一种晶体纳米二氧化硅及其制备方法技术

本发明专利技术属于纳米材料技术领域，具体涉及一种晶体纳米二氧化硅及其制备方法。所述晶体纳米二氧化硅的制备方法，包括以下步骤：将硅源、碱和有机修饰剂按摩尔比为1:（0.05～0.2）:（0.1～1）加入到反应介质中，在温度为260～380℃、压力为30～40 MPa下条件反应30～500 h，经后处理即得晶体纳米二氧化硅。本发明专利技术制备的纳米二氧化硅具有完整晶型结构且修饰有有机官能团，提高了其在有机介质中的分散性，可应用于电子封装材料、机械润滑、陶瓷等行业。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体纳米二氧化硅及其制备方法
本专利技术属于纳米材料
，具体涉及一种晶体纳米二氧化硅及其制备方法。
技术介绍
晶体二氧化硅具有质地坚硬、耐磨性好、化学性能稳定、高介电、热膨胀系数低、电绝缘性好、抗紫外线的优点，广泛应用于超塑性材料、绝缘材料、电极材料、超导材料等新型功能性材料。现在国内使用的晶体二氧化硅主要来至进口，产品粒径分布宽，且杂质含量高。目前，晶体二氧化硅主要是利用物理方法制备，它是通过机械方式将石英粉碎为一定尺寸的超细石英粉，通过筛分得到不同尺寸分布的晶体二氧化硅，但是物理法制备晶体二氧化硅成本高、尺寸和形貌难以控制，且纯度受原料影响大。利用化学方法制备晶体二氧化硅鲜有报道，主要是由于利用化学法生长过程中需要高温高压条件，且制备过程中难以控制晶体颗粒的尺寸，所制备产品分散性差、团聚严重、颗粒尺寸大，难以实现在500nm以下尺寸高效制备。中国专利申请号CN201110360535.6公开了一种碳包覆制备单分散晶体二氧化硅球形颗粒的方法，其通过在颗粒尺寸为5nm~20µm的单分散球形纳米二氧化硅上包覆一层50~200nm本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶体纳米二氧化硅的制备方法，其特征在于，将硅源、碱和有机修饰剂按摩尔比为1:（0.05～0.2）:（0.1～1）加入到反应介质中，在温度为260～380 ℃、压力为30～40 MPa下反应30～500 h，经后处理即得晶体纳米二氧化硅。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶体纳米二氧化硅的制备方法，其特征在于，将硅源、碱和有机修饰剂按摩尔比为1:（0.05～0.2）:（0.1～1）加入到反应介质中，在温度为260～380℃、压力为30～40MPa下反应30～500h，经后处理即得晶体纳米二氧化硅。


2.根据权利要求1所述晶体纳米二氧化硅的制备方法，其特征在于，所述硅源为硅酸钠、偏硅酸钠、石英砂中的至少一种。


3.根据权利要求1所述晶体纳米二氧化硅的制备方法，其特征在于，所述碱为氢氧化钠、碳酸钠、碳酸氢钠中的至少一种。


4.根据权利要求1所述晶体纳米二氧化硅的制备方法，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张治军，李小红，刘培松，高春浩，
申请(专利权)人：河南大学，河南河大纳米材料工程研究中心有限公司，
类型：发明
国别省市：河南;41