基于二氧化钛光子晶体的氮化镓基面激光器及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于二氧化钛光子晶体的面发射型氮化镓基激光器及制备方法，包括蓝宝石衬底层、n‑GaN层、n‑AlGaN层、波导n‑GaN层、n‑电极、InGaN/GaN成对组成的多层量子阱有源层、p‑GaN层、p‑电极、TiO

【技术实现步骤摘要】
基于二氧化钛光子晶体的氮化镓基面激光器及制备方法
本专利技术公开了基于二氧化钛光子晶体的氮化镓基面激光器及制备方法，涉及属于有源光子器件领域。
技术介绍
光子晶体面发射型激光器（PCSEL）具有发射面积大、能量高、发散角小、单模性好等优点，而基于氮化镓（GaN）材料的短波长/蓝光激光器在高速通信、显示系统、高密度存储器等领域具有广泛的应用并能实现出色的性能和应用前景。然而目前氮化镓基光子晶体面发射型激光器的报道都是基于在GaN内部掩埋空气孔形成光子晶体（PC），或是从表面GaN刻穿透有源量子阱层得到光子晶体。第一种方法工艺复杂，难度较高，且未能得到较好的光场与PC区的耦合强度；第二种方法对GaN体系和有源层产生了破坏，一般只能实现光泵浦激光。
技术实现思路
本专利技术针对上述
技术介绍
中的缺陷，提供基于二氧化钛光子晶体的氮化镓基面激光器及制备方法，结构简单，性能优异，制备简单。为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案如下：基于二氧化钛光子晶体的氮化镓基面发射型激光器，包括蓝宝石衬底层；n-GaN本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.基于二氧化钛光子晶体的氮化镓基面发射型激光器，其特征在于，包括/n蓝宝石衬底层；/nn-GaN层，位于蓝宝石衬底层之上；/nn-AlGaN层，位于n-GaN层之上；/n波导n-GaN层，位于n-AlGaN层之上；/nMQWs层，位于波导n-GaN层之上；/np-GaN层，位于波导MQWs层之上；/nTiO

【技术特征摘要】
1.基于二氧化钛光子晶体的氮化镓基面发射型激光器，其特征在于，包括
蓝宝石衬底层；
n-GaN层，位于蓝宝石衬底层之上；
n-AlGaN层，位于n-GaN层之上；
波导n-GaN层，位于n-AlGaN层之上；
MQWs层，位于波导n-GaN层之上；
p-GaN层，位于波导MQWs层之上；
TiO2光子晶体层，位于p-GaN层之上；
n-电极，n-电极在波导n-GaN层的表面；
p-电极，p-电极在p-GaN层的表面。


2.根据权利要求1所述的基于二氧化钛光子晶体的氮化镓基面发射型激光器，其特征在于，TiO2光子晶体层是将TiO2层进行刻透形成周期性孔洞的结构，光子晶体的晶格类型为正方晶格或三角晶格或蜂窝型晶格，周期为150~250nm，孔半径为10~100nm。


3.根据权利要求1所述的基于二氧化钛光子晶体的氮化镓基面发射型激光器，其特征在于，所述n-电极和p-电极采用四周环形电极结构、中心实心电极结构、边角电极结构和光泵浦结构设计。


4.根据权利要求1所述的基于二氧化钛光子晶体的氮化镓基面发射型激光器，...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘启发，刘美玉，许涵蕾，徐嘉琪，皇甫甜，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32