【技术实现步骤摘要】
一种沟槽肖特基二极管
本技术涉及二极管
,具体为一种沟槽肖特基二极管。
技术介绍
肖特基二极管是贵金属A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件,肖特基二极管属一种低功耗、超高速半导体器件,广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路,作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用。随着国家对新能源电子产品的大力扶持,各种节能型电子产品日益壮大,其中沟槽肖特基二极管相比于平面型具有不可比拟的优势,最近备受青睐,沟槽肖特基二极管在生产是需要对其进行封装,而现有的封装不便于对沟槽肖特基二极管进行安装拆卸,不方便对二极管进行更换,在操作上比较麻烦,而且沟槽肖特基二极管由于经常使用,因此会产生很多热量,如果这些热量散不出去会严重影响二极管工作效果,严重的会导致二极管寿命减少,甚至损坏,而且散热片在散热的过程中散热功效会慢慢降低,因此也需要对散热片进行更换。
技术实现思路
(一)解决的技术问题针对现有技术的不足,本技术提供了一种沟槽肖特基 ...
【技术保护点】
1.一种沟槽肖特基二极管,包括二极管壳体(1),其特征在于:所述二极管壳体(1)的左侧固定连接有引脚(2),所述二极管壳体(1)的右侧活动连接有安装板(3),所述二极管壳体(1)的顶部活动连接有顶盖(4),所述二极管壳体(1)的底部固定连接有底座(5),所述底座(5)的内部活动连接有散热片(6),所述二极管壳体(1)的右侧开设有工形槽(7),所述工形槽(7)的内部活动连接有连接装置,所述安装板(3)的顶部开设有L形槽(13),所述二极管壳体(1)左侧的顶部开设有凹槽(14),所述顶盖(4)的右侧固定连接有插条(15),所述顶盖(4)的前后两侧均开设有卡槽(16),所述二极管 ...
【技术特征摘要】
1.一种沟槽肖特基二极管,包括二极管壳体(1),其特征在于:所述二极管壳体(1)的左侧固定连接有引脚(2),所述二极管壳体(1)的右侧活动连接有安装板(3),所述二极管壳体(1)的顶部活动连接有顶盖(4),所述二极管壳体(1)的底部固定连接有底座(5),所述底座(5)的内部活动连接有散热片(6),所述二极管壳体(1)的右侧开设有工形槽(7),所述工形槽(7)的内部活动连接有连接装置,所述安装板(3)的顶部开设有L形槽(13),所述二极管壳体(1)左侧的顶部开设有凹槽(14),所述顶盖(4)的右侧固定连接有插条(15),所述顶盖(4)的前后两侧均开设有卡槽(16),所述二极管壳体(1)的前后两侧均固定连接有两个连接座(17),两个所述连接座(17)相对的一侧活动连接有旋转板(18),所述旋转板(18)的顶部固定连接有压缩弹簧(19),所述压缩弹簧(19)的顶部固定连接有卡块(20)。
2.根据权利要求1所述的一种沟槽肖特基二极管,其特征在于:所述连接装置包括连接杆(8),所述连接杆(8)的右侧固定连接有固定块(9),所述固定块(9)远离连接杆(8)的一侧与安装板(3)的左侧...
【专利技术属性】
技术研发人员:马奕俊,
申请(专利权)人:深圳辰达行电子有限公司,
类型:新型
国别省市:广东;44
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