有机电致发光显示面板及其制造方法、显示装置制造方法及图纸

技术编号:25603201 阅读:18 留言:0更新日期:2020-09-11 23:59
本申请提供了一种有机电致发光显示面板,包括发光区,以及位于发光区之间的非发光区。有机电致发光显示面板还包括:基板、像素定义层和感光单元。感光单元和像素定义层位于基板的同一侧。像素定义层为透明绝缘层,包括位于发光区的开口部和位于开口部周围的堤部,堤部位于非发光区。感光单元包括感光半导体结构,感光半导体结构位于非发光区,且包裹在堤部内。由于本申请实施例的感光半导体结构位于所述非发光区,且包裹在所述堤部内,利用一次成膜、一次光刻工艺就制备出像素界定层以及感光半导体结构,大大简化了有机发光二极管光学补偿结构的工艺制程。

【技术实现步骤摘要】
有机电致发光显示面板及其制造方法、显示装置
本申请涉及显示
,具体为一种有机电致发光显示面板及其制造方法、显示装置。
技术介绍
由于工艺、材料以及设计等方面的原因,有机发光二极管显示装置通常会产生亮度不均的现象,从而造成显示画面的质量降低。对于显示画面亮度不均的现象。在现有技术中,一般会通过在显示装置的盖板玻璃上对应每一发光单元的上方制作感光单元以及控制该感光单元的薄膜晶体管,以对显示装置中的发光单元的亮度进行实时监控,进而通过外部补偿的方式,进行实时光学补偿。然而,将感光单元以及控制该感光单元的薄膜晶体管制作在发光单元的上方会导致显示面板的开口率下降,造成显示面板的光利用率低等弊端。另外,目前在盖板玻璃上制作的感光单元以及控制该感光单元的薄膜晶体管,通常膜层结构复杂,制备工艺繁琐。
技术实现思路
有鉴于此,本申请提供一种有机电致发光显示面板及其制造方法、显示装置,用于解决现有技术中由于将感光单元以及控制该感光单元的薄膜晶体管制作在发光单元的上方,从而导致显示面板的开口率下降,造成显示面板的光利用率低的技术问题。为了解决上述问题,本申请实施例主要提供如下技术方案:在第一方面中,本申请实施例公开了一种有机电致发光显示面板,包括发光区,以及位于所述发光区之间的非发光区,该有机电致发光显示面板还包括:基板、像素定义层和感光单元;所述感光单元和所述像素定义层位于所述基板的同一侧;所述像素定义层为透明绝缘层,包括位于所述发光区的开口部和位于所述开口部周围的堤部,所述堤部位于所述非发光区;所述感光单元包括感光半导体结构,所述感光半导体结构位于所述非发光区,且包裹在所述堤部内。可选地,该有机电致发光显示面板包括若干阵列排列的发光单元,所述发光单元与有机电致发光显示面板的亚像素单元一一对应设置;所述感光单元与所述发光单元一一对应设置,每一所述感光单元用于接收与该感光单元对应位置处的所述发光单元发出的光,并进行光电感应后形成电信号;或者,一所述感光单元与至少两个所述发光单元对应设置,该感光单元用于在同一时间段仅接收与该感光单元对应位置处的一个所述发光单元发出的光,并进行光电感应后形成电信号。可选地,所述发光单元包括阳极、有机功能层和阴极,所述有机功能层位于所述开口部内,所述阳极位于所述有机功能层靠近所述基板一侧,所述阴极位于所述有机功能层远离所述基板一侧;所述感光单元包括第一电极和第二电极,所述第一电极位于所述感光半导体结构靠近所述基板一侧,所述第二电极位于所述感光半导体结构远离所述基板一侧;所述第一电极与所述阳极同层设置,所述第二电极与所述阴极同层设置。可选地,该有机电致发光显示面板包括用于控制所述感光单元的第一薄膜晶体管和用于控制所述发光单元的第二薄膜晶体管;所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管均位于所述非发光区,且所述第一薄膜晶体管在所述基板上的正投影区域与所述第二薄膜晶体管在所述基板上的正投影区域无重叠区域;所述第一薄膜晶体管位于所述第一电极靠近所述基板一侧,包括第一栅极、第一半导体有源层和第一源极和第一漏极;所述第二薄膜晶体管位于所述阳极靠近所述基板一侧,包括第二栅极、第二半导体有源层和第二源极和第二漏极;所述第一栅极与所述第二栅极位于同一层,所述第一半导体有源层与所述第二半导体有源层位于同一层;所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极和所述第二漏极位于同一层。可选地,该有机电致发光显示面板包括位于所述第一薄膜晶体管和所述感光单元之间的钝化层和平坦层,所述钝化层远离所述感光单元设置,所述平坦层靠近所述感光单元设置;所述第一电极通过贯穿所述钝化层和所述平坦层的第一过孔与所述第一漏极连接;所述阳极通过贯穿所述钝化层和所述平坦层的第二过孔与所述第二漏极连接。在第二方面中,本申请实施例公开了一种显示装置,包括第一方面所述的有机电致发光显示面板。在第三方面中,本申请实施例公开了一种第一方面所述的有机电致发光显示面板的制作方法,包括:提供一基板,在所述基板一侧制作非晶硅半导体层;在所述非晶硅半导体层上涂覆光刻胶,采用灰阶曝光、显影方法形成光刻胶完全保留区、光刻胶半保留区和光刻胶完全去除区,所述光刻胶完全去除区与需要形成所述开口部的区域对应,所述光刻胶完全保留区与需要形成所述感光半导体结构的区域对应;采用刻蚀方法形成所述开口部,并去除光刻胶半保留区的光刻胶,暴露出所述非晶硅半导体层;对暴露出的所述非晶硅半导体层进行氧化处理,形成所述堤部,以及被该堤部包裹的所述感光半导体结构。可选地,所述在所述基板一侧制作非晶硅半导体层,包括:在所述基板一侧依次沉积N型非晶硅半导体层、本征非晶硅半导体层和P型非晶硅半导体层;或,在所述基板一侧依次沉积P型非晶硅半导体层、本征非晶硅半导体层和N型非晶硅半导体层;所述去除光刻胶半保留区的光刻胶,包括:采用灰化工艺去除光刻胶半保留区的光刻胶。可选地,所述在所述基板一侧制作非晶硅半导体层之前,包括:在所述基板上通过构图工艺制作第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一半导体有源层和第一源极和第一漏极,所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二半导体有源层和第二源极和第二漏极;在所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管上通过构图工艺依次制作钝化层和平坦层,以及制作贯穿所述钝化层和所述平坦层的第一过孔和第二过孔;在所述平坦层上通过构图工艺制作第一电极和阳极,所述第一电极通过贯穿所述钝化层和所述平坦层的第一过孔与所述第一漏极连接,所述阳极通过贯穿所述钝化层和所述平坦层的第二过孔与所述第二漏极连接。可选地,所述形成所述堤部,以及被该堤部包裹的所述感光半导体结构之后,包括:在所述开口部内制作有机功能层,所述有机功能层包括电子传输层、电子阻挡层、有机发光层、空穴阻挡层和空穴传输层;采用构图工艺制作阴极和第二电极,所述阴极位于所述有机功能层上,所述第二电极位于所述感光半导体结构上。借由上述技术方案,本申请实施例提供的技术方案至少具有下列优点:由于本申请实施例的有机电致发光显示面板包括像素定义层和感光单元,像素定义层为透明绝缘层,包括位于发光区的开口部和位于开口部周围的堤部,堤部位于非发光区,感光单元包括感光半导体结构,感光半导体结构位于非发光区,且包裹在堤部内,当在开口部制作发光层后,发光层发出的光线能够沿透明的堤部传到感光半导体结构,进而能够对发光层发出的光进行实时监控,由于感光半导体结构位于非发光区,且包裹在堤部内,因此避免了目前现有技术中因将感光单元设置于自发光单元的出光侧而导致显示面板开口率下降的问题,且不会增加有机发光二极管显示面板的厚度。上述说明仅是本申请实施例技术方案的概述,为了能够更清楚了解本申请实施例的技术手段,而可依照说明书的内容予以实施,并且为了让本申请实施例的上述和其它本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机电致发光显示面板,包括发光区,以及位于所述发光区之间的非发光区,其特征在于,还包括:基板、像素定义层和感光单元;/n所述感光单元和所述像素定义层位于所述基板的同一侧;/n所述像素定义层为透明绝缘层,包括位于所述发光区的开口部和位于所述开口部周围的堤部,所述堤部位于所述非发光区;/n所述感光单元包括感光半导体结构,所述感光半导体结构位于所述非发光区,且包裹在所述堤部内。/n

【技术特征摘要】
1.一种有机电致发光显示面板,包括发光区,以及位于所述发光区之间的非发光区,其特征在于,还包括:基板、像素定义层和感光单元;
所述感光单元和所述像素定义层位于所述基板的同一侧;
所述像素定义层为透明绝缘层,包括位于所述发光区的开口部和位于所述开口部周围的堤部,所述堤部位于所述非发光区;
所述感光单元包括感光半导体结构,所述感光半导体结构位于所述非发光区,且包裹在所述堤部内。


2.如权利要求1所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,包括若干阵列排列的发光单元,所述发光单元与有机电致发光显示面板的亚像素单元一一对应设置;
所述感光单元与所述发光单元一一对应设置,每一所述感光单元用于接收与该感光单元对应位置处的所述发光单元发出的光,并进行光电感应后形成电信号;或者,
一所述感光单元与至少两个所述发光单元对应设置,该感光单元用于在同一时间段仅接收与该感光单元对应位置处的一个所述发光单元发出的光,并进行光电感应后形成电信号。


3.如权利要求2所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,
所述发光单元包括阳极、有机功能层和阴极,所述有机功能层位于所述开口部内,所述阳极位于所述有机功能层靠近所述基板一侧,所述阴极位于所述有机功能层远离所述基板一侧;
所述感光单元包括第一电极和第二电极,所述第一电极位于所述感光半导体结构靠近所述基板一侧,所述第二电极位于所述感光半导体结构远离所述基板一侧;
所述第一电极与所述阳极同层设置,所述第二电极与所述阴极同层设置。


4.如权利要求3所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,包括用于控制所述感光单元的第一薄膜晶体管和用于控制所述发光单元的第二薄膜晶体管;
所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管均位于所述非发光区,且所述第一薄膜晶体管在所述基板上的正投影区域与所述第二薄膜晶体管在所述基板上的正投影区域无重叠区域;
所述第一薄膜晶体管位于所述第一电极靠近所述基板一侧,包括第一栅极、第一半导体有源层和第一源极和第一漏极;
所述第二薄膜晶体管位于所述阳极靠近所述基板一侧,包括第二栅极、第二半导体有源层和第二源极和第二漏极;
所述第一栅极与所述第二栅极位于同一层,所述第一半导体有源层与所述第二半导体有源层位于同一层;
所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极和所述第二漏极位于同一层。


5.如权利要求4所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,包括位于所述第一薄膜晶体管和所述感光单元之间的钝化层和平坦层,所述钝化层远离所述感光单元设置,所述平坦层靠近所述感光单元设...

【专利技术属性】
技术研发人员:宫奎张志海高桢
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司合肥京东方光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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