半导体设备腔体内铝基材多孔分气装置超洁净清洗工艺制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种半导体设备腔体内铝基材多孔分气装置超洁净清洗工艺，属于半导体设备部件洁净清洗技术领域；包括使用圆盘式砂纸气动打磨机对待清洗装置部件进行初步打磨处理；将装置部件置于混酸溶液中进行去膜处理；装置部件使用高纯水进行漂洗；采用高压水射流清洗机，对装置部件进行高压水洗；将装置部件置于旋转打磨台中心并固定，进行精细打磨；把装置部件放入酸溶液a中浸泡一段时间后用纯水冲洗；将装置部件再放入酸溶液b中浸泡一段时间后用纯水冲洗；采用高压水射流清洗机对装置部件再次进行高压水洗；采用超声波进行清洗；采用压缩空气对装置部件进行吹干处理。该工艺能控制孔径变化在2μm内，去除了沉积膜污染物及各类腐蚀印记。

【技术实现步骤摘要】
半导体设备腔体内铝基材多孔分气装置超洁净清洗工艺
本专利技术涉及半导体设备部件洁净清洗
，具体涉及铝基材多孔分气装置清洗工艺。
技术介绍
半导体制程工艺中涉及各类气体、等离子体及腐蚀性化学物质等，其会因反应而在部件表面沉积形成污染膜，污染物的存在对部件参数性能等产生一定影响，进而可能导致部件损坏、良率下降等。因此，定期对部件进行洗净再生，以满足制程工艺参数、性能等要求，对于芯片制程工艺稳定性及生产成本等具有重要意义。但对于半导体设备腔体内多孔分气装置，过度清洗会导致孔径增大过快，缩短使用寿命，因此急需一种新的工艺来解决该问题。
技术实现思路
针对上述问题，本申请提供了一种半导体设备腔体内铝基材多孔分气装置超洁净清洗工艺，该工艺能控制孔径变化在2μm内，去除了沉积膜污染物及各类腐蚀印记，同时清洗过的铝基材多孔分气装置满足各项工程参数要求。为实现上述目的，本申请的技术方案为：半导体设备腔体内铝基材多孔分气装置超洁净清洗工艺，具体步骤如下：步骤一：使用圆盘式砂纸气动打磨机对待清洗装置部件进行初步打磨处理；目的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.半导体设备腔体内铝基材多孔分气装置超洁净清洗工艺，其特征在于，具体步骤如下：/n步骤一：使用圆盘式砂纸气动打磨机对待清洗装置部件进行初步打磨处理；/n步骤二：初步打磨处理后将装置部件置于混酸溶液中进行去膜处理，浸泡时间为30-40s；/n步骤三：浸酸后的装置部件使用高纯水进行漂洗；/n步骤四：漂洗后采用高压水射流清洗机，对装置部件进行高压水洗；/n步骤五：水洗后将装置部件置于旋转打磨台中心并固定，进行精细打磨；/n步骤六：打磨后把装置部件放入酸溶液a中浸泡一段时间后用纯水冲洗；/n步骤七：冲洗后将装置部件再放入酸溶液b中浸泡一段时间后用纯水冲洗；/n步骤八：冲洗后采用高压水射流清洗机对装置...

【技术特征摘要】
1.半导体设备腔体内铝基材多孔分气装置超洁净清洗工艺，其特征在于，具体步骤如下：
步骤一：使用圆盘式砂纸气动打磨机对待清洗装置部件进行初步打磨处理；
步骤二：初步打磨处理后将装置部件置于混酸溶液中进行去膜处理，浸泡时间为30-40s；
步骤三：浸酸后的装置部件使用高纯水进行漂洗；
步骤四：漂洗后采用高压水射流清洗机，对装置部件进行高压水洗；
步骤五：水洗后将装置部件置于旋转打磨台中心并固定，进行精细打磨；
步骤六：打磨后把装置部件放入酸溶液a中浸泡一段时间后用纯水冲洗；
步骤七：冲洗后将装置部件再放入酸溶液b中浸泡一段时间后用纯水冲洗；
步骤八：冲洗后采用高压水射流清洗机对装置部件再次进行高压水洗；
步骤九：水洗后采用超声波进行清洗；
步骤十：清洗后采用压缩空气对装置部件进行吹干处理。


2.根据权利要求1所述半导体设备腔体内铝基材多孔分气装置超洁净清洗工艺，其特征在于，对于部分需要喷砂处理的装置部件，还包括步骤十一和步骤十二：
步骤十一：吹干处理后使用胶带对非工作区域进行保护处理，然后采用自动喷砂机对装置部件工作面进行精喷砂处理；
步骤十二：喷砂处理后采用高压水射流清洗机对装置部件进行高压水洗；
经过步骤十或步骤十二处理过的装置部件，还包括：
步骤十三：在无尘室中采用超声波进行清洗；
步骤十四：清洗后在无尘室中采用压缩空气对装置部件进行吹干处理；
步骤十五：吹干处理后在无尘室中使用真空烘箱对装置部件进行加热干燥处理。


3.根据权利要求1或2所述半导体设备腔体内铝基材多孔分气装置超洁净清洗工艺，其特征在于，步骤二中每隔10s将装置部件从混酸溶...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚雪，贺贤汉，李泓波，王松朋，
申请(专利权)人：富乐德科技发展大连有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁;21