一种防陶瓷芯片镀镍或金爬镀的工艺制造技术

技术编号:25547260 阅读:3 留言:0更新日期:2020-09-08 18:45
本发明专利技术公开了一种防陶瓷芯片镀镍或金爬镀的工艺,所述镀镍工艺具体包括以下步骤:S1、陶瓷芯片的预处理;S2、陶瓷芯片的镀镍工序:将步骤S2中的陶瓷芯片浸入盛装有镀镍溶液的镀镍槽中,控制镀镍电流密度为0.5~2A/dm

【技术实现步骤摘要】
一种防陶瓷芯片镀镍或金爬镀的工艺
本专利技术涉及在陶瓷芯片上电镀镀层的
,特别是一种防陶瓷芯片镀镍或金爬镀的工艺。
技术介绍
陶瓷芯片的芯片本体为陶瓷(1),如图1所示,陶瓷(1)上烧结有厚度较薄的银层或铜层(2),在工艺上要求在银层或铜层(2)的顶表面上电镀出镀镍层或镀金层,以增加产品的部分区域的导电性能。然而,经实际电镀后发现,镀镍层或镀金层虽然能够电镀在银层或铜层(2)的顶表面上,但是镀镍层或镀金层还朝向陶瓷(1)的表面上延展而出现爬镀(3)如图2所示,爬镀的产生不仅降低了镀层的质量,同时还容易造成电极的导通产生短路。其主要原因包括:I、在陶瓷(1)的表面上附着有触媒(4)如图2所示,触媒主要为烧结铜层或银层时所产生的金属银或铜,当进行电镀时,导致电镀在银层或铜层(2)上的镀镍层或镀金层朝向触媒(4)方向延展而形成爬镀(3)。II、在银层或铜层(2)上镀金时,采用的镀金溶液为微氰体系且采用的电流密度为1~5A/dm2,而微氰体系渗镀能力非常强,导致电镀在银层或铜层(2)上的镀镍层或镀金层延展到银层或铜层(2)的外边缘,进而产生爬镀;此外微氰体系带有毒性,无疑对工人身体健康造成危害。III、在银层或铜层(2)上镀镍时,采用的镀镍电流密度为4~10A/dm2,而过大的电流密度无疑会提高镀镍溶液的渗镀能力,同样会导致电镀在银层或铜层(2)上的镀镍层或镀金层延展到银层或铜层(2)的外边缘,进而产生爬镀。因此亟需一种提高镀层质量、降低渗镀能力、防止电镀时产生爬镀的防陶瓷芯片镀镍或金爬镀的工艺
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的缺点,提供一种提高镀层质量、降低渗镀能力、防止电镀时产生爬镀的防陶瓷芯片镀镍或金爬镀的工艺。本专利技术的目的通过以下技术方案来实现:一种防陶瓷芯片镀镍或金爬镀的工艺,它包括镀镍工艺和镀金工艺:所述镀镍工艺具体包括以下步骤:S1、陶瓷芯片的预处理:将陶瓷芯片放入盛装有弱碱性溶液的槽体中,通过弱碱性溶液除去陶瓷芯片上的油污,处理5~8min后,将陶瓷芯片放入到盛装有弱酸性溶液的槽体中,通过弱酸性溶液腐蚀掉附着于陶瓷上的触媒,处理6~10min后,将陶瓷芯片放入到盛装有清水的槽体中,以清洗掉附着于陶瓷芯片表面上的残留弱酸溶液,从而最终实现了陶瓷芯片的预处理;S2、陶瓷芯片的镀镍工序:将步骤S1中的陶瓷芯片浸入盛装有镀镍溶液的镀镍槽中,控制镀镍电流密度为0.5~2A/dm2,从而实现了在银层或铜层表面上电镀出镀镍层;所述镀金工艺具体包括以下步骤:S3、陶瓷芯片的预处理:将陶瓷芯片放入盛装有弱碱性溶液的槽体中,通过弱碱性溶液除去陶瓷芯片上的油污,处理5~8min后,将陶瓷芯片放入到盛装有弱酸性溶液的槽体中,通过弱酸性溶液腐蚀掉附着于陶瓷上的触媒,处理6~10min后,将陶瓷芯片放入到盛装有清水的槽体中,以清洗掉附着于陶瓷芯片表面上的残留弱酸溶液,从而最终实现了陶瓷芯片的预处理;S4、将步骤S3中的陶瓷芯片浸入盛装有镀镍溶液的镀镍槽中,以在银层或铜层上预先电镀一层镀镍层;S5、陶瓷芯片的镀金工序:将步骤S4中的陶瓷芯片浸入盛装有镀金溶液的槽体中,镀金溶液为柠檬酸,控制镀金电流密度为0.2~1A/dm2,通过电镀将金电镀在镀镍层上,从而实现了在银层或铜层表面上电镀出镀金层。所述步骤S2中镀镍溶液由浓度分别为250~300g/L硫酸镍,40~45g/L硼酸,10~15g/L氯化镍,25~30g/L高速半光镍添加剂组成,镀镍溶液的pH值为3.8~4.2,镀镍溶液的温度为60±2°C。所述弱碱性溶液为NaCO3溶液和Na3PO4溶液中任意一种或多种。所述弱酸性溶液为稀硫酸。本专利技术具有以下优点:本专利技术提高镀层质量、降低渗镀能力、防止电镀时产生爬镀。附图说明图1为陶瓷芯片的结构示意图;图2为电镀后出现爬镀后的示意图;图中,1-陶瓷,2-银层或铜层,3-爬镀,4-触媒。具体实施方式下面对本专利技术做进一步的描述,本专利技术的保护范围不局限于以下所述:实施例一:一种防陶瓷芯片镀镍或金爬镀的工艺,它包括镀镍工艺和镀金工艺:所述镀镍工艺具体包括以下步骤:S1、陶瓷芯片的预处理:将陶瓷芯片放入盛装有弱碱性溶液的槽体中,通过弱碱性溶液除去陶瓷芯片上的油污,碱性溶液为NaCO3溶液,处理5min后,将陶瓷芯片放入到盛装有弱酸性溶液的槽体中,弱弱酸性溶液为稀硫酸,通过弱酸性溶液腐蚀掉附着于陶瓷1上的触媒,处理6min后,将陶瓷芯片放入到盛装有清水的槽体中,以清洗掉附着于陶瓷芯片表面上的残留弱酸溶液,从而最终实现了陶瓷芯片的预处理;S2、陶瓷芯片的镀镍工序:将步骤S2中的陶瓷芯片浸入盛装有镀镍溶液的镀镍槽中,镀镍溶液由浓度分别为250~300g/L硫酸镍,40~45g/L硼酸,10~15g/L氯化镍,25~30g/L高速半光镍添加剂组成,镀镍溶液的pH值为3.8~4.2,镀镍溶液的温度为60±2°C,控制镀镍电流密度为0.5~2A/dm2,从而实现了在银层或铜层2上电镀出镀镍层。由于附着于陶瓷1上的触媒预先被清除掉,从而在电镀时,不会产生爬镀。镀镍时,镀镍电流密度为0.5~2A/dm2,相比传统的电流密度,极大降低了镀镍溶液的渗镀能力,进一步避免了爬镀的产生,从而极大的提高了镀层质量。所述镀金工艺具体包括以下步骤:S3、陶瓷芯片的预处理:将陶瓷芯片放入盛装有弱碱性溶液的槽体中,通过弱碱性溶液除去陶瓷芯片上的油污,处理6min后,将陶瓷芯片放入到盛装有弱酸性溶液的槽体中,通过弱酸性溶液腐蚀掉附着于陶瓷1上的触媒,处理8min后,将陶瓷芯片放入到盛装有清水的槽体中,以清洗掉附着于陶瓷芯片表面上的残留弱酸溶液,从而最终实现了陶瓷芯片的预处理;S4、将步骤S3中的陶瓷芯片浸入盛装有镀镍溶液的镀镍槽中,以在银层或铜层上预先电镀一层镀镍层;S5、陶瓷芯片的镀金工序:将步骤S4中的陶瓷芯片浸入盛装有镀金溶液的槽体中,镀金溶液为柠檬酸,控制镀金电流密度为0.2~1A/dm2,通过电镀将金电镀在镀镍层上,从而实现了在银层或铜层2表面上电镀出镀金层。由于附着于陶瓷1上的触媒预先被清除掉,从而在电镀时,不会产生爬镀。镀金时,镀金电流密度为0.2~1A/dm2,相比传统的电流密度,极大降低了镀金溶液的渗镀能力,进一步避免了爬镀的产生,从而极大的提高了镀层质量。此外镀金溶液为柠檬酸,而柠檬酸渗镀能力差,从而有效避免了电镀在银层或铜层2上的镀金层延展到外部而形成爬镀,进一步提高了镀层质量。实施例二:一种防陶瓷芯片镀镍或金爬镀的工艺,它包括镀镍工艺和镀金工艺:所述镀镍工艺具体包括以下步骤:S1、陶瓷芯片的预处理:将陶瓷芯片放入盛装有弱碱性溶液的槽体中,通过弱碱性溶液除去陶瓷芯片上的油污,弱碱性为Na3PO4溶液,处理6min后,将陶瓷芯片放入到盛装有弱酸性溶液的槽体中,弱酸性溶液为本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种防陶瓷芯片镀镍或金爬镀的工艺,其特征在于:它包括镀镍工艺和镀金工艺:/n所述镀镍工艺具体包括以下步骤:/nS1、陶瓷芯片的预处理:将陶瓷芯片放入盛装有弱碱性溶液的槽体中,通过弱碱性溶液除去陶瓷芯片上的油污,处理5~8min后,将陶瓷芯片放入到盛装有弱酸性溶液的槽体中,通过弱酸性溶液腐蚀掉附着于陶瓷(1)上的触媒,处理6~10min后,将陶瓷芯片放入到盛装有清水的槽体中,以清洗掉附着于陶瓷芯片表面上的残留弱酸溶液,从而最终实现了陶瓷芯片的预处理;/nS2、陶瓷芯片的镀镍工序:将步骤S1中的陶瓷芯片浸入盛装有镀镍溶液的镀镍槽中,控制镀镍电流密度为0.5~2A/dm

【技术特征摘要】
1.一种防陶瓷芯片镀镍或金爬镀的工艺,其特征在于:它包括镀镍工艺和镀金工艺:
所述镀镍工艺具体包括以下步骤:
S1、陶瓷芯片的预处理:将陶瓷芯片放入盛装有弱碱性溶液的槽体中,通过弱碱性溶液除去陶瓷芯片上的油污,处理5~8min后,将陶瓷芯片放入到盛装有弱酸性溶液的槽体中,通过弱酸性溶液腐蚀掉附着于陶瓷(1)上的触媒,处理6~10min后,将陶瓷芯片放入到盛装有清水的槽体中,以清洗掉附着于陶瓷芯片表面上的残留弱酸溶液,从而最终实现了陶瓷芯片的预处理;
S2、陶瓷芯片的镀镍工序:将步骤S1中的陶瓷芯片浸入盛装有镀镍溶液的镀镍槽中,控制镀镍电流密度为0.5~2A/dm2,从而实现了在银层或铜层(2)表面上电镀出镀镍层;
所述镀金工艺具体包括以下步骤:
S3、陶瓷芯片的预处理:将陶瓷芯片放入盛装有弱碱性溶液的槽体中,通过弱碱性溶液除去陶瓷芯片上的油污,处理5~8min后,将陶瓷芯片放入到盛装有弱酸性溶液的槽体中,通过弱酸性溶液腐蚀掉附着于陶瓷(1)上的触媒,处理6~10min后,将陶瓷芯片放入到盛装有清水的槽体中,以清洗掉附着于陶...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄皓杨翠刚李云仕赵景勋朱万宇饶轩吴传伟
申请(专利权)人:成都宏明双新科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:四川;51

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