图形化方法及图形化结构技术

本发明专利技术一种图形化方法及图形化结构，包括步骤：提供基板；在所述基板上形成掩膜层；在部分所述掩膜层内掺杂离子，以在所述掩膜层内形成第一分割段；在所述掩膜层上、所述第一分割段上形成保护层。本发明专利技术可以提高图形化方法的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
图形化方法及图形化结构
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种图形化方法及图形化结构。
技术介绍
在半导体器件制造的工艺中，通常利用光刻工艺将掩膜版上的图形转移到基板上。光刻过程包括：提供基板；在基板上形成光刻胶；对所述光刻胶进行曝光和显影，形成图案化的光刻胶，使得掩膜版上的图案转移到光刻胶中；以图案化的光刻胶为掩膜对基板进行刻蚀，使得光刻胶上的图案转印到基板中；去除光刻胶。随着半导体器件尺寸的不断缩小，光刻关键尺寸(CriticalDimension，CD)逐渐接近甚至超出了光刻的物理极限，由此给光刻技术提出了更加严峻的挑战。双重构图技术的基本思想是通过两次构图形成最终的目标图案，以克服单次构图不能达到的光刻极限。关键尺寸是指在集成电路光掩模制造及光刻工艺中为评估及控制工艺的图形处理精度，特设计一种反映集成电路特征线条宽度的专用线条图形。虽然双重构图技术在增加图案密度方面效果相对较好，但是存在一个普遍的问题就是形成的第一图案的关键尺寸可能在后续工艺期间发生变化，增加关键尺寸变化的附加来源，而影响图形化方法的可靠性。...

【技术保护点】
1.一种图形化方法，其特征在于，包括步骤：/n提供基板；/n在所述基板上形成掩膜层；/n在部分所述掩膜层内掺杂离子，以在所述掩膜层内形成第一分割段；/n在所述掩膜层上、所述第一分割段上形成保护层。/n

【技术特征摘要】
1.一种图形化方法，其特征在于，包括步骤：
提供基板；
在所述基板上形成掩膜层；
在部分所述掩膜层内掺杂离子，以在所述掩膜层内形成第一分割段；
在所述掩膜层上、所述第一分割段上形成保护层。


2.如权利要求1所述图形化方法，其特征在于，还包括：在形成第一分割段之前，在所述掩膜层内形成若干个平行排列的第一沟槽，所述第一分割段位于相邻所述第一沟槽之间。


3.如权利要求2所述图形化方法，其特征在于，所述第一沟槽的形成方法包括：在所述掩膜层上形成第一图形化结构，以所述第一图形化结构为掩膜，刻蚀所述掩膜层，直至暴露出所述基板。


4.如权利要求3所述图形化方法，其特征在于，所述第一图形化结构包括：第一平坦层、位于第一平坦层上的第一底部反抗层和位于第一底部反抗层上的第一图形化光刻胶层；所述第一图形化结构的形成方法包括：在所述掩膜层上形成第一初始平坦层；在第一初始平坦层上形成第一初始底部反抗层；在部分所述第一初始底部反抗层上形成第一图形化光刻胶层；以所述第一图形化光刻胶层为掩膜，刻蚀第一初始底部反抗层、第一初始平坦层，形成所述第一底部反抗层和第一平坦层。


5.如权利要求2所述图形化方法，其特征在于，形成所述第一分割段的形成方法包括：在所述掩膜层、所述第一沟槽的底部和侧壁上形成第二图形化结构，以所述第二图形化结构为掩膜，在所述掩膜层内进行第一次离子注入，形成第一分割段。


6.如权利要求5所述图形化方法，其特征在于，第一次离子注入采用的离子为硼离子或者砷离子。


7.如权利要求5所述图形化方法，其特征在于，所述第二图形化结构包括：第二平坦层、位于第二平坦层上的第二底部反抗层和位于第二底部反抗层上的第二图形化光刻胶层；所述第二图形化结构的形成方法包括：在所述掩膜层、所述第一沟槽的底部和侧壁上形成第二初始平坦层；在第二初始平坦层上形成第二初始底部反抗层；在部分所述第二初始底部反抗层上形成第二图形化光刻胶层；以所述第二图形化光刻胶层为掩膜，刻蚀第二初始底部反抗层、第二初始平坦层，形成所述第二底部反抗层和第二平坦层。


8.如权利要求2所述图形化方法，其特征在于，在形成保护层之后，在所述第一沟槽内形成第二分割段，所述第二分割段贯穿所述第一沟槽。


9.如权利要求8所述图形化方法，其特征在于，形成第二分割段之后，还包括：在所述掩膜层内形成第二沟槽，所述第二沟槽位于相邻所述第一沟槽之间，所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：纪世良，张翼英，张海洋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31