一种四结级联太阳电池及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种四结级联太阳电池及其制备方法。该太阳电池包括自上而下依次设置的背面电极、InGaAs/InGaAsP/InAlAs三结太阳电池、MoS

【技术实现步骤摘要】
一种四结级联太阳电池及其制备方法
本专利技术涉及太阳能电池领域，尤其涉及一种基于MoS2/InP范德瓦尔斯异质结的四结级联太阳电池及其制备方法。
技术介绍
太阳能是一种取之不尽用之不竭对环境无污染的清洁能源，而且是可以直接开发和利用的可再生资源。太阳能在发电过程中不会对环境造成污染且不产生温室效应，它是一种环保的可再生发电方式。根据Shockley-Quisser模型计算得到的多结电池带隙组合为1.90/1.44/1.04/0.7eV的四结太阳电池在一个太阳下的转换效率可超过56％。据报道，基于InP晶格生长的太阳电池是一种很有潜力的III-V族直接带隙半导体材料，在InP衬底上生长晶格匹配的(1.47eV)InAlAs/(1.06eV)InGaAsP/(0.74eV)InGaAs三结太阳电池，在100倍聚光条件下，该电池的光电转换效率可超过46％。该三结电池在满足电流匹配的原则下，可增加第四结带隙宽度约为1.9eV的晶格匹配电池以增大太阳光谱的吸收范围，提高太阳电池光电转换效率。单层二硫化钼的光致发光光谱的主峰在1.9eV，其吸收系数本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种四结级联太阳电池，其特征在于，包括自上而下依次设置的背面电极、InGaAs/InGaAsP/InAlAs三结太阳电池、MoS

【技术特征摘要】
1.一种四结级联太阳电池，其特征在于，包括自上而下依次设置的背面电极、InGaAs/InGaAsP/InAlAs三结太阳电池、MoS2/InP范德瓦尔斯异质结以及正面电极；其中，所述InGaAs/InGaAsP/InAlAs三结太阳电池为PN结型三结电池，所述MoS2/InP范德瓦尔斯异质结包括InP导电衬底及覆设于所述导电衬底一端面的二硫化钼层；所述四结级联太阳电池为基于MoS2/InP范德瓦尔斯异质结倒置生长的四结级联太阳电池。


2.根据权利要求1所述的四结级联太阳电池，其特征在于，所述PN结型三结电池的衬底为P-InP衬底。


3.根据权利要求1或2所述的四结级联太阳电池，其特征在于，所述PN结型三结电池的带隙沿远离被剥离InP导电衬底的方向逐渐减小，并且所述PN结型三结电池的带隙小于MoS2/InP范德瓦尔斯异质结的带隙。


4.根据权利要求1或2所述的四结级联太阳电池，其特征在于，所述PN结型三结电池的带隙大于二硫化钼/半导体单结电池的带隙。


5.根据权利要求1所述的四结级联太阳电池，其特征在于，所述二硫化钼采用单层二硫化钼。


6.根据权利要求1所述的四结级联太阳电池，其特征在于，所述二硫化钼层的厚度不超过20nm。


7.一种四结级联太阳电池的制备方法，其特征在于，包括：
(1)提供在衬底上形成的PN结型三结电池和...

【专利技术属性】
技术研发人员：何洋，
申请(专利权)人：常州信息职业技术学院，
类型：发明
国别省市：江苏;32