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本发明一种图形化方法及图形化结构，包括步骤：提供基板；在所述基板上形成掩膜层；在部分所述掩膜层内掺杂离子，以在所述掩膜层内形成第一分割段；在所述掩膜层上、所述第一分割段上形成保护层。本发明可以提高图形化方法的可靠性。...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。