【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。
技术介绍
在半导体器件制造的工艺中，通常利用光刻工艺将掩膜版上的图形转移到衬底上。光刻过程包括：提供衬底；在衬底上形成光刻胶；对所述光刻胶进行曝光和显影，形成图案化的光刻胶，使得掩膜版上的图案转移到光刻胶中；以图案化的光刻胶为掩膜对衬底进行刻蚀，使得光刻胶上的图案转印到衬底中；去除光刻胶。随着半导体器件尺寸的不断缩小，光刻关键尺寸逐渐接近甚至超出了光刻的物理极限，由此给光刻技术提出了更加严峻的挑战。双重构图技术的基本思想是通过两次构图形成最终的目标图案，以克服单次构图不能达到的光刻极限。然而，现有的半导体器件的性能较差。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种半导体器件及其形成方法，以提高半导体器件的性能。为解决上述问题，本专利技术提供一种半导体器件的形成方法，包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层包括若干分立的第一区和若干分立的第二区，第一区和第二区沿第一方向相间排布，相邻的第一区和第二区...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：/n提供待刻蚀层，所述待刻蚀层包括若干分立的第一区和若干分立的第二区，第一区和第二区沿第一方向相间排布，相邻的第一区和第二区邻接，所述第二区包括第二槽区；/n在所述待刻蚀层的第一区和第二区上形成第一掩膜层；/n在第二槽区之外的第一掩膜层中注入掺杂离子；/n在第二区的第一掩膜层中形成分割掺杂层，所述分割掺杂层在第二方向上分割第二槽区的第一掩膜层，第二方向垂直于第一方向；/n在第二槽区之外的第一掩膜层中注入掺杂离子之后，且形成分割掺杂层之后，在第一区的第一掩膜层中形成第一槽；/n形成第一槽后，刻蚀去除分割掺杂层两侧第二槽区的第一掩...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供待刻蚀层，所述待刻蚀层包括若干分立的第一区和若干分立的第二区，第一区和第二区沿第一方向相间排布，相邻的第一区和第二区邻接，所述第二区包括第二槽区；
在所述待刻蚀层的第一区和第二区上形成第一掩膜层；
在第二槽区之外的第一掩膜层中注入掺杂离子；
在第二区的第一掩膜层中形成分割掺杂层，所述分割掺杂层在第二方向上分割第二槽区的第一掩膜层，第二方向垂直于第一方向；
在第二槽区之外的第一掩膜层中注入掺杂离子之后，且形成分割掺杂层之后，在第一区的第一掩膜层中形成第一槽；
形成第一槽后，刻蚀去除分割掺杂层两侧第二槽区的第一掩膜层，在第二区的第一掩膜层中形成第二槽，所述分割掺杂层在第二方向分割第二槽。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述掺杂离子包括硼离子或砷离子。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料包括非晶硅。
4.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在第二槽区之外的第一掩膜层中注入掺杂离子之后，形成所述分割掺杂层。
5.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述分割掺杂层后，在第二槽区之外的第一掩膜层中注入掺杂离子。
6.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，采用离子注入工艺在在第二区的部分第一掩膜层中注入掺杂离子，形成所述分割掺杂层。
7.根据权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在形成所述分割掺杂层的过程中，还在所述分割掺杂层沿第一方向上侧部的第一区第一掩膜层中注入掺杂离子。
8.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述分割掺杂层在第一方向上的尺寸为10纳米～60纳米，所述分割掺杂层在第二方向上的尺寸为10纳米～40纳米。
9.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，刻蚀去除分割掺杂层两侧第二槽区的第一掩膜层的工艺为湿法刻蚀工艺。
10.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在刻蚀去除分割掺杂层两侧第二槽区的第一掩膜层的过程中，对未注入有掺...
【专利技术属性】
技术研发人员：施维，胡友存，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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