一种无背面银电极HIT电池及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种无背面银电极HIT电池，包括硅片，硅片的正反面均镀有非晶硅层，正面非晶硅层表面镀有一层磷掺杂的N层，在背面非晶硅表面镀有一层硼掺杂的P层，在正面N层及背面P层表面均镀有一层透明导电层，在正面透明导电层表面印刷有银电极，在背面透明导电层表面镀有一层导电性好的金属导电膜层，在背面的金属导电膜层表面焊接有铜焊丝形成背面电极；在透明导电层表面还镀有金属过渡膜层；在金属导电膜层表面还镀有金属保护膜层。本发明专利技术结构的无背面电极HIT电池，其不仅极大降低了背面银浆使用成本，且有效提高了HIT电池的正面发电效率，且由于仅仅单面能发电，可以广泛应用在屋顶发电、太阳能瓦、太阳能驱动的电动汽车、飞行器等很多场景。

【技术实现步骤摘要】
一种无背面银电极HIT电池及其制造方法
本专利技术涉及太阳能电池
，特别涉及一种无背面银电极HIT电池及其制造方法。
技术介绍
光伏发电已经成为一种可替代化石能源的技术，这依赖于近年不断降低的生产成本和光电转换效率的提升。按照光伏电池片的材质，太阳能电池大致可以分为两类：一类是晶体硅太阳能电池，包括单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池；另一类是薄膜太阳能电池，主要包括非晶硅太阳能电池、碲化镉太阳能电池及铜铟镓硒太阳能电池等。目前，以高纯度硅材作为主要原材料的晶体硅太阳能电池是主流产品，所占的比例在80%以上。在晶体硅太阳能发电系统中，实现光电转换的最核心步骤之一是将晶体硅加工成实现光电转换的电池片的工序，因而电池片的光电转换效率也成为了体现晶体硅太阳能发电系统技术水平的关键指标。提升电池效率，建立钝化接触是关键。由于光生载流子在硅片内部快速运动，一旦接触表面就会导致复合而无法收集成电流发电。如果在表面镀一层特别的保护膜，像氧化硅、氮化硅、氧化铝、非晶硅等由于表面晶硅表面化学键的饱和以及薄膜和晶硅之间形成的电荷场，它们能有效阻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种无背面银电极HIT电池，其特征在于，包括硅片，硅片的正反面均镀有非晶硅层，正面非晶硅层表面镀有一层磷掺杂的N层，在背面非晶硅表面镀有一层硼掺杂的P层，在正面N层及背面P层表面均镀有一层透明导电层，在正面透明导电层表面印刷有银电极，在背面透明导电层表面镀有一层导电性好的金属导电膜层，在背面的金属导电膜层表面焊接有铜焊丝形成背面电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种无背面银电极HIT电池，其特征在于，包括硅片，硅片的正反面均镀有非晶硅层，正面非晶硅层表面镀有一层磷掺杂的N层，在背面非晶硅表面镀有一层硼掺杂的P层，在正面N层及背面P层表面均镀有一层透明导电层，在正面透明导电层表面印刷有银电极，在背面透明导电层表面镀有一层导电性好的金属导电膜层，在背面的金属导电膜层表面焊接有铜焊丝形成背面电极。


2.根据权利要求1所述的一种无背面银电极HIT电池，其特征在于，所述N层为磷掺杂的非晶硅、微晶硅或氧化微晶硅；所述P层为硼掺杂的非晶硅、微晶硅或氧化微晶硅。


3.根据权利要求1或2所述的一种无背面银电极HIT电池，其特征在于，所述非晶硅层的厚度为3~8nm；所述N层的厚度为3~8nm；所述P层的厚度为3~8nm；所述透明导电层的厚度是0~200nm；所述金属导电膜层的厚度为1000~20000nm。


4.根据权利要求1或2所述的一种无背面银电极HIT电池，其特征在于，在所述金属导电膜层的表面还镀有一层金属保护膜层以防止所述金属导电膜层腐蚀，其厚度为100~2000nm；所述铜焊丝焊接在所述金属保护膜层的表面形成背面电极。


5.根据权利要求1或2所述的一种无背面银电极HIT电池，其特征在于，在背面所述透明导电层的表面镀有一层金属过渡膜层，其厚度为0~1000nm；所述金属导电膜层镀在所述金属过渡膜层的表面，所述铜焊丝焊接在所述金属导电膜层的表面形成背面电极。


6.根据权利要求5所述的一种无背面银电极HIT电池，其特征在于，在所述金属导电膜层的表面还镀有一层金属保护膜层以防止所述金属导电膜层腐蚀，其厚度为100~2000nm；所述铜焊丝焊接在所述金属保护膜层的表面形成背面电极。

【专利技术属性】
技术研发人员：上官泉元，贾云涛，刘宁杰，刘强，
申请(专利权)人：常州比太黑硅科技有限公司，蒙城县比太新能源发展有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32