半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底表面具有待刻蚀材料层和位于待刻蚀材料层表面的若干相互分立的第一牺牲层，相邻第一牺牲层之间具有第一开口；对部分第一牺牲层注入第一掺杂离子，形成第一分割段；在所述第一开口的底部表面和侧壁表面形成掩膜材料层，且所述掩膜材料层覆盖所述第一牺牲层和第一分割段的顶部表面和侧壁表面；在所述第一开口内的掩膜材料层表面形成第二牺牲层，且所述第二牺牲层顶部表面齐平于掩膜材料层的顶部表面；对部分第二牺牲层注入第二掺杂离子，形成第二分割段。所述方法形成的半导体结构的性能较好。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
在半导体器件制造的工艺中，通常利用光刻工艺将掩膜版上的图形转移到衬底上。光刻过程包括：提供衬底；在衬底上形成光刻胶；对所述光刻胶进行曝光和显影，形成图案化的光刻胶，使得掩膜版上的图案转移到光刻胶中；以图案化的光刻胶为掩膜对衬底进行刻蚀，使得光刻胶上的图案转印到衬底中；去除光刻胶。随着半导体器件尺寸的不断缩小，光刻关键尺寸逐渐接近甚至超出了光刻的物理极限，由此给光刻技术提出了更加严峻的挑战。自对准双重图形化技术的基本思想是通过两次构图形成最终的目标图案，以克服单次构图不能突破的光刻极限。然而，现有的半导体结构的性能较差。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构及其形成方法，以提高形成的半导体结构的性能。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底表面具有待刻蚀材料层和位于待刻蚀材料层表面的若干相互分立的第一牺牲层，相邻第一牺牲层之间具有第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底，所述基底表面具有待刻蚀材料层和位于待刻蚀材料层表面的若干相互分立的第一牺牲层，相邻第一牺牲层之间具有第一开口；/n对部分第一牺牲层注入第一掺杂离子，形成第一分割段；/n在所述第一开口的底部表面和侧壁表面形成掩膜材料层，且所述掩膜材料层覆盖所述第一牺牲层和第一分割段的顶部表面和侧壁表面；/n在所述第一开口内的掩膜材料层表面形成第二牺牲层，且所述第二牺牲层顶部表面齐平于掩膜材料层的顶部表面；/n对部分第二牺牲层注入第二掺杂离子，形成第二分割段。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底表面具有待刻蚀材料层和位于待刻蚀材料层表面的若干相互分立的第一牺牲层，相邻第一牺牲层之间具有第一开口；
对部分第一牺牲层注入第一掺杂离子，形成第一分割段；
在所述第一开口的底部表面和侧壁表面形成掩膜材料层，且所述掩膜材料层覆盖所述第一牺牲层和第一分割段的顶部表面和侧壁表面；
在所述第一开口内的掩膜材料层表面形成第二牺牲层，且所述第二牺牲层顶部表面齐平于掩膜材料层的顶部表面；
对部分第二牺牲层注入第二掺杂离子，形成第二分割段。


2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一牺牲层的形成方法包括：在所述待刻蚀材料层表面形成第一牺牲材料膜；在所述第一牺牲材料膜表面形成第一图形化层，所述第一图形化层的图案对应着第一开口的位置和尺寸；以所述第一图形化层为掩膜，刻蚀所述第一牺牲材料膜，直至暴露出待刻蚀材料层表面，形成所述第一牺牲层。


3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一牺牲层的材料包括：无定形硅、无定形碳、多晶硅、氧化硅、SiCO或者SiCOH。


4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，所述待刻蚀材料层可以为单层材料层或多层堆叠的材料层。


5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一分割段的形成方法包括：在所述第一牺牲层和待刻蚀材料层表面形成第二图形化层，所述第二图形化层内具有第二开口，所述第二开口暴露出部分第一牺牲层表面；以所述第二图形化层为掩膜，对部分第一牺牲层进行第一离子注入，形成第一分割段。


6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二图形化层的形成方法包括：在所述第一牺牲层和待刻蚀材料层表面形成第一平坦材料层；在所述第一平坦材料层表面形成第一底部抗反射材料层；在所述第一底部抗反射材料层表面形成图形化的第一光刻胶层；以所述图形化的第一光刻胶层为掩膜，刻蚀所述第一底部抗反射材料层和第一平坦材料层，直至暴露出第一分割段和待刻蚀材料层表面，形成第二图形化层，所述第二图形化层内具有第二开口。


7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一掺杂离子包括：碳离子、硼离子、砷离子、镓离子或者铟离子。


8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二牺牲层的形成方法包括：在所述掩膜材料层表面形成第二牺牲材料膜，所述第二牺牲材料膜顶部表面高于掩膜材料层顶部表面，且所述第二牺牲材料膜填充满所述第一开口；平坦化所述第二牺牲材料膜，直至暴露出所述掩膜材料层表面，在所述第一开口内的掩膜材料层表面形成第二牺牲层。


9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二牺牲层的材料包括：无定形硅、无定形碳、多晶硅、氧化硅、SiCO或者SiCOH。


10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二分割段的形成方法包...

【专利技术属性】
技术研发人员：窦涛，胡友存，汤霞梅，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31