深紫外LED光源及其封装方法技术

本发明专利技术属于LED封装工艺技术领域，具体涉及一种深紫外LED光源及其封装方法。该深紫外LED光源的封装方法包括如下步骤：提供基板，所述基板上设置有围坝和LED芯片，所述LED芯片位于所述围坝内；在所述围坝上涂布硅烷偶联剂溶液，进行加热反应，形成连有硅烷氧基的围坝；在所述连有硅烷氧基的围坝上涂布胶粘剂，然后将透镜置于所述胶粘剂上施压，进行固化处理形成粘接层，得到封装后的深紫外LED光源。该封装方法可以提高胶粘剂的粘接强度，增强围坝与粘接层之间的粘接性，从而增加深紫外LED光源的封装气密性，最终提高器件的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
深紫外LED光源及其封装方法
本专利技术属于LED封装工艺
，具体涉及一种深紫外LED光源及其封装方法。
技术介绍
深紫外LED(LightEmittingDiode，发光二极管)是杀菌消毒中的一把利器，具有高效、光谱、节能、环保等优点，是近年来市场关注的焦点。随着《水俣公约》的推进，使用第三代半导体AlGaN作为发光材料的深紫外LED将逐步取代汞灯，成为深紫外光源的主力光源。但是，由于深紫外光的波长较短，深紫外LED发射光的光子能量高，对于封装材料的选择提出了很高的要求。常用的封装材料，如硅胶或环氧树脂，如直接被高能的紫光照射，有机元素间的成键会断裂而导致材料失效。目前多采用石英透镜作为封装窗口，因其不仅在深紫外区域具有良好的透光性，并且化学性质非常稳定不易失效。但是石英玻璃的加工温度极高，无法直接熔固于支架上；常用的金属焊料操作温度至少需要300℃，对于深紫外LED芯片而言有降低性能甚至失效的风险。采用高分子层将石英透镜粘接固定于基板和围坝上是一个很好的选择。但是高分子材料通常固化后粘接力较弱，长时间工作的条件下容易发生粘接失本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种深紫外LED光源的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：/n提供基板，所述基板上设置有围坝和LED芯片，所述LED芯片位于所述围坝内；/n在所述围坝上涂布硅烷偶联剂溶液，进行加热反应，形成连有硅烷氧基的围坝；/n在所述连有硅烷氧基的围坝上涂布胶粘剂，然后将透镜置于所述胶粘剂上施压，进行固化处理形成粘接层，得到封装后的深紫外LED光源。/n

【技术特征摘要】
1.一种深紫外LED光源的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供基板，所述基板上设置有围坝和LED芯片，所述LED芯片位于所述围坝内；
在所述围坝上涂布硅烷偶联剂溶液，进行加热反应，形成连有硅烷氧基的围坝；
在所述连有硅烷氧基的围坝上涂布胶粘剂，然后将透镜置于所述胶粘剂上施压，进行固化处理形成粘接层，得到封装后的深紫外LED光源。


2.如权利要求1所述的深紫外LED光源的封装方法，其特征在于，所述硅烷偶联剂溶液中硅烷偶联剂的质量分数为0.5-1.5％；和/或，
所述硅烷偶联剂溶液中的溶剂选自乙醇、异丙醇、叔丁醇中的一种或多种。


3.如权利要求1所述的深紫外LED光源的封装方法，其特征在于，所述硅烷偶联剂一端含有硅烷氧基，另一端含有氨基、环氧基、酰氧基、巯丙基中的一种或多种。


4.如权利要求1所述的深紫外LED光源的封装方法，其特征在于，所述围坝表面为镀金层。


5.如权利要求1所述的深紫外LED光源的封装方法，其特征在于，所述胶粘剂为AB硅胶。


...

【专利技术属性】
技术研发人员：林金填，黎学文，吴宇，杨玉娟，田琪，陈冲，
申请(专利权)人：旭宇光电深圳股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44