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一种半导体器件及其形成方法，方法包括：在所述待刻蚀层的第一区和第二区上形成第一掩膜层；在第二槽区之外的第一掩膜层中注入掺杂离子；在第二区的第一掩膜层中形成分割掺杂层，所述分割掺杂层在第二方向上分割第二槽区的第一掩膜层，第二方向垂直于第一方向...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。