用于半导体薄膜真空气相沉积生产的分段破空装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种用于半导体薄膜真空气相沉积生产的分段破空装置及方法，分段破空装置包括沿基板移动方向先后设置的薄膜沉积区、缓冲过渡区、以及慢冷区，薄膜沉积区、缓冲过渡区、以及慢冷区都为真空腔室，慢冷区内的真空度比薄膜沉积区内的真空度低10倍以上，缓冲过渡区内设置有用于移送基板的传送机构。本申请中，通过额外设置的缓冲过渡区将薄膜沉积区和慢冷区分隔开，实现了慢冷区内的真空度比薄膜沉积区内的真空度低10倍以上；因此，从薄膜沉积区中移出的、沉积有半导体薄膜的基板在慢冷区内慢冷时，基板上沉积的半导体薄膜不再发生气化或升华，保证产品质量，同时还能避免材料浪费、以及污染慢冷区和慢冷区内的各机构。

【技术实现步骤摘要】
用于半导体薄膜真空气相沉积生产的分段破空装置及方法
本专利技术涉及一种半导体薄膜沉积技术，特别是涉及一种用于半导体薄膜真空气相沉积生产的分段破空装置及方法。
技术介绍
在半导体薄膜真空气相沉积过程中，为了获得高性能的半导体薄膜，需要将基板预热到一定的温度，例如：在碲化镉薄膜气相沉积时，基板导电玻璃的温度需要预热到550℃以上；在采用共蒸法沉积铜铟镓硒薄膜时，导电基板的温度需要预热到550℃以上。在真空条件下，如<100Pa，当半导体气相物质到达温度低于气相物质温度的基板时，一方面，气相物质在基板上沉积形成半导体薄膜，另一方面，部分半导体薄膜由于较高的基板温度发生气化或升华；但由于沉积速度大于气化或升华速度，最终在基板上沉积形成有半导体薄膜。基板温度越高，获得的半导体薄膜的缺陷越少。为了实现半导体薄膜的规模化的真空气相沉积生产，如图1所示，目前的生产线装置中包含有的沿基板移动方向先后设置的薄膜沉积区100和慢冷区200，基板进入薄膜沉积区内，完成半导体薄膜沉积后再进入慢冷区，并在慢冷区内停留一段时间、直至基板温度下降到一定温度时，沉本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于半导体薄膜真空气相沉积生产的分段破空装置，其特征在于：包括沿基板(9)移动方向先后设置的薄膜沉积区(3)、缓冲过渡区(4)、以及慢冷区(5)，所述薄膜沉积区(3)、缓冲过渡区(4)、以及慢冷区(5)都为真空腔室，所述慢冷区(5)内的真空度比薄膜沉积区(3)内的真空度低10倍以上，所述缓冲过渡区(4)内设置有用于移送基板(9)的传送机构(8)。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体薄膜真空气相沉积生产的分段破空装置，其特征在于：包括沿基板(9)移动方向先后设置的薄膜沉积区(3)、缓冲过渡区(4)、以及慢冷区(5)，所述薄膜沉积区(3)、缓冲过渡区(4)、以及慢冷区(5)都为真空腔室，所述慢冷区(5)内的真空度比薄膜沉积区(3)内的真空度低10倍以上，所述缓冲过渡区(4)内设置有用于移送基板(9)的传送机构(8)。


2.根据权利要求1所述的分段破空装置，其特征在于：所述慢冷区(5)内的真空度比薄膜沉积区(3)内的真空度低40-60倍。


3.根据权利要求1或2所述的分段破空装置，其特征在于：在所述薄膜沉积区(3)内沉积在基板(9)上的半导体材料为碲化镉；所述薄膜沉积区(3)的真空度为20Pa，所述慢冷区(5)的真空度为1000Pa。


4.根据权利要求1所述的分段破空装置，其特征在于：所述传送机构(8)在缓冲过渡区(4)内移送基板(9)的移送速度为10-30m/min。


5.根据权利要求1所述的分段破空装置，其特征在于：所述缓冲过渡区(4)中设有连通薄膜沉积区(3)和缓冲过渡区(4)的进口部(41)、连通缓冲过渡区(4)和慢冷区(5)的出口部(42)、设置在进口部(41)处且可开闭进口部(41)的进口端门阀、以及设在出口部(42)处且可开闭出口部(42)的出口端门阀，所述传送机构(8)的两端分别延伸至进口部(41)和出口部(42)。


6.根据权利要求5所述的分段破空装置，其特征在于：还包括与缓冲过渡区(4)相通的真空系统(7)；当所述进口端门阀和出口端门阀都关闭时，所述真空系统(7)开启，使缓冲过渡区(4)内具有与薄膜沉积区(3)相同的真空度；当所述进口端门阀开启、或所述出口端门阀开启时，所述真空系统(7)关闭。


7.根据权利要求6所述的分段破空装置，其特征在于：所述真空系统(7)为一套单独的真空泵组。


8.根据权利要求1或4或5所述的分段破空装置，其特征在于：所述传送...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭寿，夏申江，傅干华，殷新建，
申请(专利权)人：中国建材国际工程集团有限公司，成都中建材光电材料有限公司，中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31