软磁多层膜力敏传感器及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种软磁多层膜力敏传感器及其制备方法，传感器中曲折型的软磁多层膜力敏器件由中间铜导电层、铜导电层外围包裹的软磁薄膜及软磁薄膜上的顶层保护层构成三明治结构，引脚从铜导电层引出，整个力敏器件位于硅悬臂梁上，硅悬臂梁与硅衬底相连。制备时首先对双面氧化的硅片进行处理，采用光刻技术得到双面套刻的对准符号，采用薄膜制备技术和微电镀技术制备软磁多层膜力敏器件，采用物理刻蚀技术去除底层，采用专用化学配方湿法刻蚀软磁多层膜材料，形成力敏传感元件，最后采用硅湿法刻蚀技术形成力敏传感器的微结构。本发明专利技术的力敏传感器具有高灵敏度，响应速度快，体积小，成本低的优点，便于实现集成化。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种软磁多层膜力敏传感器，其特征在于由硅衬底（５）、引脚（４）、曲折型的软磁多层膜力敏器件和硅悬臂梁（７）组成，软磁多层膜力敏器件由中间的铜导电层（３）、铜导电层外围包裹的软磁薄膜（６）及软磁薄膜上的顶层保护层（２）构成三明治结构，中间铜导电层（３）的宽度小于软磁薄膜（６）的宽度，被软磁薄膜（６）完全包裹，引脚（４）从力敏器件两端的铜导电层（３）引出，整个曲折型的软磁多层膜力敏器件位于带ＳｉＯ↓［２］层（１）的硅悬臂梁（７）上，硅悬臂梁（７）与硅衬底（５）相连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周勇，陈吉安，丁文，张亚民，高孝裕，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]