一种SAW滤波器芯片的晶圆级封装方法及晶圆级封装结构技术

本发明专利技术提供了一种SAW滤波器芯片的晶圆级封装方法及晶圆级封装结构，其方法包括：对封装晶圆进行离子注入和刻蚀工艺处理形成封装盖板；将封装晶圆上的封装盖板安装在滤波器晶圆上的滤波器芯片上，并去除封装盖板之外的封装晶圆，实现超薄晶圆级封装结构。通过封装晶圆安装在滤波器晶圆的方式，缩小封装厚度，便于滤波器晶圆的小型化，采用晶圆级封装技术，降低滤波器封装的平面尺寸，利用离子注入技术在封装晶圆上形成了超薄的封装盖板结构，该结构的厚度是传统机械减薄工艺难以实现的厚度，降低了封装芯片的厚度。离子注入的目的是在注入深度的位置形成一层非晶层，使得封装晶圆较容易在非晶层的位置实现内部分离。

【技术实现步骤摘要】
一种SAW滤波器芯片的晶圆级封装方法及晶圆级封装结构
本专利技术涉及声表面波滤波器
，尤其涉及一种SAW滤波器芯片的晶圆级封装方法及晶圆级封装结构。
技术介绍
SAW(SurfaceAcousticWave，声表面波)滤波器具有体积小、重量轻、损耗低和频率选择性好等优势，是无线通讯系统中的核心元器件，已广泛用于移动通信、导肮、卫星通信、雷达等无线通讯系统。目前，SAW滤波器封装形式主要有陶瓷管壳封装、芯片级封装(ChipSizePackage，简称CSP)技术和晶圆级封装(WaferLevelPackage，WLP)。其中陶瓷管壳封装是基于具有扁平焊接引脚的陶瓷封装和引线键合技术，器件的最小尺寸可到3mm×3mm×1mm，陶瓷外壳的封装与芯片面积之比为1.9～2.5。芯片级封装利用平面陶瓷基板和倒装焊代替陶瓷管壳和引线键合实现电气互联的方式，再采用塑封进行封装，之后通过切割形成独立单元，可进一步降低器件尺寸，典型的SAW滤波器的CSP封装尺寸是1.1mm×0.9mm×0.5mm，封装与芯片面积之比降到1.4。最新的WLP封装是通过芯片晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SAW滤波器芯片的晶圆级封装方法，其特征在于，包括：/n对封装晶圆进行离子注入和刻蚀工艺处理形成封装盖板；/n将所述封装晶圆上的封装盖板安装在所述滤波器晶圆上的滤波器芯片上。/n

【技术特征摘要】
1.一种SAW滤波器芯片的晶圆级封装方法，其特征在于，包括：
对封装晶圆进行离子注入和刻蚀工艺处理形成封装盖板；
将所述封装晶圆上的封装盖板安装在所述滤波器晶圆上的滤波器芯片上。


2.根据权利要求1所述的一种SAW滤波器芯片的晶圆级封装方法，其特征在于，所述将所述封装晶圆上的封装盖板安装在所述滤波器晶圆上的滤波器芯片上的步骤，包括：
在压电衬底上制备具有换能器电极和输入输出电极的滤波器芯片，形成所述滤波器晶圆；其中，所述输入输出电极设置在所述换能器电极的外侧；
将所述封装晶圆安装在滤波器晶圆上；其中，部分所述输入输出电极裸露在所述封装盖板的外侧。


3.根据权利要求2所述的一种SAW滤波器芯片的晶圆级封装方法，其特征在于，所述将所述封装晶圆上的封装盖板安装在所述滤波器晶圆上的滤波器芯片上的步骤，包括：
在所述输入输出电极上设置金属层；
在所述金属层上设置用于晶圆键合的晶圆键合胶；其中，部分所述金属层裸露在所述晶圆键合胶的外侧；
将所述封装晶圆通过所述晶圆键合胶安装在所述滤波器晶圆上，其中所述封装盖板与滤波器芯片上的晶圆键合胶相对应。


4.根据权利要求1所述的一种SAW滤波器芯片的晶圆级封装方法，其特征在于，所述对封装晶圆进行离子注入和刻蚀工艺处理的步骤包括：
通过离子注入工艺，将封装晶圆分为用于封装滤波器晶圆的封装盖板、非晶层以及封装晶圆剩余层；
通过刻蚀工艺在封装盖板上形成与滤波器晶圆上的晶圆键合胶外形适配的封装盖板结构。


5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：董鹏，王君，边旭明，李琦，王琦，
申请(专利权)人：北京航天微电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11