【技术实现步骤摘要】
新型毫米波Ga2O3肖特基二极管
本专利技术涉及电子元器件
，尤其涉及一种新型毫米波Ga2O3肖特基二极管。
技术介绍
毫米波是指频率在30GHz-300GHz范围内的电磁波，在100GHz以上，基于肖特基二极管的方式可以实现毫米波倍频源。目前常用的是GaAs基的肖特基二极管，但是GaAs基肖特基二极管由于其耐击穿特性不如禁带宽度更大的Ga2O3肖特基二极管，因此基于Ga2O3肖特基二极管来制作大功率的毫米波源成为一种比较有潜在价值的技术。Ga2O3材料拥有更加优良的性质，在制作功率器件方面有着很大的潜力，目前已成为国内外相关机构关注的热点。在Ga2O3的多种同分异构体中，β-Ga2O3的性质是最稳定的，是制备半导体器件的良好选择。β-Ga2O3的禁带宽度约为4.9eV，理论上击穿场强可以达到8MV/cm。它还具有优良的光学性能和稳定的物理化学性质，适合制备不同用途的半导体器件。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是如何提供一种击穿电压高的新型毫米波Ga2O3肖特基二极管。为解决上述...
【技术保护点】
1.一种新型毫米波Ga
【技术特征摘要】
1.一种新型毫米波Ga2O3肖特基二极管，其特征在于：包括衬底层（1），所述衬底层（1）的上表面形成有缓冲层（2），所述缓冲层（2）的上表面形成有钝化层（3），所述钝化层（3）的一侧形成有阴极重掺杂Ga2O3层（4），所述钝化层（3）的另一侧形成有阳极重掺杂Ga2O3层（5），所述阴极重掺杂Ga2O3层（4）远离钝化层（3）的一侧形成有第一凹槽，所述阴极重掺杂Ga2O3层（4）靠近钝化层（3）的一侧形成有第一凸台，所述第一凹槽内形成有阴极欧姆接触层（6），所述第一凸台上形成有阴极低掺杂Ga2O3层（7），所述阴极欧姆接触层（6）的高度高于所述第一凸台的高度，所述阴极低掺杂Ga2O3层（7）的高度高于所述阴极欧姆接触层（6）的高度，所述阴极欧姆接触层（6）的上表面形成有阴极金属加厚层（8），所述阴极低掺杂Ga2O3层（7）的上表面形成有肖特基接触金属层（9），所述肖特基接触金属层（9）的外周形成阴极二氧化硅层（10），所述肖特基接触金属层（9）的高度高于所述阴极二氧化硅层（10）高度，低于所述阴极金属加厚层（8）的高度；
所述阳极重掺杂Ga2O3层（5）远离钝化层（3）的一侧形成有第二凹槽，所述阳极重掺杂Ga2O3层（5）靠近钝化层（3）的一侧形成有第二凸台，所述第二凹槽内形成有阳极欧姆接触层（11），所述第二凸台上形成有阳极低掺杂Ga2O3层（12），所述阳极欧姆接触层（11）的高度高于所述第二凸台的高度，所述阳极低掺杂Ga2O3层（12）的高度高于所述阳极欧姆接触层（11）的高度，所述阳极欧姆接触层（11）的上表面形成有阳极金属加厚层（13），所述阳极低掺杂Ga2O3层（12）的上表面形成有阳极二氧化硅层（14），所述阳极金属加厚层（1...
【专利技术属性】
技术研发人员：安国雨，张志国，刘育青，郭黛翡，张洋阳，
申请(专利权)人：北京国联万众半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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