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本发明提供一种用于半导体薄膜真空气相沉积生产的分段破空装置及方法，分段破空装置包括沿基板移动方向先后设置的薄膜沉积区、缓冲过渡区、以及慢冷区，薄膜沉积区、缓冲过渡区、以及慢冷区都为真空腔室，慢冷区内的真空度比薄膜沉积区内的真空度低10倍以上...该专利属于中国建材国际工程集团有限公司;成都中建材光电材料有限公司;中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国建材国际工程集团有限公司;成都中建材光电材料有限公司;中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司授权不得商用。