显示基板及显示装置制造方法及图纸

技术编号:25603203 阅读:20 留言:0更新日期:2020-09-11 23:59
本发明专利技术提供一种显示基板及显示装置,属于显示技术领域,其可解决相关技术中的扇出走线必须设置在周边区,其需要占用较大边框的技术问题。本发明专利技术的显示基板,具有显示区,显示基板包括:基底,位于基底上的多条栅线、多条数据线;栅线和数据线交叉设置,并在交叉位置处限定出像素单元;每个像素单元均包括位于显示区的薄膜晶体管和发光器件;显示基板还包括位于显示区中的多条扇出走线;其中,扇出走线和与之对应的数据线电连接,且与数据线、栅线位于不同层中。

【技术实现步骤摘要】
显示基板及显示装置
本专利技术属于显示
,具体涉及一种显示基板及显示装置。
技术介绍
随着应用场景越来越复杂,规则形状的显示面板已经不能满足用户的需要,因此异形显示面板越来越受到用户的欢迎。目前的异形显示面板一般在显示区中薄膜晶体管源、漏极所在的膜层同层设置一层扇出走线,扇出走线设置在环绕显示区的周边区的一侧,这样扇出走线占用了显示面板的边框。由于显示区中一般仅有栅极和源、漏极两层金属层,那么扇出走线必须使用这两层金属层,因此,目前的异形显示面板的扇出走线只能设置在显示面板的周边区,增大的显示面板的边框。并且由于大尺寸高分辨率显示面板需要设置更多的扇出走线,进一步增大了显示面板的边框。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提供一种显示基板及显示装置。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种显示基板,具有显示区,所述显示基板包括:基底,位于所述基底上的多条栅线、多条数据线;所述栅线和所述数据线交叉设置,并在交叉位置处限定出像素单元;每个所述像素单元均包括位于所述显示区的薄膜晶体管和发光器件;所述显示基板还包括位于显示区中的多条扇出走线;其中,所述扇出走线和与之对应的所述数据线电连接,且与所述数据线、所述栅线位于不同层中。可选地,在所述数据线所在层背离所述基底的一侧设置有层间绝缘层;所述扇出走线位于所述层间绝缘层背离所述数据线的一侧;所述扇出走线通过贯穿层间绝缘层的第一过孔与所述数据线连接。可选地,所述数据线与薄膜晶体管的源极和漏极同层设置;在所述数据线背离所述基底的一侧依次设置有钝化层、第一平坦化层、第二平坦化层;在所述第一平坦化层和所述第二平坦化层之间设置有转接电极;其中,所述转接电极通过贯穿所述钝化层和第一平坦化层的第二过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接;所述发光器件的第一电极通过贯穿所述第二平坦化层的第三过孔与所述转接电极连接;所述扇出走线与所述转接电极同层设置,且材料相同。可选地,每条所述扇出走线包括电连接的第一子连接线、第二子连接线和第三子连接线;其中,各个所述第三子连接线并排设置位于所述显示区的中间区域;各个所述第一子连接线的第一端和与之对应的所述数据线连接,第二端连接与之对应的第二子连接线的第一端;各个所述第二子连接线的第一端和与之对应的所述第一子连接线的第二端连接,第二端连接与之对应的第三子连接线的第一端连接;且相邻的所述第三子连接线之间的间距小于相邻的所述第一子连接线之间的间距。可选地,各个所述第三子连接线的延伸方向与所述数据线的延伸方向相同。可选地,所述像素单元还包括存储电容;所述存储电容的第一极板与所述薄膜晶体管的栅极同层设置,且材料相同;所述存储电容的第二极板与所述薄膜晶体管的源极和漏极同层设置,且材料相同。可选地,至少部分行的所述像素单元的数量不同。可选地,所述显示基板还具有与所述显示区的一侧连接的绑定区;沿靠近所述绑定区的方向,各行所述像素单元的数量递减。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种显示装置,所述显示装置包括如上述提供的显示基板。可选地,所述显示装置还包括驱动芯片;所述驱动芯片位于所述基底远离所述像素单元的一侧,且在所述绑定区与所述扇出走线连接。附图说明图1为相关技术中一种显示基板的剖面结构示意图;图2为一种示例性的像素驱动电路的结构示意图;图3为相关技术中一种显示基板的平面结构示意图;图4为本专利技术实施例提供的一种显示基板的剖面结构示意图;图5为本专利技术实施例提供的一种显示基板的平面结构示意图;图6为本专利技术实施例提供的另一种显示基板剖面结构示意图。具体实施方式为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案,下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述。下述的显示基板中的薄膜晶体管可以为像素单元中的任意一个晶体管,在相关技术中及本专利技术各个实施例中以薄膜晶体管为像素单元中的驱动晶体管为例进行说明。可以理解的是,开关晶体管也可以采用与驱动晶体管同样的结构及制备方式制成,在此不再进行详述。发光器件可以具体为像素单元中的有机电致发光二极管或者其他种类的发光器件,在相关技术中以及本专利技术各个实施例中以有机电致发光二极管为例进行说明。其中,有机电致发光二极管具有第一电极和第二电极,第一电极为有机电致发光二极管的阳极,第二电极为有机电致发光二极管的阴极。图1为相关技术中一种显示基板的剖面结构示意图,如图1所示,该显示基板具有显示区和围绕显示区的周边区,该显示基板包括基底101、位于基底101上的多条栅线(图中未示出)和多条数据线(数据线与薄膜晶体管的源极为一体结构,其中源极中虚线圈出部分用作数据线)、以及与数据线连接的多条扇出走线(图中未示出);栅线和数据线交叉设置,并在交叉位置处限定出像素单元,像素单元中设置有像素驱动电路,如图2所示,该像素驱动电路包括:开关晶体管T1、驱动晶体管T2、存储电容C和有机电致发光二极管D;其中,开关晶体管T1的栅极连接栅线Scan,源极连接数据线Data,漏极连接第一节点N,其中,第一节点N为开关晶体管T1的漏极、驱动晶体管T2的栅极和电容C的一端之间的连接点。驱动晶体管T2的栅极连接第一节点N,源极连接第一电源电压端VDD,漏极连接有机电致发光二极管D的阳极。存储电容C的一端连接第一节点N,另一端连接第一电源电压端VDD。有机电致发光二极管D的阳极连接驱动晶体管T2的漏极,阴极连接第二电源电压端VSS。需要说明的是,第一电源电压端VDD输入的电位大于第二电源电压端VSS输入的电位。图1中仅示出了每个像素单元均包括位于显示区的薄膜晶体管102和发光器件103;薄膜晶体管102的漏极与发光器件103的阳极连接,此处的薄膜晶体管102为上述的驱动晶体管T2,开关晶体管T1也可以采用与驱动晶体管T2同样的结构及制备方式制成,在此不再进行详述。外部的驱动芯片可以通过扇出走线与数据线连接,并通过数据线向像素单元中的发光器件103提供数据信号,并在第一电源电压端VDD和第二电源电压端VSS之间的电压驱动下使得发光器件103发光,实现显示功能。图3为相关技术中一种显示基板的平面结构示意图,如图3所示,该显示基板为一种异形显示基板,即为心形形状,心形形状内部为显示区,心形形状之外为周边区。由于在相关技术中,显示基板中仅薄膜晶体管102的栅极和源极(或漏极)所在的层为金属导电层,因此在制备过程中,扇出走线必须利用这两层金属导电层来制备。这样,扇出走线104必须设置在心形形状之外周边区,其边缘的形状不规则,容易造成扇出走线104占用较大的边框。并且由于大尺寸高分辨率显示基板中需要设置更多的扇出走线104,进一步增大了显示基板的边框。为了解决相关技术中的扇出走线104必须设置在周边区,其需要占用较大边框的技术问题,本专利技术实施例提供了一种显示基板及显示装置。下面结合附图和具体实施方式对本专利技术实施例提供的显示基板及显示装置作本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示基板,具有显示区,所述显示基板包括:基底,位于所述基底上的多条栅线、多条数据线;所述栅线和所述数据线交叉设置,并在交叉位置处限定出像素单元;每个所述像素单元均包括位于所述显示区的薄膜晶体管和发光器件;其特征在于,所述显示基板还包括位于显示区中的多条扇出走线;其中,/n所述扇出走线和与之对应的所述数据线电连接,且与所述数据线、所述栅线位于不同层中。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示基板,具有显示区,所述显示基板包括:基底,位于所述基底上的多条栅线、多条数据线;所述栅线和所述数据线交叉设置,并在交叉位置处限定出像素单元;每个所述像素单元均包括位于所述显示区的薄膜晶体管和发光器件;其特征在于,所述显示基板还包括位于显示区中的多条扇出走线;其中,
所述扇出走线和与之对应的所述数据线电连接,且与所述数据线、所述栅线位于不同层中。


2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,在所述数据线所在层背离所述基底的一侧设置有层间绝缘层;所述扇出走线位于所述层间绝缘层背离所述数据线的一侧;所述扇出走线通过贯穿层间绝缘层的第一过孔与所述数据线连接。


3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述数据线与薄膜晶体管的源极和漏极同层设置;在所述数据线背离所述基底的一侧依次设置有钝化层、第一平坦化层、第二平坦化层;在所述第一平坦化层和所述第二平坦化层之间设置有转接电极;其中,
所述转接电极通过贯穿所述钝化层和第一平坦化层的第二过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接;所述发光器件的第一电极通过贯穿所述第二平坦化层的第三过孔与所述转接电极连接;
所述扇出走线与所述转接电极同层设置,且材料相同。


4.根据权利要求1-3中任一项所述的显示基板,其特征在于,每条所述扇出走线包括电连接的第一子连接线、第二子连接线和第三子连接线;其中,
各个所述第三子连接线并排设置位于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:徐攀张大成林奕呈李永谦
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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