一种B位(In, Fe)共掺杂SrTiO制造技术

本发明专利技术涉及一种B位(In,Fe)共掺杂SrTiO

A B-site (in, Fe) Co doped SrTiO

The invention relates to a b-position (in, Fe) Co doped SrTiO

【技术实现步骤摘要】
一种B位(In,Fe)共掺杂SrTiO3及其制备方法
本专利技术涉及一种B位(In,Fe)共掺杂SrTiO3及其制备方法，属于功能材料

技术介绍
混合离子-电子导体在现代固态离子装置中起重要作用。SrTiO3具有典型的钙钛矿结构（ABO3）。SrTiO3基钙钛矿是固体氧化物电解槽，固体氧化物燃料电池和分离膜的潜在混合离子-电子导体。因为SrTiO3基钙钛矿具有优异的化学稳定性和热稳定性，较好的耐焦化和耐硫性。然而，未掺杂的化学计量SrTiO3的电导率太低而不能满足阳极材料的要求，因此，许多努力已经集中于提高SrTiO3基材料的导电性。为了提高SrTiO3的导电性，可在SrTiO3的B位掺杂过渡金属元素。例如In和Fe。In的离子迁移能较低，而In3+的离子半径为0.081nm及Fe3+的离子半径为0.064nm，与Ti4+的离子半径（0.068nm）相近，通过两种元素共掺杂B位，来改善材料的导电导率。前人报道了在SrTiO3的B位分别掺杂Fe，Co，In和Sc元素来提高材料氧空位浓度。但是现有技术仍然存在离子电导率较差等问题。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种B位(In, Fe)共掺杂SrTiO

【技术特征摘要】
1.一种B位(In,Fe)共掺杂SrTiO3，其特征在于：分子式为SrTi1-x(In0.5Fe0.5)xO3-δ，B位(In,Fe)共掺杂量为x，其中A位为Sr，B位为Ti、In和Fe。


2.根据权利要求1所述的B位(In,Fe)共掺杂SrTiO3，其特征在于：所述B位(In,Fe)共掺杂量x为0.2、0.4或0.6。


3.一种根据权利要求1或2所述的B位(In,Fe)共掺杂...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘建华，李润萍，周俊文，张程，
申请(专利权)人：昆明理工大学，
类型：发明
国别省市：云南;53