一种用磁控溅射封装深紫外LED芯片的方法技术

本发明专利技术公开了采用磁控溅射的方式在靶材上沉积高紫外线透过率的AlN、SiN薄膜材料，隔绝芯片与空气、水的接触，达到深紫外LED芯片封装的目的。本发明专利技术技术方案旨在保持封装结构气密性和稳定性，提高灯珠的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种用磁控溅射封装深紫外LED芯片的方法
本专利技术涉及LED芯片封装
，特别涉及一种用磁控溅射封装深紫外LED芯片的方法。
技术介绍
深紫外LED具有杀菌消毒的功能。在水杀菌、空气杀菌、表面杀菌方面有着非常广泛的用途。目前市面上对深紫外LED的封装形式主要还是有机封装，即在支架和石英玻璃之间使用有机物粘合剂或者有机物粘合剂与金锡的混合物通过回流焊等方式进行胶粘。并且由于紫外光的特点，封装结构中的有机物粘合剂在紫外光的照射下容易发生老化失去粘性，导致石英玻璃与支架之间粘结不牢固，气密性降低甚至引起石英玻璃脱落，缩短了灯珠的寿命。另外市面上也开始出现全无机的封装方式，即在支架和石英玻璃之间填充金锡，通过回流焊的方式形成金锡共晶。该方式受限于材料的差别，气密性也不稳定。
技术实现思路
本专利技术的主要目的是提出一种用磁控溅射封装深紫外LED芯片的方法，旨在保持封装结构气密性和稳定性，提高灯珠的使用寿命。为达上述目的，本创作是关于一种用磁控溅射封装深紫外LED芯片的方法，包括如下步骤：S1、通过点胶机在陶瓷封本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用磁控溅射封装深紫外LED芯片的方法，其特征在于，包括如下步骤：/nS1、通过点胶机在陶瓷封装支架的电极上敷设金锡材料层，再将深紫外LED芯片的电极与所述陶瓷封装支架的电极贴合，将贴合后的深紫外LED芯片和陶瓷封装支架的整体放入共晶炉中进行高温退火；/nS2、将退火后的所述整体放入配备有Si金属靶材和氮气源的磁控溅射设备中，磁控溅射设备工作并加热到150-250℃，在所述整体上形成一层40-60μm的SiN薄膜；/nS3、将沉积有SiN薄膜的所述整体放入配备有Al金属靶材和氮气源的磁控溅射设备中，磁控溅射设备工作并加热到150-250℃，在所述SiN薄膜上形成一层80-120μm的Al...

【技术特征摘要】
1.一种用磁控溅射封装深紫外LED芯片的方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、通过点胶机在陶瓷封装支架的电极上敷设金锡材料层，再将深紫外LED芯片的电极与所述陶瓷封装支架的电极贴合，将贴合后的深紫外LED芯片和陶瓷封装支架的整体放入共晶炉中进行高温退火；
S2、将退火后的所述整体放入配备有Si金属靶材和氮气源的磁控溅射设备中，磁控溅射设备工作并加热到150-250℃，在所述整体上形成一层40-60μm的SiN薄膜；
S3、将沉积有SiN薄膜的所述整体放入配备有Al金属靶材和氮气源的磁控溅射设备中，磁控溅射设备工作并加热到150-250℃，在所述SiN薄膜上形成一层80-120μm的...

【专利技术属性】
技术研发人员：张立胜，贺钟冶，
申请(专利权)人：深圳深旨科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44