一种本振多注入方式的三极管混频实验装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及混频技术领域，具体涉及一种本振多注入方式的三极管混频实验装置，包括依次连接的本振信号发生器模块，射极跟随器模块和混频器模块。本多注入方式的三极管混频实验装置可通过切换开关来选择本振信号的注入方式，且具有放大混频增益，谐波小的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种本振多注入方式的三极管混频实验装置
本技术属于混频
，尤其涉及一种本振多注入方式的三极管混频实验装置。
技术介绍
混频电路是一种频谱搬移电路，指能将高频载波信号或已调波信号进行频率变换，将其变换为某一特定固定频率的信号，而变换后的信号，它的频谱内部结构和调制类型保持不变，改变的仅仅是信号的载波频率。混频电路的类型较多，常用的有模拟相乘混频器、二极管平衡混频器、环型混频器、三极管混频器等，其中三极管混频器最为常用。混频电路和变频电路均属于这种电路类型。变频电路和混频电路在电路功能上完全一样，都属于频谱搬移类电路，区别仅在于电路结构。混频电路配有独立的本振信号产生电路，其中混频管、本振管各自独立工作。而变频电路多为“本振”、“混频”共用一级晶体管，它具有电路简单、使用元件少的优点，但也存在混频增益低，稳定性差等缺点，它常用于对电路指标要求不高的设备。如大多数收音机都采用变频电路，而混频电路由于工作稳定性好，常用于电气指标要求较高的设备，如电视机电路、无线电通信电路等方面。三极管混频电路根据“本振”信号的注入点不同，而分为“基极注入“和”射极注入”两种电路形式。根据三极管的型号不同，注入的本振电压要求也有所不同，一般应选择在200～400mVPP之间。混频管直流偏置电压是否合适，也是影响电路混频增益的重要条件。混频管应有一个最佳静态直流工作点。集电极电流IC过大或者过小，都会使混频器的混频增益降低。一般情况下，混频管的静态工作电流IC应控制在0.2～1mA之间比较合适。混频电路的主要技术指标有混频电压增益和混频噪声与干扰。混频增益是指混频电路输出的中频信号电压振幅Vgm与混频电路输入信号Vsm之比，常用分贝数dB来表示。混频电路在工作中，会产生很多新的组合频率成分，晶体管工作时也会产生噪声信号。还有电路外其他干扰因素，这些因素都会给混频器造成干扰，称为混频干扰。一个性能良好的混频电路应具备混频增益高、失真度小、噪声系数小等性能指标。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种能够选择基极注入本振或者射极注入本振信号方式实现混频的装置。为实现上述目的，本技术采用的技术方案是：一种本振多注入方式的三极管混频实验装置，包括依次连接的本振信号发生器模块，射极跟随器模块和混频器模块。在上述的本振多注入方式的三极管混频实验装置中，本振信号发生器模块包括BG1晶体及外围元件。在上述的本振多注入方式的三极管混频实验装置中，射极跟随器模块包括BG2，用于调整BG2射极电位器W1中心点的位置，从而调整本振输出电压幅度。在上述的本振多注入方式的三极管混频实验装置中，混频器模块包括三极管混频管BG3和外围元件中周滤波器B2。本技术的有益效果：1、通过切换开关来选择基极注入本振或者射极注入；2、放大混频增益；3、谐波小。附图说明图1是本技术一个实施例系统组成框图；图2是本技术一个实施例系统电路图。具体实施方式下面结合附图对本技术的实施方式进行详细描述。在进行混频实验中，三极管混频装置的本振信号注入的可选择性受限。多注入方式的三极管混频实验装置能很好地解决上述问题，实现了通过切换开关来选择基极注入本振或者射极注入。如图1所示，一种本振多注入方式的三极管混频实验装置，包括以下模块：混频器模块，本振信号发生器模块，射极跟随器模块。本振信号发生器模块，射极跟随器模块，混频器模块依次连接。射极跟随器模块通过切换开关来选择基极注入本振或者射极注入。如图2所示，三极管混频管和外围元件中周滤波器共同组成混频和选频电路。为混频级提供载波信号的本振电路由BG1晶体及外围元件组成。BG2为一级射随器电路，是为了方便调整本振输出电压幅度而设置的电路。并且，混频器模块由三极管混频管BG3和外围元件中周滤波器B2共同组成。EC1端口为三极管混频电路的供电端口。F0端口为载波信号输入端，信号经电容C10分别耦合到三极管混频器和集成混频器。并且，本振信号发生器模块由BG1晶体及外围元件组成，为混频级提供载波信号，本振信号发生器模块的电压输入是12V。本振频率由晶体固有振荡频率决定，其频率值一般直接印制在晶体元件上。带通滤波器由高频中周变压器组成，该中周内部已包含有中频谐振电容器C0，它和中周电感L共同并联谐振于455kHz频率点上，选出的中频频率信号经由中频变压器(中周)次级线圈耦合输出。并且，射极跟随器模块主要由BG2组成，为了方便调整本振输出电压幅度而设置。调整BG2射极电位器W1中心点的位置，可以很方便地控制注入到混频级的本振信号强度。开关K1是注入方式切换开关。通过它可以选择本振信号是从基极注入或是从射极注入两种本振注入工作方式。将开关K1拨至l挡，选择射极本振注入工作方式；开关K1拨至2挡，选择基极本振注入工作方式。应当理解的是，本说明书未详细阐述的部分均属于现有技术。虽然以上结合附图描述了本技术的具体实施方式，但是本领域普通技术人员应当理解，这些仅是举例说明，可以对这些实施方式做出多种变形或修改，而不背离本技术的原理和实质。本技术的范围仅由所附权利要求书限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种本振多注入方式的三极管混频实验装置，其特征是，包括依次连接的本振信号发生器模块，射极跟随器模块和混频器模块。/n

【技术特征摘要】
1.一种本振多注入方式的三极管混频实验装置，其特征是，包括依次连接的本振信号发生器模块，射极跟随器模块和混频器模块。


2.如权利要求1所述的本振多注入方式的三极管混频实验装置，其特征是，本振信号发生器模块包括BG1晶体及外围元件。


3.如权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡凌云，余则霖，金伟正，
申请(专利权)人：武汉大学，
类型：新型
国别省市：湖北;42