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本发明公开了采用磁控溅射的方式在靶材上沉积高紫外线透过率的AlN、SiN薄膜材料，隔绝芯片与空气、水的接触，达到深紫外LED芯片封装的目的。本发明技术方案旨在保持封装结构气密性和稳定性，提高灯珠的使用寿命。...
该专利属于深圳深旨科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳深旨科技有限公司授权不得商用。

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