熔融球状二氧化硅粉末及其制造方法技术

本发明专利技术所要解决的问题在于，提供一种二氧化硅粉末，为了确保流动性在一定程度上包含粒径较大的粒子，又将粒子内存在的气泡量减少至在用于晶圆级/封装型半导体的封装材料用填充材料等用途时也实质上没有问题的水平。本发明专利技术涉及一种熔融球状二氧化硅粉末，其特征在于，在通过激光衍射进行测定时，累积体积95％粒径(d95)在5μm～30μm的范围，将该熔融球状二氧化硅粉末与环氧树脂按质量比1∶1进行混炼，对固化后的固化体的一部分进行研磨，在对露出的二氧化硅截面以1000倍进行显微镜观察时能检测到的最长径5μm以上的气泡的数量是每10cm

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】熔融球状二氧化硅粉末及其制造方法
本专利技术涉及一种新型熔融球状二氧化硅粉末及其制造方法。详细而言，涉及一种适合用于半导体封装材料的填充材料等、气泡含量少的熔融球状二氧化硅粉末及其制造方法。
技术介绍
二氧化硅被用于各种用途，作为用途之一，有时作为半导体封装材料的填充材料使用。在用作半导体封装材料的填充材料的情况下，除了电绝缘性之外，还要求高导热性、低热膨胀性，为了满足这些物性而要求填料的高填充化。为了得到高的填充性，作为填充材料，与粒径完全一致的材料相比，具有一定程度的粒度分布的材料更好。而且，粒径大的材料有能提高填充率的倾向。此外，同时要求高的成型性，期望填充有填料的树脂的流动性，即低粘性(温度：25℃、剪切速率：1s－1时粘度：1000Pa·s以下)。为了得到这样的流动性，近年来，用作填充材料的二氧化硅通常使用球状的二氧化硅。而且，由于越来越推进的半导体的薄型化、微细化、晶圆级的大量个数的批量封装化(一括封止化)，在填料的最大容许粒径趋于小粒径化、高填充变得困难的情况下，维持填料的高填充率的必要性越来越高。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种熔融球状二氧化硅粉末，其特征在于，/n在通过激光衍射进行测定时，累积体积95％粒径d95在5μm～30μm的范围，/n将该熔融球状二氧化硅粉末与环氧树脂按质量比1∶1进行混炼，对固化后的固化体的一部分进行研磨，在对露出的二氧化硅截面以1000倍进行显微镜观察时能检测到的最长径5μm以上的气泡的数量是每10cm

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180301 JP 2018-0361001.一种熔融球状二氧化硅粉末，其特征在于，
在通过激光衍射进行测定时，累积体积95％粒径d95在5μm～30μm的范围，
将该熔融球状二氧化硅粉末与环氧树脂按质量比1∶1进行混炼，对固化后的固化体的一部分进行研磨，在对露出的二氧化硅截面以1000倍进行显微镜观察时能检测到的最长径5μm以上的气泡的数量是每10cm2所述固化体研磨面为50个以下。


2.根据权利要求1所述的熔融球状二氧化硅粉末，其中，
粒子表面经硅烷化合物和/或硅烷偶联剂处理。


3.根据权利要求1所述的熔融球状二氧化硅粉末，其中，
BET比表面积在1.0m2/g～5.0m2/g的范围。


4.根据权利要求2所述的熔融球状二氧化硅粉末，其中，
BET比表面积在1.0m2/g～5.0m2/g的范围。


5.根据权利要求1所述的熔融球状二氧化硅粉末，其中，
所述熔融球状二氧化硅粉末用于液态半导体封装材料的填充材料。


6.根据权利要求2所述的熔融球状二氧化硅粉末，其中，
所述熔融球状二氧化硅粉末用于液态半导体封装材料的填充材料。


7.根据权利要求3所述的熔融球状二氧化硅粉末，其中，
所述熔融球状二氧化硅粉末用于液态半导体封装材料的填充材料。


8.一种权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：浦川孝雄，永野尊凡，柏木政斗，梶山俊重，
申请(专利权)人：株式会社德山，
类型：发明
国别省市：日本;JP