一种半导体含氟废水的处理方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体含氟废水的处理方法，属于废水处理领域。该处理方法包括以下步骤：往待处理的废水中添加钙盐以及调理后的污泥进行搅拌反应，得到反应液；往所述反应液中添加絮凝剂后，再进行泥水分离，得到含氟化钙的污泥以及处理后的清水；其中，所述调理后的污泥的获取方法包括以下步骤：往所述含氟化钙的污泥中添加钙盐进行调理，得到所述调理后的污泥。本发明专利技术实施例提供的一种半导体含氟废水的处理方法，可应用于半导体废水的处理项目，其工艺流程缩短，处理后的氟化物排放稳定达标，另外，该方法所采用的钙盐、絮凝剂等沉淀药剂的使用量可节省30％，产生的污泥量可减少40％。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体含氟废水的处理方法
本专利技术涉及废水处理领域，具体是一种半导体含氟废水的处理方法。
技术介绍
目前，半导体工业已经超过传统的钢铁工业、汽车工业，成为了一种高附加值、高科技产业。半导体主要生产工序包括：硅片清洗、氧化/扩散、化学气相沉积、光刻、去胶、干法刻蚀、湿法腐蚀、离子注入、金属化、化学机械抛光、检测。其中刻蚀等工序中使用的氢氟酸、氟化铵等，会导致含氟废水的产生。氟是一种与人体健康密切相关的微量元素，适量的氟能促进牙齿和骨骼的钙化，对神经兴奋的传导以及参与体内酶的代谢都能起到一定的作用，但是过量的氟无论是对人体、土壤还是动植物而言都有很大的危害。目前，现有用于处理工业含氟废水的方法主要有化学沉淀法、絮凝沉淀法、吸附法、流化床结晶法、反渗透法、电凝聚法、离子交换法等。其中，半导体行业含氟废水主要采用化学沉淀法处理，目前普遍采用的化学沉淀工艺为二级沉淀除氟工艺，虽然该工艺可以满足处理排放达标，但是仍然存在很多不足，譬如沉淀药剂投加量大、产生的污泥量也比较多，另外，二级沉淀工艺还造成工程占地面积的增大。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体含氟废水的处理方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术实施例提供如下技术方案：一种半导体含氟废水的处理方法，其包括以下步骤：往待处理的废水中添加钙盐以及调理后的污泥进行搅拌反应，得到反应液；往所述反应液中添加絮凝剂后，再进行泥水分离，得到含氟化钙的污泥以及处理后的清水；<br>所述调理后的污泥的获取方法包括以下步骤：往所述含氟化钙的污泥中添加钙盐进行调理，得到所述调理后的污泥。作为本专利技术实施例的一个优选方案，所述往待处理的废水中添加钙盐以及调理后的污泥进行搅拌反应，得到反应液的步骤，具体包括：往待处理的废水中添加氢氧化钙以及调理后的污泥进行搅拌反应，得到反应液。作为本专利技术实施例的另一个优选方案，所述往待处理的废水中添加钙盐以及调理后的污泥进行搅拌反应，得到反应液的步骤，具体包括：往待处理的废水中添加氯化钙、氢氧化钠以及调理后的污泥进行搅拌反应，得到反应液。作为本专利技术实施例的另一个优选方案，所述往所述含氟化钙的污泥中添加钙盐进行调理，得到所述调理后的污泥的步骤，具体包括：往所述含氟化钙的污泥中添加氢氧化钙进行调理，得到所述调理后的污泥。作为本专利技术实施例的另一个优选方案，所述往所述含氟化钙的污泥中添加钙盐进行调理，得到所述调理后的污泥的步骤，具体包括：往所述含氟化钙的污泥中添加氯化钙、氢氧化钠进行调理，得到所述调理后的污泥。作为本专利技术实施例的另一个优选方案，所述絮凝剂为聚合氯化铝和/或聚丙烯酰胺。作为本专利技术实施例的另一个优选方案，所述调理后的污泥与待处理的废水反应产生悬浮物的质量比为(0.1～0.3):1。与现有技术相比，本专利技术实施例的有益效果是：本专利技术实施例提供了一种半导体含氟废水的处理方法，可应用于半导体废水的处理项目，其工艺流程缩短，与现有的二级沉淀法相比，其总投资可减少20％，占地面积减小40％，处理后的氟化物排放稳定达标(实际检测氟化物含量均≤10mg/L)，处理后的清水的pH值基本无需再加酸回调，另外，该方法所采用的钙盐、絮凝剂等沉淀药剂的使用量可节省30％，产生的污泥量可减少40％，综合运行成本可节省约30％。除此之外，本专利技术实施例提供的处理方法也可适用于其它行业的含氟废水的处理。附图说明图1为本专利技术实施例1提供的一种半导体含氟废水的处理方法的工艺流程图。图2为本专利技术实施例2～4提供的一种半导体含氟废水的处理方法的工艺流程图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。另外，下述实施例中所涉及的设备和试剂未经特别注明的话，均可采用市售的设备和试剂。实施例1如附图1所示，该实施例提供了一种半导体含氟废水的处理方法，其包括以下步骤：S1、先将原水槽中的待处理的废水送入反应槽内，反应槽内可设置pH计来监测反应槽内的pH值；接着，在搅拌机搅拌的条件下，根据反应槽内溶液的pH，通过加药泵向反应槽内加入氢氧化钙，同时将污泥反应槽中反应得到的调理后的污泥回流至反应槽内参与沉淀反应，以为沉淀反应提供晶种，得到反应液。其中，调理后的污泥与待处理的废水反应产生悬浮物的质量比可控制在0.1:1，即回流比为10％。S2、使上述得到的反应液流入凝集槽内，并往凝集槽内投加聚合氯化铝(PAC)和聚丙烯酰胺(PAM)絮凝剂，进一步加强絮凝和凝集，得到泥水；接着，使泥水流入沉淀槽内进行泥水分离，分离后的上清液(即为处理后的清水)可排放到下一工序进行处理；分离后得到含氟化钙的污泥可通过沉淀槽的底部设置的污泥回流泵回流至污泥反应槽内。S3、往污泥反应槽中添加氢氧化钙，通过氢氧化钙对污泥反应槽内的含氟化钙的污泥中进行调理4min，即可得到调理后的污泥；调理后的污泥可回流至反应槽内与待处理的废水进行反应。其中，投加氢氧化钙的比例是总投加氢氧化钙比例的20％，通过调理污泥，先在回流污泥中加入氢氧化钙，再与废水反应，能够使加快反应速度，使反应更加充分，更容易形成高密度污泥，同时这样节省了加入钙盐的量。其中，氟化钙的沉淀按其物理性质不同，可粗略分为两类：一类是晶形沉淀；另一类是无定形沉淀(胶状沉淀)。晶形沉淀是由较大的沉淀颗粒组成的，内部排列较规则，结构紧密，所以易于沉淀；无定形沉淀是由许多疏松聚集在一起的微小沉淀颗粒组成的，是疏松的絮状沉淀。现有只通过添加沉淀药剂来沉淀除氟工艺形成的大多是无定形的氟化钙，而上述实施例采用的处理方法通过回流高密度的调理后的污泥参与沉淀反应，可以为沉淀反应提供晶种，使沉淀反应生成更多的晶型沉淀的氟化钙，从而可以提高沉淀效率，以降低氢氧化钙和絮凝剂等药剂的添加量。实施例2如附图2所示，该实施例提供了一种半导体含氟废水的处理方法，其包括以下步骤：S1、先将原水槽中的待处理的废水送入反应槽内，反应槽内可设置pH计来监测反应槽内的pH值；接着，在搅拌机搅拌的条件下，通过加药泵向反应槽内加入氯化钙，根据反应槽内溶液的pH，通过加药泵向反应槽内加入氢氧化钠6～8之间，PH值控制在同时，将污泥反应槽中反应得到的调理后的污泥回流至反应槽内参与沉淀反应，以为沉淀反应提供晶种，得到反应液。其中，调理后的污泥与待处理的废水中的悬浮物的质量比可控制在0.1:1，即回流比为10％。S2、使上述得到的反应液流入凝集槽内，并往凝集槽内投加聚合氯化铝(PAC)和聚丙烯酰胺(PAM)絮凝剂，进一步加强絮凝和凝集，得到泥水；接着，使泥水流入沉淀槽内进行泥水分离，分离后的上清液(即为处理后的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体含氟废水的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：/n往待处理的废水中添加钙盐以及调理后的污泥进行搅拌反应，得到反应液；/n往所述反应液中添加絮凝剂后，再进行泥水分离，得到含氟化钙的污泥以及处理后的清水；/n所述调理后的污泥的获取方法包括以下步骤：/n往所述含氟化钙的污泥中添加钙盐进行调理，得到所述调理后的污泥。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体含氟废水的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
往待处理的废水中添加钙盐以及调理后的污泥进行搅拌反应，得到反应液；
往所述反应液中添加絮凝剂后，再进行泥水分离，得到含氟化钙的污泥以及处理后的清水；
所述调理后的污泥的获取方法包括以下步骤：
往所述含氟化钙的污泥中添加钙盐进行调理，得到所述调理后的污泥。


2.根据权利要求1所述的一种半导体含氟废水的处理方法，其特征在于，所述往待处理的废水中添加钙盐以及调理后的污泥进行搅拌反应，得到反应液的步骤，具体包括：
往待处理的废水中添加氢氧化钙以及调理后的污泥进行搅拌反应，得到反应液。


3.根据权利要求1所述的一种半导体含氟废水的处理方法，其特征在于，所述往待处理的废水中添加钙盐以及调理后的污泥进行搅拌反应，得到反应液的步骤，具体包括：
往待处理的废水中添加氯化钙、氢氧化钠以及调理后的污泥进行搅拌...

【专利技术属性】
技术研发人员：张宏飞，徐峰，乔德飞，张计涛，袁野，马立剑，倪萍，殷明威，陈凡凡，明梦，严倩，吴嘉俊，葛虹序，张林方，
申请(专利权)人：苏州晟德水处理有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32