一种阵列基板及其制作方法技术

本申请提供一种阵列基板及其制备方法，所述阵列基板包括：层叠设置的衬底、缓冲层、栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、层间介质层，源漏极层，其中，有源层图案化形成沟道区，源漏极层包括层叠设置的第一源漏极层和第二源漏极层，第一源漏极层在与有源层接触的区域形成掺杂区，第一源漏极层的材料与有源层的材料相同，均为半导体材料，但离子掺杂的浓度不同。本申请通过先对半导体材料进行离子掺杂成膜，然后对半导体层进行退火处理，形成有源层的沟道区和第一源漏极层，这样就节约了一次离子掺杂步骤和半导体退火步骤，同时第一源漏极层直接形成有源层的掺杂区，增大了源漏极层与有源层的接触面积，从而减小了源漏极层的电阻。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制作方法
本申请涉及显示领域，具体涉及一种阵列基板及其制作方法。
技术介绍
在传统AMOLED器件制备过程中，常常采用互补金属氧化物半导体(CMOS)器件来组成面板驱动电路的基本单元，一般在有源层中掺杂了B型离子或P型离子，形成有源层的沟道区。通常先制备非晶硅薄膜，对非晶硅进行退火化处理形成多晶硅层，在多晶硅层上形成栅极绝缘层和栅极，再在多晶硅层内注入气体，进行高温活化产生活性离子与多晶硅层进行反应。这样产生了两次高温活化反应，增加了栅极断裂的风险，同时增加离子输入制程也增加了成本。因此，现有技术存在AMOLED器件，存在制备工艺增多，光照成本增强的问题。
技术实现思路
本申请实施例提供一种显示面板及其制作方法，可以有效缓解AMOLED器件，存在制备工艺增多，光照成本增强的问题。为解决以上问题，本申请提供的技术方案如下：本申请提一种阵列基板，其特征在于，包括；衬底；缓冲层，形成在所述衬底之上；栅极金属层，形成在所述缓冲层远离衬底的一侧；>栅极绝缘层，形成在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括；/n衬底；/n缓冲层，形成在所述衬底之上；/n栅极金属层，形成在所述缓冲层远离衬底的一侧；/n栅极绝缘层，形成在所述栅极金属层远离所述缓冲层的一侧；/n有源层，形成在所述栅极绝缘层远离所述栅极金属层的一侧，图案化形成沟道区；/n层间介质层，形成在所述层间介质层远离所述栅极绝缘层的一侧；/n源漏极层，形成在所述有源层远离所述栅极绝缘层的一侧，图案化形成源极和漏极；/n其中，所述源漏极层包括第一源漏极层和第二源漏极层，所述第一源漏极层与所述有源层接触的区域形成掺杂区，所述第二源漏极层形成在所述第一源漏极层远离所述衬底的一侧，所述第一源漏极层的材料与所述有源层的材...

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括；
衬底；
缓冲层，形成在所述衬底之上；
栅极金属层，形成在所述缓冲层远离衬底的一侧；
栅极绝缘层，形成在所述栅极金属层远离所述缓冲层的一侧；
有源层，形成在所述栅极绝缘层远离所述栅极金属层的一侧，图案化形成沟道区；
层间介质层，形成在所述层间介质层远离所述栅极绝缘层的一侧；
源漏极层，形成在所述有源层远离所述栅极绝缘层的一侧，图案化形成源极和漏极；
其中，所述源漏极层包括第一源漏极层和第二源漏极层，所述第一源漏极层与所述有源层接触的区域形成掺杂区，所述第二源漏极层形成在所述第一源漏极层远离所述衬底的一侧，所述第一源漏极层的材料与所述有源层的材料相同，但离子掺杂的浓度不同。


2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述层间介质层形成有通孔，所述通孔贯穿所述层间介质层，在所述栅极绝缘层上形成平面区域，所述第一源漏极层平铺所述通孔，且位于所述平面区域的第一源漏极层与所述沟道区搭接形成掺杂区。


3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述通孔的形状包括倒梯形。


4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层的厚度与所述第一源漏极层的厚度相同。


5.如权利要求1至4项任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第二源漏极层与所述第一源漏极层的接触面积大于所述第二源漏极层在所述衬底上的正投影面积。


6.一种阵列基板的制作方法，用于制备如权利要求1至5任一项所述的阵列基板，其特征在于，包括；
提供基板；
在所述基板上依次形成衬底、缓...

【专利技术属性】
技术研发人员：张伟彬，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42