【技术实现步骤摘要】
钽配合物及其制备方法
本专利技术涉及的是一种有机化学领域的技术，具体是一种钽配合物及其制备方法。
技术介绍
着集成度的提高，按照摩尔定律，晶体管特征尺寸按比例缩小，结果就是晶体管沟道长度的减小和栅的减薄。几十年来，随着全球集成电路制造技术升级换代，SiO2作为栅介质材料已经很接近可以保证完整带隙结构的最小厚度。在寻找替代品的过程中，高K材料被认为是理想的替代品。Ta2O5由于具有较合适的介电常数，低漏电流密度，高击穿电压，以及易与目前的硅工艺相兼容等优点，一直被认为是SiO2最好的替代品之一。目前已有多种Ta2O5薄膜的制备方法报道，包括化学气相沉积(CVD)，物理气相沉积(PVD)，激光脉冲沉积(PLD)，原子层沉积(ALD)等。其中，原子层沉积由于具有自限制的特点和优异的三维结构保形性而日益受到重视。因此，开发一种蒸气压较高，工业上合成容易并且稳定的源材料具有十分重要的意义。为了解决现有技术存在的上述问题，本专利技术由此而来。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术存在的上述不足，提出了...
【技术保护点】
1.一种钽配合物，其特征在于，所述的钽配合物为三烷基氨基烷基苯酰亚胺钽配合物或三烷基氨基苯酰亚胺钽配合物，具有以下通式(1)结构：/n
【技术特征摘要】
1.一种钽配合物，其特征在于，所述的钽配合物为三烷基氨基烷基苯酰亚胺钽配合物或三烷基氨基苯酰亚胺钽配合物，具有以下通式(1)结构：
其中：R1-R11基相同或不同，分别选自碳原子数量小于等于五的烷基基团或氢原子中的一种。
2.根据权利要求1所述钽配合物，其特征是，所述的R1-R11基分别选自氢原子、甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基中的一种。
3.一种权利要求1或2所述钽配合物的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：将苯胺和/或烷基苯胺溶解在烷烃溶剂中，再滴入三甲基氯硅烷，搅拌后抽滤，滤液常压蒸馏得到产物A，产物A为三甲基硅基苯胺和/或三甲基硅基烷基苯胺；
步骤2：将步骤1中得到的产物A滴入溶解有五氯化钽的甲苯悬浊液中，之后滴入吡啶，反应后抽滤，蒸干所得的滤液得到产物B，产物B为二吡啶苯酰亚胺基三氯化钽和/或二吡啶烷基苯酰亚胺基三氯化钽；
步骤3：将步骤2中得到的产物B溶解于烷烃溶剂中，得到悬浊液，再滴加到溶解有二烷基氨基锂的烷烃溶剂悬浊液中，反应后抽滤，蒸干所得的滤液得到粗品产物C，对粗品产物C进行减压精馏，得到高纯度产物C，产物C为三(二烷基氨基)苯酰亚胺钽和/或三(二烷基氨基)烷基苯酰亚胺钽。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征是，...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈鹏宇，韩宝康，刘迪，
申请(专利权)人：苏州欣溪源新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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