致于不做温度补偿就会因精度太低而几乎不能使用。一般的温度补偿方法是在硅压敏元件内部加入热敏电阻,其温度引起的阻值变化抵消温度引起的压力变化,使输出的电量为单纯的压力变化量。这种方法由于工艺复杂而成本很高,而高空气象综合探测仪器是一次性使用后再也不能回收的,因此,现有的硅压力传感器不适合用于高空气象综合探测仪器上。本技术的目的就是为了提供一种高精度低成本的硅压力传感器,既能达到气象探测等领域中压力测量的精度要求,又能使其成本较低而适合用于高空气象综合探测仪器上。本技术的技术方案是一种硅压力传感器,包括硅压敏元件和差动式放大器,其特征在于放大器输出端增设一输出耦合电阻;在硅压敏元件的外表面上或附近设置一热敏电阻,热敏电阻的温度系数与硅压敏元件的温度系数正好正负相反,热敏电阻与输出耦合电阻并联。下面结合本技术的实施例及其附图作进一步的说明。附图说明图1为本技术实施例的电原理图。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅压力传感器,包括硅压敏元件和差动式放大器,其特征在于:放大器输出端增设一输出耦合电阻;在硅压敏元件的外表面上或附近设置一热敏电阻,热敏电阻的温度系数与硅压敏元件的温度系数正好正负相反,热敏电阻与输出耦合电阻并联。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员:李吉明
申请(专利权)人:上海无线电二十三厂
类型:实用新型
国别省市:31[中国|上海]

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