一种高频陶瓷介质材料及其制备方法和多层陶瓷电容器技术

本发明专利技术提供一种高频陶瓷介质材料及其制备方法和多层陶瓷电容器，涉及陶瓷介质材料领域。本发明专利技术材料包括质量分数为93～98％的主晶相成分和2～7％的改性添加物，主晶相成分为(Ca

【技术实现步骤摘要】
一种高频陶瓷介质材料及其制备方法和多层陶瓷电容器
本专利技术涉及陶瓷介质材料领域，且特别涉及一种高频陶瓷介质材料及其制备方法和多层陶瓷电容器。
技术介绍
片式多层陶瓷电容器已经被广泛用作微型尺寸、高容量和高可靠性的电子元件，面临更小尺寸、更高容量、更低成本和更高可靠性的市场需求。该电容器是由印好电极(内电极)的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层(外电极)，形成一个类似独石电容的结构体。适合在空气气氛中烧结的多层陶瓷电容器，是以贵金属钯或钯银合金做内电极；并且所用的陶瓷介质材料大多含有Pd、Cd等有害金属元素。由于贵金属价格较高，面对日益激烈的市场竞争及HSF的要求，近几年多层陶瓷电容器技术的发展主要集中在产品的高容量化、贱金属化、小型化及多功能化等方面。采用廉价金属如铜、镍或其合金替代贵金属作为内电极可使多层陶瓷电容器的材料成本得到大幅度的下降；但由于铜、镍或其合金与陶瓷材料在空气中烧结时会引起铜、镍或其合金内电极氧化失效，因此，以铜、镍或其合金作为内电极的多层陶瓷电容器必须要在还原本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高频陶瓷介质材料，其特征在于，包括质量分数为93～98％的主晶相成分和质量分数为2～7％的改性添加物，所述主晶相成分为(Ca

【技术特征摘要】
1.一种高频陶瓷介质材料，其特征在于，包括质量分数为93～98％的主晶相成分和质量分数为2～7％的改性添加物，所述主晶相成分为(CaxSr1-xMna)ZryTizO3，其中0.2≤x≤0.4，1.02≤y≤1.08，0.02≤z≤0.06，0.02≤a≤0.06，所述改性添加物选自Nb2O5、MnCO3、BaCO3、Al2O3、ZnO、SiO2、Mg(OH)2中的三种或三种以上。


2.根据权利要求1所述的高频陶瓷介质材料，其特征在于，所述改性添加物中，各组分在所述高频陶瓷介质材料中的质量分数范围是：Nb2O5为0.01～1.0％；MnCO3为0～1.5％；BaCO3为0～2.0％；Al2O3为0～1.5％；ZnO为0.0～0.5％；SiO2为0.4～1.6％；Mg(OH)2为0～0.6％。


3.根据权利要求1所述的高频陶瓷介质材料，其特征在于，a＝z，所述主晶相成分为(CaxSr1-xMnz)ZryTizO3，其中0.2≤x≤0.4，1.02≤y≤1.08，0.02≤z≤0.06。


4.根据权利要求1所述的高频陶瓷介质材料，其特征在于，所述高频陶瓷介质材料烧结后，其介电常数介于29～35，容温变化率为±30ppm/℃，室温介电损耗≤0.05％。


5.一种如权利要求1～4任意一项所述的高频陶瓷介质材料的制备方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：张军志，杨和成，贺凯强，
申请(专利权)人：厦门松元电子有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35