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本发明属于LED封装工艺技术领域，具体涉及一种深紫外LED光源及其封装方法。该深紫外LED光源的封装方法包括如下步骤：提供基板，所述基板上设置有围坝和LED芯片，所述LED芯片位于所述围坝内；在所述围坝上涂布硅烷偶联剂溶液，进行加热反应，形...
该专利属于旭宇光电(深圳)股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过旭宇光电(深圳)股份有限公司授权不得商用。

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