电流电压转换电路、基准电压产生电路及半导体存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术可在比先前技术小的布局区域内供给稳定的基准电压。电流电压转换电路包括：第一电流镜电路，包含一对第一MOS晶体管与第二MOS晶体管及输出电阻；以及耗尽型N通道MOS晶体管，插入在被输入的第一电压与所述第一MOS晶体管及第二MOS晶体管之间，且具有被反馈来自所述输出电阻的输出电压的栅极；且当已将基准电流输入所述第一MOS晶体管中时，藉由流入所述第二MOS晶体管及输出电阻中的与所述基准电流对应的电流来产生输出电压。另外，基准电压产生电路包括所述电流电压转换电路，将所述电流电压转换电路的输出电压作为基准电压而输出。

【技术实现步骤摘要】
电流电压转换电路、基准电压产生电路及半导体存储装置
本专利技术是有关于一种电流电压转换电路，使用所述电流电压转换电路的基准电压产生电路，以及使用所述基准电压产生电路的非易失性半导体存储装置。
技术介绍
图1是表示先前技术的用于与非(NAND)型闪存的电压产生电路的结构例的方块图。与非型闪存等非易失性半导体存储装置为了进行读出、编程及消去操作而需要许多种类的电压。通常，如图1所示，该些电压由电荷泵电路(chargepumpcircuit)21与调节器电路(regulatorcircuit)22等电压产生电路生成，并经由字线解码器电路(wordlinedecodercircuit)11而供给至存储器阵列10中。[现有技术文献][专利文献][专利文献1]日本专利特开2013-196622号公报
技术实现思路
[专利技术所欲解决的课题]但是，在来自电荷泵电路21的输出电压中存在电压涟波(voltageripple)，其对记忆单元的压力带来影响，具有字线的位置相关性(图1)。为了减少涟波，而自调节器电路本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电流电压转换电路，其特征在于包括：/n第一电流镜电路，包含一对第一金属氧化物半导体晶体管与第二金属氧化物半导体晶体管及输出电阻；以及/n耗尽型N通道金属氧化物半导体晶体管，插入在被输入的第一电压与所述第一金属氧化物半导体晶体管及所述第二金属氧化物半导体晶体管之间，且具有被反馈来自所述输出电阻的输出电压的栅极；且/n当已将基准电流输入所述第一金属氧化物半导体晶体管中时，藉由流入所述第二金属氧化物半导体晶体管及所述输出电阻中的与所述基准电流对应的电流来产生输出电压。/n

【技术特征摘要】
20190301 JP 2019-0375261.一种电流电压转换电路，其特征在于包括：
第一电流镜电路，包含一对第一金属氧化物半导体晶体管与第二金属氧化物半导体晶体管及输出电阻；以及
耗尽型N通道金属氧化物半导体晶体管，插入在被输入的第一电压与所述第一金属氧化物半导体晶体管及所述第二金属氧化物半导体晶体管之间，且具有被反馈来自所述输出电阻的输出电压的栅极；且
当已将基准电流输入所述第一金属氧化物半导体晶体管中时，藉由流入所述第二金属氧化物半导体晶体管及所述输出电阻中的与所述基准电流对应的电流来产生输出电压。


2.一种基准电压产生电路，其是包括如权利要求1所述的所述电流电压转换电路的基准电压产生电路，其特征在于：
将所述电流电压转换电路的输出电压作为基准电压而输出。


3.如权利要求2所述的基准电压产生电路，其包括：
第三金属氧化物半导体晶体管，插入在所述第二金属氧化物...

【专利技术属性】
技术研发人员：木谷朋文，
申请(专利权)人：力晶积成电子制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71