【技术实现步骤摘要】
三结叠层太阳能电池及其制备方法
本申请涉及太阳能电池领域,特别是涉及一种三结叠层太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
太阳能光伏发电在全球取得长足发展。常用太阳能电池一般包括晶硅太阳能电池、薄膜太阳能电池、砷化镓(GaAs)太阳能电池等。其中,反向晶格失配三结叠层砷化镓太阳能电池由于实现了子电池禁带宽度和光谱的理想匹配,具有更高的光电转换效率,因此得到了人们的青睐。目前,反向晶格失配三结叠层砷化镓太阳能电池的实验室转换效率已经实现了37.9%(AM1.5)。传统技术的反向晶格失配三结叠层太阳能电池主要为GaInP/GaInAs/GaInAs三结叠层太阳能电池。然而,传统技术的反向晶格失配三结砷化镓三结叠层电池存在电池抗辐照性能差的问题。
技术实现思路
基于此,有必要针对抗辐照性能差问题,提供一种三结叠层太阳能电池及其制备方法。一种三结叠层太阳能电池,包括依次叠层设置的底电池、中间电池和顶电池,所述底电池和所述中间电池通过所述第一隧穿结连接,所述中间电池和所述顶电池通过第二隧穿结连接,其中,所 ...
【技术保护点】
1.一种三结叠层太阳能电池,其特征在于,包括依次叠层设置的底电池(100)、中间电池(200)和顶电池(300),所述底电池(100)和所述中间电池(200)通过第一隧穿结(400)连接,所述中间电池(200)和所述顶电池(300)通过第二隧穿结(500)连接,其中,所述底电池(100)为CIGS太阳能电池。/n
【技术特征摘要】
1.一种三结叠层太阳能电池,其特征在于,包括依次叠层设置的底电池(100)、中间电池(200)和顶电池(300),所述底电池(100)和所述中间电池(200)通过第一隧穿结(400)连接,所述中间电池(200)和所述顶电池(300)通过第二隧穿结(500)连接,其中,所述底电池(100)为CIGS太阳能电池。
2.根据权利要求1所述的三结叠层太阳能电池,其特征在于,所述中间电池(200)为GaAs太阳能电池。
3.根据权利要求2所述的三结叠层太阳能电池,其特征在于,所述顶电池(300)为GaInP太阳能电池。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的三结叠层太阳能电池,其特征在于,所述第一隧穿结(400)包括叠层设置的隧穿层(410)和键合层(420),所述隧穿层(410)与所述中间电池(200)连接,所述键合层(420)与所述底电池(100)连接。
5.根据权利要求4所述的三结叠层太阳能电池,其特征在于,所述隧穿层(410)包括叠层设置的第一p型AlGaAs层(411)和第一n型GaInP层(412),所述第一n型GaInP层(412)与所述键合层(420)连接。
6.根据权利要求5所述的三结叠层太阳能电池,其特征在于,所述键合层(420)为GaAs材料制成。
7.一种三结叠层太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括:
S10,外延生长制备GaInP/GaAs双结子电池(11);
S20,制备CIGS子电池(12);
S30,将所述GaInP/GaAs双结子电池(11)和所述C...
【专利技术属性】
技术研发人员:方亮,曾燕,张皓,
申请(专利权)人:君泰创新北京科技有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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