一种带有C-stage PIS固体荧光胶片的发光二极管的制备工艺制造技术

本发明专利技术提供了一种带有C‑stage PIS固体荧光胶片的发光二极管的制备工艺，该工艺为：步骤S1、将发光芯片与支架银胶进行固焊操作；步骤S2、将环氧树脂A或B胶+稀释剂+玻璃粉末进行混合真空搅拌后，通过刮胶设备进行刮膜、第一次烘烤、翻模、切割、清洗、第二次烘烤形成C‑stage PIS固体荧光胶片；步骤S3、在发光芯片上方点粘合硅胶，然后在粘合硅胶上方，通过固晶机将C‑stage PIS固体荧光胶片固贴附在粘合硅胶上；步骤S4、设置烘烤温度范围在60℃‑170℃/1min‑240min，将固定好的C‑stage PIS固体荧光胶片进行烘烤，最终完成C‑stage PIS固体荧光胶片的贴附；步骤S5、点围坝胶，然后进行封装lens操作，再进行烘烤最后形成带有C‑stage PIS固体荧光胶片的发光二极管。本发明专利技术提升发光二极管整体出光率。

【技术实现步骤摘要】
一种带有C-stagePIS固体荧光胶片的发光二极管的制备工艺
本专利技术涉及LED制作
，特别是一种带有C-stagePIS固体荧光胶片的发光二极管的制备工艺。
技术介绍
1.B-stage荧光膜片，是指树脂和固化剂发生反应，通过加热形成一种半固化的固体荧光膜片；B-stage荧光膜片耐高温较低，价格昂贵，在尺寸切割和使用率、及操作性较低。2.C-stagePIS荧光膜片：是指传统硅胶，加入溶剂、耐高温物质、高反射率物质混合，通过加热形成一种半固化的固体荧光膜片（简称：PIS），C-stagePIS耐高温强（封装发光二极管功率高）、价格低、可以按发光二极管要求尺寸切割、利用率高、及可操作性强。现有的荧光膜片只能手动作业，胶和荧光粉的耗损大，只能手动一杯一杯导入，膜也只能一张张手动更换，不能固定倒入荧光胶位置和量，生产效率低，可操作性低，刮膜后胶的位置不统一；另外，现有的发光二极管的封装结构一般都是在LED芯片上进行封装一层荧光胶或者是带有荧光粉的硅胶；而将树脂和固化剂发生反应，通过加热形成的荧光胶或者是带有荧光粉的硅胶价本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种带有C-stage PIS固体荧光胶片的发光二极管的制备工艺，其特征在于：所述制备工艺包括如下步骤：/n步骤S1、将发光芯片与支架银胶进行固焊操作；/n步骤S2、将环氧树脂A或B胶+稀释剂+玻璃粉末进行混合真空搅拌后，通过刮胶设备进行刮膜、第一次烘烤、翻模、切割、清洗、第二次烘烤形成C-stage PIS固体荧光胶片；/n步骤S3、在发光芯片上方点粘合硅胶，然后在粘合硅胶上方，通过固晶机将C-stagePIS固体荧光胶片固贴附在粘合硅胶上；/n步骤S4、设置烘烤温度范围在60℃-170℃/1min-240min，将固定好的C-stage PIS固体荧光胶片进行烘烤，最终完成C-stag...

【技术特征摘要】
1.一种带有C-stagePIS固体荧光胶片的发光二极管的制备工艺，其特征在于：所述制备工艺包括如下步骤：
步骤S1、将发光芯片与支架银胶进行固焊操作；
步骤S2、将环氧树脂A或B胶+稀释剂+玻璃粉末进行混合真空搅拌后，通过刮胶设备进行刮膜、第一次烘烤、翻模、切割、清洗、第二次烘烤形成C-stagePIS固体荧光胶片；
步骤S3、在发光芯片上方点粘合硅胶，然后在粘合硅胶上方，通过固晶机将C-stagePIS固体荧光胶片固贴附在粘合硅胶上；
步骤S4、设置烘烤温度范围在60℃-170℃/1min-240min，将固定好的C-stagePIS固体荧光胶片进行烘烤，最终完成C-stagePIS固体荧光胶片的贴附；
步骤S5、点围坝胶，然后进行封装lens操作，再进行烘烤最后形成带有C-stagePIS固体荧光胶片的发光二极管。


2.根据权利要求1所述的一种带有C-stagePIS固体荧光胶片的发光二极管的制备工艺，其特征在于：所述刮胶设备包括工作机台，所述工作机台内设置有膜的传送装置、刮刀装置、刮刀清洗装置、切割装置；所述刮刀装置处设置有注胶装置，所述刮刀装置上设置有位置检测模块和红外高度测量装置，所述步骤S2进一步具体为：
步骤S21、将环氧树脂A或B胶+稀释剂+玻璃粉末进行混合真空搅拌后，传输给注胶装置，注胶装置使用气压控制吐胶量、定量输出胶量；
步骤S22、注胶装置将混合物...

【专利技术属性】
技术研发人员：李玉元，王浩，袁瑞鸿，张智鸿，陈锦庆，陈三奇，李恒彦，万喜红，雷玉厚，
申请(专利权)人：福建天电光电有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35