有机金属化合物及利用其的薄膜制造技术

本发明专利技术的有机金属化合物及利用其的薄膜满足高挥发性、优异的化学和热稳定性，并且即使在低温下也具有显着提高的薄膜沉积速率。而且可以实现改善由于副产物引起的特性劣化，具有优异的阶梯覆盖率，具有高介电常数而在电气上具有等效氧化膜厚度(EOT)且在物理上不发生隧道效应的厚度的薄膜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机金属化合物及利用其的薄膜
本专利技术涉及一种有机金属化合物及利用其的薄膜，更具体而言，涉及满足高挥发性、优异的化学和热稳定性，并且即使在低温下也具有显着提高的薄膜沉积速率的有机金属化合物及利用其的薄膜。
技术介绍
最近，为了制造纳米级集成器件，已经研究了如金属、半导体和氧化物等各种薄膜的应用。在形成这些各种薄膜的过程中，随着器件继续极微细化，新形式的器件不断问世，从而具有纳米级、复合形式的结构且在原子层水平能够调节厚度的薄膜沉积工艺的必要性和保形性(conformality)的重要性均在增加。目前，作为电子设备的核心的金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxidesemiconductorfieldeffecttransistor，MOSFET)的栅极结构中使用的栅极氧化物基于氧化硅(siliconoxide)。然而，随着器件尺寸的纳米化，发生如漏电流增加和形成栅耗尽层等的问题，并且，为了解决这些问题，已经进行了利用具有高介电常数的新型氧化物的许多尝试。在各种高介电常数氧化物中，研究最多的材料是基于HfO2的氮掺杂HfOxNy和作为硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机金属化合物，其特征在于，具有下述化学式1的结构：/n[化学式1]/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180208 KR 10-2018-00157151.一种有机金属化合物，其特征在于，具有下述化学式1的结构：
[化学式1]



在上述化学式1中，M选自第5族过渡金属中；Xa、Xb及Xc各自独立地为O、N、P、As或-P＝O；R1、R2、R3及R4各自独立地为氢、C1-9烷基或C1-9杂烷基，上述R1、R2、R3及R4根据Xa、Xb及Xc的原子价而存在或不存在；A和B各自独立地为C1-9烷基或C1-9杂烷基，上述B根据Xb和Xc的原子价而存在或不存在。


2.根据权利要求1所述的有机金属化合物，其特征在于，
上述第5族过渡金属为V、Nb及Ta中的一种。


3.根据权利要求1所述的有机金属化合物，其特征在于，
上述Xa、Xb及Xc各自独立地为O或N，上述R1、R2、R3及R4各自独立地为氢或C1-6烷基。


4.根据权利要求1所述的有机金属化合物，其特征在于，
上述A和B各自独立地为C1-3烷基或杂烷基。


5.一种有机金属化合物，其特征在于，具有下述化学式2的结构：
[化学式2]



在上述化学式2中，M选自第5族过渡金属中；Xa、Xb及Xc各自独立地为O、N、P、As或-P＝O；R1、R2、R3及R4各自独立地为氢、C1-9烷基或杂烷基，上述R1、R2、R3及R4根据Xa、Xb及Xc的原子价而存在或不...

【专利技术属性】
技术研发人员：河胜元，边煐勋，金点钟，金镐勋，千成学，
申请(专利权)人：马卡罗有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR