一种太阳电池结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种太阳电池结构及其制备方法，所述电池结构包括：支撑衬底，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；下电极，设置于支撑衬底的第一表面之上；键合金属层，设置在支撑衬底的第二表面之上；外延叠层，设置于键合金属层之上；上电极，设置于外延层之上；所述电池结构存在因键合不牢固，外延层脱落而导致键合金属层裸露的爆点；其特征在于：还包含绝缘保护层，位于所述爆点区域之上。采用本发明专利技术中的太阳电池结构，可有效解决爆点导致太阳电池漏电或者短路的问题，保持爆点区域次栅线的连贯性，提高光生电流收集能力，从而有效提高大面积太阳电池产品良率。

【技术实现步骤摘要】
一种太阳电池结构及其制备方法
本专利技术涉及一种太阳电池结构及其制备方法，属于半导体电子器件领域。
技术介绍
键合是制备倒装太阳电池常用的一种方法，将外延片与衬底清洗和活化处理后，在高温、高压条件下直接结合，通过范德华力、分子力甚至原子力使晶片键合成为一体的技术。键合时，由于外延片表面颗粒、引入脏污颗粒或晶格位错等原因，上述区域存在键合不牢的问题，导致外延层爆开、脱落，从而键合金属层裸露。爆点区域存在大量载流子复合中心，致使太阳电池器件漏电，导致太阳电池性能不达标；假如在爆点区域蒸镀次栅线，会直接导致太阳电池器件短路。对于大尺寸太阳电池，上述爆点会直接降低产品的良率，因此解决由上述爆点引起的太阳电池漏电或者短路的问题变得尤为重要。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足，本专利技术提出一种太阳电池结构，所述太阳电池结构包括：支撑衬底，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；下电极，设置于支撑衬底的第一表面之上；键合金属层，设置在支撑衬底的第二表面之上；外延叠层，设置于键合金属层之上；上电极，设置于外延层之上；所述电池结构存在因本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳电池结构，包括：支撑衬底，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；下电极，设置于支撑衬底的第一表面之上；键合金属层，设置在支撑衬底的第二表面之上；外延叠层，设置于键合金属层之上；上电极，设置于外延层之上；所述电池结构存在因键合不牢固，外延层脱落而导致键合金属层裸露的爆点；其特征在于：还包含绝缘保护层，位于所述爆点区域之上。/n

【技术特征摘要】
1.一种太阳电池结构，包括：支撑衬底，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；下电极，设置于支撑衬底的第一表面之上；键合金属层，设置在支撑衬底的第二表面之上；外延叠层，设置于键合金属层之上；上电极，设置于外延层之上；所述电池结构存在因键合不牢固，外延层脱落而导致键合金属层裸露的爆点；其特征在于：还包含绝缘保护层，位于所述爆点区域之上。


2.根据权利要求1所述的一种太阳电池结构，其特征在于：所述上电极由Pad、主栅线和次栅线组成，所述次栅线可以直接在爆点区域上蒸镀。


3.根据权利要求1所述的一种太阳电池结构，其特征在于：所述外延叠层由双结结构或者多结结构组成。


4.根据权利要求1所述的一种太阳电池结构，其特征在于：所述爆点的深度约为5~25μm。


5.根据权利要求1所述的一种太阳电池结构，其特征在于：所述爆点的直径约为10-1000μm。


6.根据权利要求1所述的一种太阳电池结构，其特征在于：在爆点区域沉积绝缘保护层之前，先对所述爆点区域进行化学选择性腐蚀钝化处理。


7.根据权利要求1所述的一种太阳电池结构，其特征在于：所述绝缘保护层为MgF2、Ti3O5、SiO2、SiNx材料组成的单层或多层膜结构。


8.根据权利要求1所述的一种太阳电池结构，其特征在于：所述绝缘保护层的厚度为0.1~5μ...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯康宁，宋明辉，魏成泰，刘冠洲，陈文浚，
申请(专利权)人：天津三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：天津;12